加热装置及设备制造方法及图纸

一种加热装置及设备，加热装置包括：承载台，用于承载晶圆；多个分立的点加热源，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠。在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，有利于提高该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而有利于提高所述晶圆的良率。而有利于提高所述晶圆的良率。而有利于提高所述晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
加热装置及设备


[0001]本技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种加热装置及设备。

技术介绍

[0002]随着工艺技术及生产水平的提高，晶圆的尺寸越来越大，单个晶圆上芯片数量越来越多，所以加热装置中温度场的稳定性和均匀性对晶圆图形的均一性和器件性能有着更为重要的影响，从而对加热装置的要求越来越高。
[0003]加热装置在对晶圆加热过程中往往使晶圆受热不均匀，降低了晶圆的产品良率，是业界面临的主要挑战。

技术实现思路

[0004]本技术实施例解决的问题是提供一种加热装置及设备，有利于进一步提高晶圆的良率。
[0005]为解决上述问题，本技术实施例提供一种加热装置，其特征在于，包括：承载台，用于承载晶圆；多个分立的点加热源，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠。
[0006]相应的，本技术实施例还提供一种设备，包括利用本技术实施例提供的加热装置。
[0007]与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0008]本技术实施例提供一种加热装置，承载台用于承载晶圆；多个分立的点加热源，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠。本技术实施例通过使得任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠，有利于使所述承载台的各个区域受热均匀，所述承载台能够获得更加稳定的温度场，从而使承载台上承载的晶圆受热更加均匀，相应的，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，有利于提高该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而有利于提高所述晶圆的良率。
附图说明
[0009]图1是一种加热装置对应的俯视结构示意图；
[0010]图2是本技术加热装置对应的俯视结构示意图
具体实施方式
[0011]目前晶圆的良率有待提高。现结合一种加热装置对应的俯视结构示意图分析其性能有待提高的原因。
[0012]图1是一种加热装置对应的俯视结构示意图。
[0013]所述加热装置包括：承载台(图未示)，所述承载台包括沿第一方向(如图1中X方向所示)和第二方向(如图1中Y方向所示)呈矩阵排布的芯片承载区10、以及位于相邻所述芯片承载区10之间的划片区11，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述承载台用于承载晶圆；多个分立的点加热源12，设置于所述承载台的芯片承载区10中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热。
[0014]经研究发现，相邻所述点加热源12之间的距离过大，即任意相邻两个所述点加热源12对应形成的温度场不能重叠，相应的，在多个所述点加热源12对所述承载台加热的过程中，不能使所述承载台的各个区域受热均匀，相应的，增大了所述承载台获得更加稳定的温度场的难度，从而使承载台上承载的晶圆受热不均匀，相应的，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，影响了该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而降低了所述晶圆的良率。
[0015]为了解决技术问题，本技术实施例提供一种加热装置，其特征在于，包括：承载台，用于承载晶圆；多个分立的点加热源，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠。
[0016]本技术实施例通过使任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠，有利于使所述承载台的各个区域受热均匀，所述承载台能够获得更加稳定的温度场，从而使承载台上承载的晶圆受热更加均匀，相应的，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，有利于提高该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而有利于提高所述晶圆的良率。
[0017]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。
[0018]图2是本技术加热装置对应的俯视结构示意图。
[0019]所述加热装置包括：承载台(图未示)，用于承载晶圆；多个分立的点加热源102，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源102之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源102对应形成的温度场相互重叠。
[0020]本实施例通过使任意相邻两个所述点加热源102对应形成的温度场相互重叠，有利于使所述承载台的各个区域受热均匀，所述承载台能够获得更加稳定的温度场，从而使承载台上承载的晶圆受热更加均匀，相应的，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，有利于提高该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而有利于提高所述晶圆的良率。
[0021]本实施例中，所述承载台用于承载晶圆，利于后续对所述承载台上承载的晶圆进行加工工艺。
[0022]本实施例中，所述承载台包括沿第一方向(如图2中X方向所示)和第二方向(如图2中Y方向所示)呈矩阵排布的芯片承载区100、以及位于相邻所述芯片承载区100之间的划片区101，所述第一方向与所述第二方向相垂直。
[0023]需要说明的是，在半导体芯片封装工艺中，需要对晶圆进行切割，所述划片区101为晶圆切割过程中的切割通道，同时，所述划片区101也为多个分立的所述点加热源102提
供空间位置。
[0024]所述芯片承载区100与所述晶圆的芯片区相对应。其中，晶圆的芯片区中形成有各类半导体元器件，例如各种适当的晶体管、存储器、无源器件或者场效应管等。
[0025]本实施例中，所述承载台包括沿所述第一方向和第二方向呈矩阵排布的单元区103，每个所述单元区103包括多个芯片承载区100，且所述单元区103中的芯片承载区100呈2*2分布。
[0026]具体地，通过在所述承载台上设置多个单元区103，能够在所述承载台中定义出设置多个分立的点加热源的位置，使相邻所述点加热源102对应形成的加热场能够相互重叠，从而使所述承载台能够获得更加稳定的温度场。
[0027]本实施例中，所述承载台的材料包括氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷中的一种或两种。
[0028]具体地，氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷材料具有硬度高、耐磨性好、耐高温和防静电等特点，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，使承载台上承载的晶圆受热更加均匀，有利于提高晶圆的产品良率。
[0029]需要说明的是，本实施例中，所述点加热源用于对所述承载台进行加热、并经所述承载台对所述晶圆进行加热，使承载台上承载的晶圆受热更加均匀，相应的，在后续对承载台上承载的晶圆进行加工工艺的过程中，有利于提高该加工工艺的精确度和工艺窗口，进而有利于提高所述晶圆的良率。
[0030]本实施例中，多个分立的所述点加热源102位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：承载台，用于承载晶圆；多个分立的点加热源，设置于所述承载台中，用于对所述承载台进行加热、并经由所述承载台对所述晶圆进行加热，相邻所述点加热源之间的距离被配置为：任意相邻两个所述点加热源对应形成的温度场相互重叠。2.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述承载台包括沿第一方向和第二方向呈矩阵排布的芯片承载区、以及位于相邻所述芯片承载区之间的划片区，所述第一方向与所述第二方向相垂直；多个分立的所述点加热源位于所述划片区中，或者，多个分立的所述点加热源位于所述芯片承载区中。3.如权利要求2所述的加热装置，其特征在于，多个分立的所述点加热源位于所述划片区中，所述点加热源分别位于对角相邻的所述芯片承载区的顶角之间，且被两两相邻的四个所述芯片承载区共用。4.如权利要求3所述的加热装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：付宇鑫，柯星，王文泰，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：