半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

目的在于得到能够稳定地接合将半导体芯片和框架电连接的引线的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明专利技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；框架；凸起，其从所述框架凸出；引线，在引线形成供所述凸起插入的凸起插入部，该引线与所述框架直接接触，该引线将所述半导体芯片和所述框架电连接；以及第1接合材料，其将所述凸起和所述引线接合。其将所述凸起和所述引线接合。其将所述凸起和所述引线接合。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了如下半导体装置，该半导体装置具有芯片焊盘部、与芯片焊盘部隔离开的引线部，该芯片焊盘部具有芯片搭载面。芯片的第1电极经由第1导电性接合材料接合于芯片搭载面。另外，连接件的一个端部经由第2导电性接合材料与芯片的第2电极接合，另一个端部经由第3导电性接合材料与引线部接合。引线部具有凸部，该凸部向引线部的厚度方向凸出，并且横截面积随着朝向前端而变小。连接件具有形成于另一个端部的贯穿孔。贯穿孔在凸部的规定高度位置嵌至凸部。
[0003]专利文献1：日本特开2018
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152468号公报
[0004]在专利文献1中，引线部所具有的凸部与形成于连接件的贯穿孔的内侧接触。因此，在贯穿孔的直径小的情况下，在凸部的直径大的情况下，在连接件相对于引线部倾斜地搭载的情况下，或在接合材料少的情况下等，连接件与引线部之间有可能没有被接合材料充分地填满，得不到充分的接合强度。

技术实现思路

[0005]本专利技术是就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到能够稳定地接合将半导体芯片和框架电连接的引线的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0006]第1专利技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；框架；凸起，其从所述框架凸出；引线，在该引线形成供所述凸起插入的凸起插入部，该引线与所述框架直接接触，该引线将所述半导体芯片和所述框架电连接；以及第1接合材料，其将所述凸起和所述引线接合。
[0007]第2专利技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；壳体，其收容所述半导体芯片；框架；以及引线，其通过接合材料与所述框架的主面接合，将所述半导体芯片和所述框架电连接，所述壳体具有从所述主面凸出的凸部，所述凸部设置于所述主面和所述引线之间的接合部的周围。
[0008]在第3专利技术涉及的半导体装置的制造方法中，将半导体芯片和引线电连接，将从框架凸出的凸起插入至形成于所述引线的凸起插入部，在使所述框架和所述引线直接接触而电连接的状态下，将所述凸起和所述引线接合。
[0009]在第4专利技术涉及的半导体装置的制造方法中，将框架嵌入成形于收容半导体芯片的壳体，在所述壳体形成从所述框架的主面凸出的凸部，通过接合材料将所述主面和引线接合，通过所述引线将所述半导体芯片和所述框架电连接，所述凸部设置于所述主面和所述引线之间的接合部的周围。
[0010]专利技术的效果
[0011]在第1专利技术涉及的半导体装置及第3专利技术涉及的半导体装置的制造方法中，能够使框架与引线直接接触而将凸起和引线接合。因此，能够稳定地将引线和凸起接合。
[0012]在第2专利技术涉及的半导体装置及第4专利技术涉及的半导体装置的制造方法中，凸部设置于框架的主面和引线之间的接合部的周围。因此，在接合材料熔融时能够对接合面积进行限制。因此，能够稳定地将引线和框架接合。
附图说明
[0013]图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图。
[0014]图2是通过用A
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A直线将图1截断而得到的剖视图。
[0015]图3是实施方式2涉及的半导体装置的斜视图。
[0016]图4是实施方式3涉及的半导体装置的斜视图。
[0017]图5是实施方式5涉及的半导体装置的斜视图。
[0018]图6是通过用A
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A直线将图5截断而得到的剖视图。
[0019]图7是说明实施方式5涉及的半导体装置的整体结构的斜视图。
[0020]图8是实施方式6涉及的半导体装置的斜视图。
[0021]图9是实施方式7涉及的半导体装置的斜视图。
[0022]图10是表示凸起倾斜的状态的图。
[0023]图11是实施方式8涉及的半导体装置的斜视图。
[0024]图12是通过用A
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A直线将图11截断而得到的剖视图。
具体实施方式
[0025]参照附图，对各实施方式涉及的半导体装置及半导体装置的制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复的说明。
[0026]实施方式1
[0027]图1是实施方式1涉及的半导体装置100的斜视图。图2是通过用A
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A直线将图1截断而得到的剖视图。就半导体装置100而言，通过接合材料12将半导体芯片20接合于电路图案10的上表面。通过接合材料14将引线40接合于半导体芯片20的上表面。
[0028]引线40将半导体芯片20和框架30电连接。凸起32从框架30的主面凸出。在引线40形成供凸起32插入的凸起插入部44。本实施方式的凸起插入部44是将引线40从上表面贯穿至背面的贯穿孔。引线40与框架30直接接触。具体而言，框架30的主面和引线40的背面进行面接触。接合材料16将凸起32和引线40接合。接合材料16设置于形成凸起插入部44的引线40的侧面和凸起32之间。
[0029]半导体芯片20例如是电力用半导体芯片。优选电路图案10、框架30及引线40例如由Al、Cu、Au等金属形成。也可以在引线40形成使接合材料14露出的开口42。开口42是为了注入接合材料14而设置的。另外，引线40的凸起插入部44的直径比凸起32的直径大。凸起32被固定于框架30。凸起32也可以是框架30的一部分。
[0030]接合材料12、14是焊料等导电性接合材料。接合材料16可以是焊料，也可以是硅橡胶等非导电性接合材料。接合材料16也可以与框架30接触。
[0031]对本实施方式涉及的半导体装置100的制造方法进行说明。半导体装置100的制造方法包含以下第1～第3工序。第1工序在第2工序及第3工序之前实施。第2工序和第3工序也可以同时实施。
[0032]第1工序是准备半导体芯片20、框架30、引线40的工序。框架30是与半导体芯片20分离地设置的，凸起32从主面向厚度方向凸出。引线40为板状，在一个或两个端部形成开口。
[0033]在第2工序中，将半导体芯片20和引线40电连接。具体而言，经由接合材料14将引线40接合于半导体芯片20。通过对半导体装置100整体进行加热，对引线40和半导体芯片20进行加热，或对接合材料14照射激光而进行加热，从而使接合材料14熔融。由此，将引线40和半导体芯片20接合。
[0034]在第3工序中，将凸起32插入至形成于引线40的凸起插入部44，在使框架30和引线40直接接触而电连接的状态下，通过接合材料16将凸起32和引线40接合。通过对半导体装置100整体进行加热，对引线40和框架30进行加热，或对接合材料16照射激光，从而使接合材料16熔融。由此，将引线40和凸起32接合。在接合材料16为非导电性的情况下，接合材料16被加热而固化，将引线40和凸起32接合。
[0035]接着，对本实施方式的效果进行说明。在本实施方式中，由于将凸起32插入至引线40的凸起插入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；框架；凸起，其从所述框架凸出；引线，在该引线形成供所述凸起插入的凸起插入部，该引线与所述框架直接接触，该引线将所述半导体芯片和所述框架电连接；以及第1接合材料，其将所述凸起和所述引线接合。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1接合材料设置于形成所述凸起插入部的所述引线的侧面和所述凸起之间。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第1接合材料为非导电性。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述框架和所述引线进行面接触。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述引线和所述半导体芯片通过第2接合材料进行接合，在所述引线形成使所述第2接合材料露出的开口。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起插入部为贯穿孔。7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起插入部为非贯穿孔。8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起插入部为在所述引线的端部形成的切口。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述引线形成多个所述凸起插入部。10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述框架和所述凸起为同一部件，由相同材料形成。11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，具有壳体，该壳体收容所述半导体芯片，所述凸起为所述壳体的一部分。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起将所述框架贯穿而从所述框架凸出。13.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起为非导电性。14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凸起插入部在沿所述凸起从所述框架延伸的方向观察时为多边形，所述凸起在沿所述凸起从所述框架延伸的方向观察时为多边形，该凸起设置为妨碍所述引线以所述凸起为轴旋转。15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽雅臣，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：