一种LED膜层的返工处理方法技术

本发明专利技术公开一种LED膜层的返工处理方法，使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源，所述预设震荡频率为8～12次/分钟；将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源，并使用去胶液以及异丙醇去除所述冲洗后的待返工片源上的残留物，得到去除后的待返工片源；对所述去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源；在所述彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，得到返工后的片源，以此无需对ITO导电层和金属层进行返工，可保持沉积前表面洁净干燥，确保了重新沉积的二氧化硅绝缘层的质量，从而减少了返工工序，并降低了返工成本。工成本。工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED膜层的返工处理方法


[0001]本专利技术涉及半导体电子
，尤其涉及一种LED膜层的返工处理方法。

技术介绍

[0002]发光二极管，简称为LED，是一种常用的半导体发光器件。在LED芯片工艺中常用SiO2(二氧化硅)作为芯片保护及提高发光效率的透明绝缘层，如图2所示，结构上包括SiO2绝缘层1、ITO导电层3、N金属电极4、N型氮化镓5、蓝宝石衬底6、量子阱7、P型氮化镓8和P金属电极9。
[0003]二氧化硅作为芯片的绝缘性保护层，需要有良好的绝缘性能，而如果二氧化硅膜质异常会影响电性，在需要进行返工处理，首先需用BOE溶液2去除SiO2绝缘层，如图2所示，其次用王水去除上层金属层，用Cr(铬)蚀刻液去除底层金属铬，再用ITO蚀刻液去除ITO导电层，然后一层一层重新生长ITO导电层、各金属层及SiO2绝缘层，工序十分繁琐，且返工成本较高，影响生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种LED膜层的返工处理方法，能够减少返工工序，并降低返工成本。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：
[0006]一种LED膜层的返工处理方法，包括步骤：
[0007]使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源，所述预设震荡频率为8～12次/分钟；
[0008]将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源，并使用去胶液以及异丙醇去除所述冲洗后的待返工片源上的残留物，得到去除后的待返工片源；
[0009]对所述去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源；
[0010]在所述彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，得到返工后的片源。
[0011]本专利技术的有益效果在于：使用BOE溶液按照8～12次/分钟的震荡频率对待返工片源进行腐蚀，将腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，并使用去胶液以及异丙醇去除冲洗后的待返工片源上的残留物，对去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源，在彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，以此利用低频震荡减少BOE溶液对开孔裸露的金属层的腐蚀，无需对ITO导电层和金属层进行返工，后续采用去胶液和异丙醇能够彻底去除片源上的有机污染物，最后对片源进行冲水甩干，可保持沉积前表面洁净干燥，确保了重新沉积的二氧化硅绝缘层的质量，从而减少了返工工序，并降低了返工成本。
附图说明
[0012]图1为本专利技术实施例的一种LED膜层的返工处理方法的步骤流程图；
[0013]图2为使用BOE溶液返工LED的示意图。
[0014]标号说明：
[0015]1、SiO2绝缘层；2、BOE溶液；3、ITO导电层；4、N金属电极；5、N型氮化镓；6、蓝宝石衬底；7、量子阱；8、P型氮化镓；9、P金属电极。
具体实施方式
[0016]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0017]请参照图1，本专利技术实施例提供了一种LED膜层的返工处理方法，包括步骤：
[0018]使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源，所述预设震荡频率为8～12次/分钟；
[0019]将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源，并使用去胶液以及异丙醇去除所述冲洗后的待返工片源上的残留物，得到去除后的待返工片源；
[0020]对所述去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源；
[0021]在所述彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，得到返工后的片源。
[0022]从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：使用BOE溶液按照8～12次/分钟的震荡频率对待返工片源进行腐蚀，将腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，并使用去胶液以及异丙醇去除冲洗后的待返工片源上的残留物，对去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源，在彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，以此利用低频震荡减少BOE溶液对开孔裸露的金属层的腐蚀，无需对ITO导电层和金属层进行返工，后续采用去胶液和异丙醇能够彻底去除片源上的有机污染物，最后对片源进行冲水甩干，可保持沉积前表面洁净干燥，确保了重新沉积的二氧化硅绝缘层的质量，从而减少了返工工序，并降低了返工成本。
[0023]进一步地，所述使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源之前包括步骤：
[0024]在待返工片源的金属孔涂上光刻胶，得到涂胶后的待返工片源。
[0025]由上述描述可知，在待返工片源的金属孔涂上光刻胶，能够利用光刻胶保护片源上金属孔内的金属层。
[0026]进一步地，所述在待返工片源的金属孔涂上光刻胶，得到涂胶后的待返工片源包括：
[0027]在待返工片源上涂覆光刻胶，并按照500～600r/min的转速进行浸润50～60s；
[0028]浸润后，按照2000～3000r/min的转速将所述光刻胶均匀平铺在所述待返工片源上，得到平铺了光刻胶的待返工片源；
[0029]使用光刻板对所述平铺了光刻胶的待返工片源进行定位曝光，得到曝光后的待返工片源；
[0030]使用显影液去除所述曝光后的待返工片源上的多余光刻胶，得到涂胶后的待返工片源。
[0031]由上述描述可知，将除了金属孔以外的多余光刻胶去除，只保留刚好覆盖金属孔的光刻胶，可有效地保护孔内的金属层，进一步避免了后续腐蚀对金属层的破坏，并且能够防止光刻胶阻挡需要腐蚀的部位。
[0032]进一步地，所述使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源包括：
[0033]将所述待返工片源放入BOE溶液中静置8～12s；
[0034]静置后，按照预设震荡频率对所述待返工片源进行上下震荡45～55s；
[0035]震荡后，将所述待返工片源在所述BOE溶液中静置8～12s，得到腐蚀后的待返工片源。
[0036]由上述描述可知，以此使得最终腐蚀的厚度为原SiO2绝缘层的厚度的1.1～1.3倍，比现有工艺要求1.8～2倍速的腐蚀量明显降低，通过调低震荡频率及腐蚀量，可避免由于高频率溶液震荡冲击对金属腐蚀的影响，同时仍可将表层的SiO2去除。
[0037]进一步地，所述将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源包括：
[0038]将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽使用上下同步给水模式进行冲洗，并通入2.5～3.5kg/cm2压力的氮气进行鼓泡200～260s后排放，得到冲洗后的待返工片源。
[0039]由上述描述可知，以此利用上下给水和鼓泡方式将残留的BOE溶液冲洗干净。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，包括步骤：使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源，所述预设震荡频率为8～12次/分钟；将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源，并使用去胶液以及异丙醇去除所述冲洗后的待返工片源上的残留物，得到去除后的待返工片源；对所述去除后的待返工片源进行冲水甩干，得到彻底清洁后的待返工片源；在所述彻底清洁后的待返工片源上重新沉积二氧化硅绝缘层并露出金属电极，得到返工后的片源。2.根据权利要求1所述的一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，所述使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源之前包括步骤：在待返工片源的金属孔涂上光刻胶，得到涂胶后的待返工片源。3.根据权利要求2所述的一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，所述在待返工片源的金属孔涂上光刻胶，得到涂胶后的待返工片源包括：在待返工片源上涂覆光刻胶，并按照500～600r/min的转速进行浸润50～60s；浸润后，按照2000～3000r/min的转速将所述光刻胶均匀平铺在所述待返工片源上，得到平铺了光刻胶的待返工片源；使用光刻板对所述平铺了光刻胶的待返工片源进行定位曝光，得到曝光后的待返工片源；使用显影液去除所述曝光后的待返工片源上的多余光刻胶，得到涂胶后的待返工片源。4.根据权利要求1所述的一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，所述使用BOE溶液按照预设震荡频率对待返工片源进行腐蚀，得到腐蚀后的待返工片源包括：将所述待返工片源放入BOE溶液中静置8～12s；静置后，按照预设震荡频率对所述待返工片源进行上下震荡45～55s；震荡后，将所述待返工片源在所述BOE溶液中静置8～12s，得到腐蚀后的待返工片源。5.根据权利要求1所述的一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，所述将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽进行冲洗，得到冲洗后的待返工片源包括：将所述腐蚀后的待返工片源放入清洗槽使用上下同步给水模式进行冲洗，并通入2.5～3.5kg/cm2压力的氮气进行鼓泡200～260s后排放，得到冲洗后的待返工片源。6.根据权利要求1所述的一种LED膜层的返工处理方法，其特征在于，所述使用去胶液以及异丙醇去除所述冲洗后的待返工片源上的残留物，得到去除后的待返工片源包括：将所述冲洗后的待返工片源放入去胶槽静置8...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪加添，林展成，黄秀兰，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：