半导体结构及其制作方法技术

一种半导体结构及其制作方法，包括提供自下而上分布的N型半导体层(11)、发光层(12)、P型离子掺杂层(13)以及阻挡材料层(14')；图形化所述阻挡材料层(14')形成阻挡层(14)，所述阻挡层(14)至少具有一个开口(14a)，以暴露所述P型离子掺杂层(13)的部分区域；以所述阻挡层(14)为掩膜，激活所述暴露的P型离子掺杂层(13)中的P型掺杂离子，以形成激活区(131)，所述阻挡层(14)遮盖的所述P型离子掺杂层(13)形成非激活区(132)。成非激活区(132)。成非激活区(132)。成非激活区(132)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丹丹，张丽旸，程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：