带有高度差的两片式同步整流封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了带有高度差的两片式同步整流封装结构，包括引线框架，引线框架包括：第一基岛，通过第一引脚安装在框架主体上；第二基岛，通过第二引脚安装在框架主体上；第一基岛和第二基岛不处于同一个水平面上，具有高度差，本实用新型专利技术利用第一基岛和第二基岛存在高度差，即内置电容的内接线端可以处于悬空状态，相较于现有在基岛上开口或缺口的方式放置内接线端，可以达到良好的隔开效果；且由于采用高度差的形式，使得内置电容的内接线端从高度较高基岛的一侧露出，露出的部分处于高度较低基岛的上部并悬空，减少两个基岛之间的间距，进而可以减少整体的尺寸。进而可以减少整体的尺寸。进而可以减少整体的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
带有高度差的两片式同步整流封装结构


[0001]本技术涉及集成电路封装
，具体涉及带有高度差的两片式同步整流封装结构。

技术介绍

[0002]同步整流方法是由控制IC、功率MOSFET及其附属电路组成，从而实现低损耗整流的新技术。
[0003]中国专利CN207966978U公开了带封闭式缺口的两片式同步整流二极管，通过第二框架有两个外置引脚，第二框架上设有封闭式缺口，控制IC芯片固定在第二框架，内置电容的外接线端连接第二框架上，内接线端位于封闭式缺口处；第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、内置电容之间通过键合线连接；简单来说，通过采用两片式封装的形式，定制两个带有基岛的框架，分别安装控制IC芯片和功率MOSFET芯片，然后通过键合的方式，实现电路的连接；
[0004]而采用上述的键合方式，由于需要定制两个框架，成本较高，且会导致整体的尺寸过大，且两者在不同的框架上，需要对不同的框架进行固定，然后再分别安装、键合、塑封、切单和电性检查等工序，然后完成整体的生产过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.带有高度差的两片式同步整流封装结构，包括引线框架，其特征在于，引线框架包括：第一基岛(4)，通过第一引脚(2)安装在框架主体(1)上，并作为MOSFET芯片(7)的载体；第二基岛(5)，通过第二引脚(3)安装在框架主体(1)上，并作为IC芯片(9)和内置电容(8)的载体；第一基岛(4)和第二基岛(5)具有高度差。2.根据权利要求1所述的带有高度差的两片式同步整流封装结构,其特征在于，第一基岛(4)顶面的高度低于第二基岛(5)顶面的高度。3.根据权利要求1所述的带有高度差的两片式同步整流封装结构,其特征在于，第一引脚(2)等间距设置有多个，第二引脚(3)等间距设置有多个。4.根据权利要求1所述的带有高度差的两片式...

【专利技术属性】
技术研发人员：李联勋，
申请(专利权)人：安徽积芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：