像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器制造技术

技术编号:3634125 阅读:199 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种减少了晶体管数量的CMOS传感器阵列,其中,单个像素是由销接光电二极管和传输晶体管所形成的。输出节点通过传输晶体管接收光电二极管所发出的信号,该输出节点由多个像素所共享。此外,复位晶体管耦合在可选择的低压轨V↓[ss]或高压参考电压V↓[ref]与输出节点之间。输出晶体管的栅极耦合到输出节点上。复位晶体管和输出晶体管都由多个像素所共享。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种器件,其包括;形成在半导体衬底上的第一销接光电二极管;设置在该第一销接光电二极管和输出节点之间的第一传输晶体管,该第一销接光电二极管和该第一传输晶体管组合形成第一光传感像素;形成在所述半导体衬底上的第二销接光电二 极管;设置在该第二销接光电二极管和所述输出节点之间的第二传输晶体管,该第二销接光电二极管和该第二传输晶体管组合形成第二光传感像素;通过参考电压和所述输出节点耦合的复位晶体管;以及耦合到所述输出节点上的输出晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:何新平杨宏利
申请(专利权)人:豪威科技有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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