一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫制造技术

本实用新型专利技术涉及研磨垫技术领域，且公开了一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫，包括下部和上部，所述上部的内部分布有多个微气囊，多个所述微气囊呈不均匀分布设置，微气囊直径为1

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫


[0001]本技术涉及晶圆研磨垫
，尤其涉及一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫。

技术介绍

[0002]半导体晶圆的制造制程中，一般皆结合用以使其表面平坦化、镜面化的研磨步骤，该研磨步骤中，将研磨垫固定于研磨装置后，将晶圆等被研磨构件朝研磨垫挤压，于供给研磨浆料的同时，使两者相对地滑动以进行研磨。
[0003]传统的晶圆研磨垫结构简单，不具备缓冲性能，在使用时，被研磨材接受到被研磨装置所产生的上下左右的微振动，并将其传递至研磨垫，容易导致研磨垫变形，由于现有的研磨垫是均一结构，导致散热困难，且上部受热较多，下部受热较少，导致研磨垫变形，影响晶圆研磨质量。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中晶圆研磨垫结构简单，不具备缓冲性能，在使用时，被研磨材接受到被研磨装置所产生的上下左右的微振动，并将其传递至研磨垫，容易导致研磨垫变形，由于现有的研磨垫是均一结构，导致散热困难，且上部受热较多，下部受热较少导致研磨垫变形，影响晶圆研磨质量的问题，而提出的一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫，包括下部和上部，所述上部的内部分布有多个微气囊，多个所述微气囊呈不均匀分布设置，微气囊直径为1
‑
3毫米，在上部内呈现不规则分布。
[0007]优选的，所述上部的上表面涂布有耐磨涂层材料。
[0008]与现有技术相比，本技术提供了一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫，具备以下有益效果：
[0009]该掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫，通过上层内部均匀分布有众多个微气囊，即能够对研磨过程中的微振动进行缓冲，保持研磨垫的稳定。
[0010]该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本技术能够对研磨过程中的微振动进行缓冲，保持研磨垫的稳定，微气囊有散热效果，有利于研磨垫上、下部受热均一，减少研磨垫变形，能够保证晶圆研磨质量，延长研磨垫使用寿命。
附图说明
[0011]图1为本技术提出的一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫的结构示意图；
[0012]图中：1下层、2上层、3微气囊。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0014]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0015]参照图1，包括下部1和上部2，上部2的内部分布有多个微气囊3，多个微气囊3呈均匀分布设置，微气囊3直径为1
‑
3毫米，在上部2内呈现不规则分布。
[0016]上部2的上表面涂布有耐磨涂层材料。
[0017]本技术中，工作原理：由于上层2的内部均匀分布有多个生气囊3，即能够对研磨过程中的微振动进行缓冲，保持研磨垫的稳定。且利于散热，使得研磨垫上、下部受热均一，使用寿命延长。
[0018]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂分布有微气囊的晶圆研磨垫，包括下部（1）和上部（2），其特征在于，所述上部（2）的内部分布有多个微气囊（3），多个所述微气囊（3）呈不均匀分布设置，微气囊（3）直径为1

【专利技术属性】
技术研发人员：颜冠致，李文华，毛长虹，
申请(专利权)人：合肥铨得合半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：