高中心亮度光源的制造方法技术

本发明专利技术涉及光源技术领域，公开了高中心亮度光源的制造方法，包括以下制造步骤：1)、基板上具有内区域以及外区域，外区域与内区域之间具有隔离区域，隔离区域的宽度大于0.7mm；2)、内区域上固晶多个内发光芯片，相邻的内发光芯片之间具有内间隔；外区域上固晶多个外发光芯片，相邻的外发光芯片之间具有外间隔，外间隔大于内间隔；3)、发光区域的外周设置围坝；4)、围合区域内填充荧光胶，荧光胶覆盖了发光区域；通过将多个内发光芯片固晶在内区域，多个外发光芯片固晶在外发光区域，同时内区域中相邻发光芯片的间隔小于外区域相邻发光芯片间隔，使得这样制造的光源具有中心照度强，中心光强大的优点。光强大的优点。光强大的优点。

【技术实现步骤摘要】
高中心亮度光源的制造方法


[0001]本专利技术涉及光源的
，具体涉及高中心亮度光源的制造方法。

技术介绍

[0002]光源是各种灯具中的发光元件，其包括基板以及设置在基板上的发光芯片，发光芯片与基板电性连接，再在基板上点上荧光胶，荧光胶将多个发光芯片包裹在内，发光芯片发出的光则透过荧光胶透射出来。
[0003]基板上凸设有围坝，围坝在基板上包围形成发光区域，发光区域的底部设置有发光芯片，再在发光区域内进行点荧光胶，发光芯片发出的光则会透光荧光胶透射出来。
[0004]现有技术中，发光区域上均匀布置多个发光芯片，多个发光芯片发光的过程中，光源的中心照度以及中心光强较低，导致整个光源的中心亮度较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了高中心亮度光源的制造方法，旨在解决现有技术中，光源的中心亮度较低的问题。
[0006]本专利技术是这样实现的，高中心亮度光源的制造方法，包括以下制造步骤：
[0007]1)、提供基板，所述基板上具有发光区域，所述发光区域包括内区域以及环绕在内区域外周的外区域，所述内区域位于发光区域的中部，所述外区域与内区域之间具有环形的隔离区域，所述隔离区域环绕在内区域的外周布置，所述隔离区域的宽度大于0.7mm；
[0008]2)、在所述内区域上固晶多个内发光芯片，沿着所述内区域的径向，相邻的内发光芯片之间具有内间隔；在所述外区域上固晶多个外发光芯片，沿着所述外区域的径向，相邻的外发光芯片之间具有外间隔，所述外间隔大于内间隔；
>[0009]3)、在所述发光区域的外周设置围坝，所述围坝环绕在发光区域的外周，所述围坝环绕围合形成围合区域，所述发光区域位于围合区域的内部；
[0010]4)、在所述围合区域内填充荧光胶，所述荧光胶覆盖了发光区域，且覆盖了内发光芯片以及外发光芯片。
[0011]进一步的，所述内区域的中心位置与发光区域的中心位置重合，所述制造步骤2)中，所述内区域的中心位置布置有所述内发光芯片。
[0012]进一步的，所述制造步骤2)中，多个所述内发光芯片呈环绕状布置，形成内发光环，所述内发光环环绕在内区域的中心位置的外周；所述内发光环中，相邻的内发光芯片之间具有内发光间隔。
[0013]进一步的，所述制造步骤2)中，多个所述内发光芯片形成多个所述内发光环，多个所述内发光环依序嵌套布置。
[0014]进一步的，沿着内区域的自内而外的径向，所述内发光环的内发光间隔逐渐增大。
[0015]进一步的，所述制造步骤2)中，多个所述外发光芯片呈环绕状布置，形成外发光环，所述外发光环沿着外区域的环绕方向环绕布置；所述外发光环中，相邻的外发光芯片之
间具有外发光间隔。
[0016]进一步的，所述制造步骤2)中，多个所述外发光芯片形成多个所述外发光环，多个所述外发光环依序嵌套布置。
[0017]进一步的，沿着外区域的自内而外的径向，所述外发光环的外发光间隔逐渐缩小，且所述外发光间隔大于内发光间隔。
[0018]进一步的，所述制造步骤4)中，在所述发光区域布置荧光胶之前，在所述隔离区域的底部凸设阻挡光透射过去的隔光层，所述隔光层具有背离基板布置的上端面，所述隔光层的上端面分别高于内发光芯片以及外发光芯片布置；
[0019]所述隔光层的上端面朝下凹陷，形成多个相邻布置的凹陷环槽，所述凹陷环槽沿着隔离区域的环绕方向环绕布置，所述凹陷环槽的底部分别高于内发光芯片以及外发光芯片布置；
[0020]在所述隔光层上布置透光层，所述透光层的底部嵌入在隔光层的多个凹陷环槽中，所述透光层的顶部朝上延伸；
[0021]当布置所述隔光层以及透光层后，再在所述发光区域内点荧光胶，所述荧光胶夹持着隔光层以及透光层，且所述透光层的顶部高于荧光胶布置。
[0022]进一步的，所述透光层的透光率小于荧光胶的透光率，沿着透光层的两侧至透光层的中部的方向，所述透光层的透光率逐渐增大；
[0023]所述荧光胶包括覆盖在内区域中的内部胶以及覆盖在外区域的外部胶，所述内部胶的外周与透光层的内侧之间涂覆有颗粒状的内漫射层，所述外部胶的内周与透光层的外侧之间涂覆有颗粒状的外漫射层。
[0024]与现有技术相比，本专利技术提供的高中心亮度光源的制造方法，在面对需要使用高中心亮度光源时，通过将多个内发光芯片固晶在内区域，多个外发光芯片固晶在外发光区域，同时内区域中相邻发光芯片的间隔小于外区域相邻发光芯片间隔，使得这样制造的光源具有中心照度强，中心光强大的优点。
附图说明
[0025]图1是本专利技术提供的高中心亮度光源的俯视示意图；
[0026]图2是本专利技术提供的高中心亮度光源的剖切示意图；
[0027]图3是本专利技术提供的隔光层、透光层以及内漫射层结合的主视示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合
适的方式结合。
[0030]参照图1
‑
3所示，为本专利技术提供的较佳实施例。
[0031]本专利技术是这样实现的，高中心亮度光源的制造方法，包括以下制造步骤：
[0032]1)、提供基板50，基板50上具有发光区域，发光区域包括内区域10以及环绕在内区域10外周的外区域20，内区域10位于发光区域的中部，外区域20与内区域10之间具有环形的隔离区域12，隔离区域12环绕在内区域10的外周布置，隔离区域12的宽度大于0.7mm；
[0033]2)、在内区域10上固晶多个内发光芯片11，沿着内区域10的径向，相邻的内发光芯片11之间具有内间隔13；在外区域20上固晶多个外发光芯片21，沿着外区域20的径向，相邻的外发光芯片21之间具有外间隔23；外间隔23大于内间隔13；
[0034]3)、在发光区域的外周设置围坝22，围坝22环绕在发光区域的外周，围坝22环绕围合形成围合区域，发光区域位于围合区域的内部；
[0035]4)、在围合区域内填充荧光胶，荧光胶覆盖了发光区域，且覆盖了内发光芯片11以及外发光芯片21。
[0036]上述提供的高中心亮度光源的制造方法，在面对需要使用高中心亮度光源时，通过将多个内发光芯片11固晶在内区域10，多个外发光芯片21固晶在外区域20，同时内区域10中相邻内发光芯片11的间隔小于外区域20相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，包括以下制造步骤：1)、提供基板，所述基板上具有发光区域，所述发光区域包括内区域以及环绕在内区域外周的外区域，所述内区域位于发光区域的中部，所述外区域与内区域之间具有环形的隔离区域，所述隔离区域环绕在内区域的外周布置，所述隔离区域的宽度大于0.7mm；2)、在所述内区域上固晶多个内发光芯片，沿着所述内区域的径向，相邻的内发光芯片之间具有内间隔；在所述外区域上固晶多个外发光芯片，沿着所述外区域的径向，相邻的外发光芯片之间具有外间隔，所述外间隔大于内间隔；3)、在所述发光区域的外周设置围坝，所述围坝环绕在发光区域的外周，所述围坝环绕围合形成围合区域，所述发光区域位于围合区域的内部；4)、在所述围合区域内填充荧光胶，所述荧光胶覆盖了发光区域，且覆盖了内发光芯片以及外发光芯片。2.如权利要求1所述的高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，所述内区域的中心位置与发光区域的中心位置重合，所述制造步骤2)中，所述内区域的中心位置布置有所述内发光芯片。3.如权利要求1任一项所述的高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，所述制造步骤2)中，多个所述内发光芯片呈环绕状布置，形成内发光环，所述内发光环环绕在内区域的中心位置的外周；所述内发光环中，相邻的内发光芯片之间具有内发光间隔。4.如权利要求3所述的高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，所述制造步骤2)中，多个所述内发光芯片形成多个所述内发光环，多个所述内发光环依序嵌套布置。5.如权利要求4所述的高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，沿着内区域的自内而外的径向，所述内发光环的内发光间隔逐渐增大。6.如权利要求1至5任一项所述的高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，所述制造步...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，刘建强，陶洪波，郭学风，吴奇，
申请(专利权)人：深圳市同一方光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：