【技术实现步骤摘要】
抛光系统、抛光垫以及半导体器件的制造方法
[0001]涉及一种应用于抛光工艺的抛光系统,并且涉及一种应用于所述抛光系统的抛光垫和应用所述抛光系统的半导体器件的制造方法。
技术介绍
[0002]化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)或者化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺可以在各种
中用于各种目的。CMP工艺在抛光对象的规定的被抛光面上进行,可以用于平坦化被抛光面、除去凝集的物质、解决晶格损伤、去除划痕与污染源等。
[0003]半导体工艺的CMP工艺技术可根据抛光对象膜质或者抛光后的表面的形状来进行分类。例如,可以按抛光对象膜质分为单晶硅(single silicon)或者多晶硅(poly silicon),也可以按杂质的种类分为各种氧化膜或者钨(W)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)、钽(Ta)等金属膜CMP工艺。并且,还可以按抛光后的表面的形状来分为改善基板表面的粗糙度的工艺、平坦化多层电路布线导致的段差的工艺、以及用于抛光后选择性形成电路布线的器件分离工艺。
[0004]可以在半导体器件的制造过程中多次应用CMP工艺。半导体器件包括多个层,并且每个层都包括复杂且微细的电路图案。另外,在最近的半导体器件中,单个芯片大小减小,且各层的图案都向着更复杂且微细的方向进化。因此,在半导体器件的制备过程中,CMP工艺的目的已经扩展到不仅包括电路布线的平坦化,还包括电路布线的分离及布线表面的改善等,其 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抛光系统,其中,包括:平板,上部安装有抛光垫,以及抛光垫,安装于所述平板上;所述抛光垫包括抛光面和作为所述抛光面的相反面的平板附着面,所述平板附着面包括至少一个阴刻部,所述平板包括至少一个阳刻部,所述阳刻部和所述阴刻部为相互互补结合结构。2.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,所述平板附着面包括至少两个阴刻部,对于至少两个所述阴刻部中的任意第一阴刻部和第二阴刻部,当将从各自的中心到所述平板附着面上所述抛光垫的中心的直线称为第一直线和第二直线时,所述第一直线和所述第二直线所形成的内角θ满足以下第1式,第1式:
‑
1<cosθ<1。3.根据权利要求2所述的抛光系统,其中,所述阴刻部的中心是二等分所述阴刻部的平面形状的中心线上的中点。4.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,所述抛光垫包括:抛光层,包括所述抛光面,以及缓冲层,包括所述平板附着面;所述阴刻部的深度D2与所述缓冲层的厚度D3和所述抛光垫的厚度D1满足以下第2式的相关关系,第2式:D3<D2<D1。5.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,所述抛光垫包括:抛光层,包括所述抛光面,以及缓冲层,包括所述平板附着面;所述抛光面包括深度比所述抛光层的厚度小的至少一个凹槽,所述阴刻部的深度D2与所述抛光层的厚度D4、所述凹槽的深度d1以及所述抛光垫的厚度D1满足以下第3式的相关关系,第3式:6.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,所述平板附着面包括中心区域和边缘区域,所述边缘区域为从所述平板附着面的边缘向所述抛光垫的中心的直线距离为第一直线距离R1的区域,当从所述平板附着面的边缘到所述抛光垫的中心的直线距离为第二直线距离R2时,
所述第一直线距离R1与所述第二直线距离R2之比为0.2:1至0.5:1,所述阴刻部位于所述边缘区域。7.根据权利要求6所述的抛光系统,其中,所述抛光面包括两个以上凹槽,所述凹槽的深度为100μm至1500μm,宽度为100μm至1000μm,相邻的两个凹槽之间的间距为2mm至70mm。8.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,还包括:流体注入单元,用于根据需要在所述抛光面上施加流体。9.根据权利要求1所述的抛光系统,其中,还包括:加压单元,在2psi至7psi的范围内调节所述抛光垫对所述平板的加压荷重。10.一种抛光垫,其中,包括:抛光面和作为所述抛光面的相反面的平板附着面;所述平板附着面包括至少一个阴刻部,所述阴刻部与通过所述平板附着面安装的平板上的阳刻部具有互补结合结构。11.根据权利要求10所述的抛光垫,其中,包括:抛光层,包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:安宰仁,金京焕,马圣欢,徐章源,
申请(专利权)人:SKC索密思株式会社,
类型:发明
国别省市:
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