硅基氮化镓高压产品框架及基于其的封装结构和封装方法技术

本发明专利技术公开了硅基氮化镓高压产品框架及基于其的封装结构和封装方法，该硅基氮化镓高压产品框架包括框架，框架上的芯片放置区放置有若干个芯片，框架上的非芯片放置区设置高可靠性结构，框架上的打线位置进行电镀处理，非打线位置不电镀。本发明专利技术中，在框架结构设计、Wafer晶圆厚度减薄设计、粘片胶类型选择等方面进行创新：在进行框架结构设计时，仅在框架引脚及框架基岛上需要打线的位置进行电镀，非打线位置不做电镀处理，在非芯片放置区增加高可靠性结构设计，提高产品的可靠性，在封装时，增加Wafer晶圆减薄厚度，避免在加工过程中出现Wafer表面有裂纹，引入高导热的粘片胶，满足GaN

【技术实现步骤摘要】
硅基氮化镓高压产品框架及基于其的封装结构和封装方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片封装
，具体涉及硅基氮化镓高压产品框架及基于其的封装结构和封装方法。

技术介绍

[0002]近年来，半导体行业发展迅速，氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等优异的物理特性，在提高能效、系统小型化、提高耐压等方面给产业应用带来巨大的系统优势，应用前景非常广阔。随着规模化生产技术的成熟，GaN将成为未来功率半导体的主流，并将在消费电子、数据中心、5G基站、新能源车等多个领域大放光彩。
[0003]在半导体领域，功率半导体器件在功率与能源的分配和管理上至关重要，功率半导体器件自身性能的提高是推动功率系统在功率密度、功率效率、工作频率、可靠性等多方面性能提高的源动力。硅基氮化镓(GaN
‑
on
‑
Si)材料的本身特性决定了功率半导体器件具有击穿电压高、导通电流密度大、输出功率密度高、工作频率高、开关恢复特性好、功率效率高及高温工作特性优良等优点。随着对高速、高温、高压和大功率半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基氮化镓高压产品框架，其特征在于，包括框架，所述框架上的芯片放置区放置有若干个芯片，所述框架上的非芯片放置区设置有高可靠性结构，所述框架上的打线位置进行电镀处理，非打线位置不电镀。2.根据权利要求1所述的硅基氮化镓高压产品框架，其特征在于，所述芯片通过粘片胶粘接于框架上，所述粘片胶的热导率≥75W/mK。3.根据权利要求1所述的硅基氮化镓高压产品框架，其特征在于，所述框架上的芯片的边缘设置有防溢胶槽，所述防溢胶槽的宽度≥0.10mm。4.根据权利要求1所述的硅基氮化镓高压产品框架，其特征在于，所述高可靠性结构包括设置于框架正面的若干个正面通孔、设置于框架引脚根部的若干个正面凹坑、设置于框架上基岛边缘的锯齿以及设置于框架正面的若干个正面半蚀刻凹坑。5.根据权利要求4所述的硅基氮化镓高压产品框架，其特征在于，所述正面通孔的尺寸不小于框架的厚度，所述正面凹坑的直径≥0.10mm，所述正面凹坑呈圆形、椭圆形或方形结构，所述锯齿的半径≥0.075mm。6.一种封装结构，其特征在于，包括权利要求1
‑
5任一所述的硅基氮化镓高压产品框架，所述框架上通过不同或相同类型的粘片胶粘接有若干个芯片，所述框架和芯片被塑封于塑封体内，所述芯片之间设计防溢胶槽，所述芯片与框架之间以及芯片与芯片之间通过WB线进行电连接。7.一种封装方法，其特征在于，包括以下步骤：1)框架设计在框架上的非芯片放置区进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳荣，李万霞，吕海兰，郭小伟，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：