引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法，能够避免由焊接造成的不必要的变形及损坏。引线框架具有：支承部，其一个端部设有第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分；引脚；以及散热板，其在所述第二部分处被焊接于所述支承部。该引线框架的制造方法包括：由金属板成形出框架部件的工序，所述框架部件具有支承部和引脚，所述支承部的一个端部设有第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分；以及在所述第二部分处将散热板焊接于所述支承部的工序。所述支承部的工序。所述支承部的工序。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法


[0001]本专利技术涉及引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已知有一种半导体装置，其将例如IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片等半导体元件搭载于金属制的引线框架。即，例如将半导体元件搭载在设于引线框架中央的面状芯片垫上，该半导体元件例如通过引线键合(wire bonding)与设于芯片垫周围的多个引脚连接。并且，有时对搭载于引线框架的半导体元件使用例如环氧树脂等树脂进行封装，从而形成半导体装置。
[0003]在这种引线框架中，存在不设置芯片垫，而通过将散热板接合在具有多个引脚的框架部件上而构成的引线框架。即，有时通过例如焊接，将板厚厚于框架部件的散热板接合在由金属制的薄板形成的框架部件的中央，并将半导体元件直接搭载于该散热板上。通过这样，能够以简单的结构高效地释放半导体元件产生的热量。
[0004]专利文献1：日本特开平08
‑
162590号公报
[0005]专利文献2：日本特开平10
‑
144852号公报

技术实现思路

[0006]然而，存在以下问题：在将散热板接合于框架部件时，存在框架部件或散热板因热量而产生变形或损坏的风险。即，在像接合框架部件和散热板这种接合微型部件时，存在采用激光焊接的情况，由于将激光长时间照射于待接合的框架部件及散热板，有时热量被传递至接合部分的周围，并产生热变形等情况。特别是，在框架部件与散热板重合的部分进行激光焊接时，存在激光照射直至贯穿由薄板形成的框架部件的情况，使得接合部分周围的框架部件变形，或者散热板损坏
[0007]另一方面，为了避免这种变形或损坏，而抑制激光的输出功率或缩短激光的照射时长，则框架部件与散热板的焊接不够充分，导致引线框架及半导体装置的品质的下降。
[0008]公开的技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够避免由焊接造成的不必要的变形及损坏的引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法。
[0009]本申请公开的引线框架在一个形态中，具有：支承部，其一个端部设有第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分；引脚；以及散热板，其在所述第二部分处被焊接于所述支承部。
[0010]根据本申请公开的引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法的一个形态，能够获得避免由焊接造成的不必要的变形及损坏的效果。
附图说明
[0011]图1(a)和图1(b)是表示一实施方式涉及的引线框架的结构的图。
[0012]图2是表示焊接部的结构的立体图。
[0013]图3是表示焊接部的截面的具体示例的图。
[0014]图4(a)、图4(b)和图4(c)是表示焊接部的截面形状的具体示例的图。
[0015]图5是表示引线框架的制造方法的流程图。
[0016]图6是表示成形工序的具体示例的图。
[0017]图7是表示薄部形成工序的具体示例的图。
[0018]图8是表示电镀加工工序的具体示例的图。
[0019]图9是表示激光焊接工序的具体示例的图。
[0020]图10是表示焊接部的表面加工的具体示例的图。
[0021]图11(a)和图11(b)是表示半导体装置的结构的具体示例的图。
[0022]图12(a)和图12(b)是表示其他实施方式涉及的引线框架的结构的图。
[0023]图13(a)和图13(b)是表示半导体装置的结构的其他具体示例的图。
[0024]图14(a)和图14(b)是表示焊接部的变形例的立体图。
[0025]图15(a)、图15(b)和图15(c)是表示焊接部的其他变形例的立体图。
[0026]图16(a)和图16(b)是表示焊接部的另一种其他变形例的立体图。
[0027]图17是表示半导体装置的结构的具体示例的图。
[0028]图18(a)和图18(b)是表示其他实施方式涉及的焊接部的结构的图。
[0029]符号说明
[0030]100 引线框架
[0031]110 框体
[0032]120 支承杆
[0033]120a 焊接部
[0034]121 薄部
[0035]122 残存部
[0036]122a 贯穿孔
[0037]130 引脚
[0038]140 连接杆
[0039]150 散热板
[0040]210 半导体芯片
[0041]220 模塑树脂
[0042]230 金属丝
具体实施方式
[0043]下面，参照附图对本申请公开的引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法的一实施方式进行详细说明。此外，本专利技术不限于该实施方式。
[0044]图1(a)和图1(b)是表示一实施方式涉及的引线框架100的结构的图。图1(a)是引线框架100的俯视图，图1(b)是图1(a)的I
‑
I线截面图。
[0045]引线框架100具有在框架部件上接合有散热板150的结构，所述框架部件具有框体110、支承杆120、引脚130及连接杆140。框架部件由例如厚度为0.1～0.25mm左右的铜或铜合金等金属的板状部件形成。而，散热板150是板厚比形成框架部件的板状部件厚的、例如
厚度为1mm以上的铜或铜合金等金属板。
[0046]框体110规定出一个引线框架100的外周，并经由连接杆140来对支承杆120及多个引脚130进行支承。在制造引线框架100时，作为通过框体110连接多个引线框架100的引线框架的集合体进行制造。然后，在引线框架100上搭载了半导体芯片并由树脂封装后，多个引脚130之间以及引脚130与支承杆120之间的连接杆140被切断。接下来，通过将包含支承杆120、多个引脚130及散热板150的部分从框体110切开，从而得到分割成单片的半导体装置。支承杆120为长条状的金属板，具有一个端部和另一个端部。引脚130为长条状的金属板，具有一个端部和另一个端部。
[0047]支承杆120是在引线框架100的宽度方向的中央，从长度方向的两端向中央延伸的一对支承部，其在位于引线框架100中央的端部(以下称作“中央侧端部”)支承散热板150。即，一对支承杆120的与散热板150重合的一个端部形成为焊接部，并在形成于焊接部的薄部121处，散热板150的用于搭载半导体芯片的搭载面150a被焊接。
[0048]薄部121为位于支承杆120的中央侧端部的焊接部中，板厚比其他部分薄的部分。在图1(a)和图1(b)中所示的示例中，薄部121形成于焊接部的宽度方向的两端，薄部121的板厚比被薄部121夹在中间的中央部分薄。
[0049]图2是表示位于支承杆120的中央侧端部的焊接部120a的结构的立体图。
[0050]焊接部120a位于从支承杆120的中央侧的前端起算约1mm的范围内，包括薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：支承部，其一个端部设有第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分；引脚；以及散热板，其在所述第二部分处被焊接于所述支承部。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述支承部包括：所述第一部分，其设于所述一个端部的宽度方向的中央；以及所述第二部分，其形成于所述第一部分的两侧。3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述支承部包括：所述第一部分，其设于所述一个端部的宽度方向的中央；以及所述第二部分，其设于所述第一部分的两侧以及所述一个端部的前端。4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述支承部包括：所述第一部分；以及被所述第一部分分割出的多个所述第二部分。5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述支承部包括：所述第一部分，其设于所述一个端部的前端；以及所述第二部分，其设于比所述第一部分靠所述支承部的另一个端部侧的位置。6.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一部分具有贯穿孔。7.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述支承部包括一侧的面和另一侧的面，所述第二部分为形成在所述一侧的面上的凹部。8.根据权利要求7所述的引线框架，其特征在于，所述支承部的第二部分的所述另一侧的面与散热板的一个面焊接。9.一种半导体装置，其特征在于，具有：引线框架；半导体元件，其搭载于所述引线框架；以及封装树脂，其用于封装所述半导体元件，所述引线框架具有：支承部，其一个端部设有第一部分以及厚度比所述第一部分薄的第二部分；引脚；以及散热板，其在所述第二部分处被焊接于所述支承部，所述半导体元件搭载于所述散热板的一个面上，并与所述引脚连接。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述支承部包括：所述第一部分，其设于所述一个端部的宽度方向的中央；以及
所述第二部分，其形成于所述第一部分的两侧。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：出冈淳，石田公一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：