一种Mosfet制造方法技术

本发明专利技术公开了一种Mosfet制造方法，具体半导体技术领域，包括主体，所述主体的顶端设置有安装台，所述主体的左右两端均设置有固定连接板，所述固定连接板的内侧均连接有连接隔板，所述固定连接板的顶端连接有顶板，所述安装台的顶端设置有移动涂胶机构，所述安装台的后端设置有曝光机构，所述安装台的左端设置有清洗显影机构，所述连接隔板的一端安装有烘干机构，所述顶板的底端设置有刻蚀沉积机构，所述安装台的右端安装有打磨抛光机构。本发明专利技术通过设置移动涂胶机构，通过移动底座在导轨上移动在导轨内的移动，使叉架带着硅片移动，方便硅片在各机构之间的移动转移，节约了人工成本，加快了对硅片的移动速度，提高了Mosfet的制作效率。制作效率。制作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种Mosfet制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，本专利技术涉及一种Mosfet制造方法。

技术介绍

[0002]半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间并且导电性可控的材料，而在我们的日常生活中提到的半导体基本是指半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域的应用，在各种半导体中Mosfet广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大，由于Mosfet的尺寸非常小，因此Mosfet既可以是核心也可以是集成电路，可以在单个芯片中进行设计和制造，Mosfet器件的引入带来了电子开关领域的变化，故此特别需要一种Mosfet制造方法。
[0003]在Mosfet的制造过程时，所需要进行涂胶、前烘、曝光、显影、刻蚀、沉积、清洗去胶、后烘、打磨等一系列的步骤，在这过程中，不通过的步骤往往需要使用不同的机械来完成，如果使用人工来进行步骤中硅片的移动中转，所需要的步骤就会比较繁琐，而且效率较为低下，会导致Mosfet的制造速度降低。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供一种Mosfet制造方法，以解决上述
技术介绍
中提出的在Mosfet的制造过程时，所需要进行涂胶、前烘、曝光、显影、刻蚀、沉积、清洗去胶、后烘、打磨等一系列的步骤，在这过程中，不通过的步骤往往需要使用不同的机械来完成，如果使用人工来进行步骤中硅片的移动中转，所需要的步骤就会比较繁琐，而且效率较为低下，会导致Mosfet的制造速度降低的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：包括主体、移动涂胶机构、烘干机构和打磨抛光机构，所述移动涂胶机构包括导轨、移动底座、伸缩杆、旋转台、叉架、放置承重杆、放置旋转轴、硅片放置盘、光刻胶存放箱和光刻胶涂抹管，所述烘干机构包括烘干箱体、烘干放置底板、烘干放置台、放置顶块、伸缩放置台、导热板和电热丝，所述打磨抛光机构包括打磨箱体、打磨放置底座、成品放置台、放置伸缩杆、固定放置板、成品放置槽、打磨安装块、打磨连接台、打磨伸缩杆、转轴、磨砂安装环和磨砂轮，其特征在于：所述主体的顶端设置有安装台，所述主体的左右两端均设置有固定连接板，所述固定连接板的内侧均连接有连接隔板，所述固定连接板的顶端连接有顶板，所述安装台的顶端设置有移动涂胶机构，所述安装台的后端设置有曝光机构，所述安装台的左端设置有清洗显影机构，所述连接隔板的一端安装有烘干机构，所述顶板的底端设置有刻蚀沉积机构，所述安装台的右端安装有打磨抛光机构。
[0006]在一个优选的实施方式中，所述移动涂胶机构包括导轨、移动底座、伸缩杆、旋转台、叉架、放置承重杆、放置旋转轴、硅片放置盘、光刻胶存放箱和光刻胶涂抹管，所述安装台的表面开设有导轨，所述导轨的内侧活动连接有移动底座，所述移动底座的顶端连接有伸缩杆，所述伸缩杆的顶端安装有旋转台，所述旋转台的顶端安装有叉架，所述安装台的顶
端固定安装有放置承重杆，所述放置承重杆的顶端连接有放置旋转轴，所述放置旋转轴的顶端安装有硅片放置盘。
[0007]在一个优选的实施方式中，所述硅片放置盘与放置旋转轴之间为焊接，所述硅片放置盘通过放置旋转轴与放置承重杆之间构成旋转结构。
[0008]在一个优选的实施方式中，所述曝光机构包括光刻主体、曝光放置台、曝光放置槽、紫外光源发生器、导光管、传导连接块、固定板、聚光筒支撑台、聚光筒和光掩膜放置架，所述所述安装台的后端安装有光刻主体，所述光刻主体的内部安装有曝光放置台，所述曝光放置台的顶端开设有曝光放置槽，所述曝光放置台的左侧设置有紫外光源发生器，所述紫外光源发生器的顶端安装有导光管，所述导光管的顶端连接有传导连接块，所述传导连接块的底端连接有固定板，所述固定板的左端安装有聚光筒支撑台，所述聚光筒支撑台的内侧均接有聚光筒，所述固定板的底端安装有光掩膜放置架。
[0009]在一个优选的实施方式中，所述清洗显影机构包括清洗主体、清洗放置台、清洗水箱、水泵、加压器、高压管、水剂混合箱、清洗显影喷头、显影液存放箱和显影液输送管，所述安装台的左端安装有清洗主体，所述清洗主体的内侧安装有清洗放置台，所述清洗放置台的左侧设置有清洗水箱，所述清洗水箱的顶端安装有水泵，所述水泵的右侧设置有加压器，所述加压器的左端连接有高压管，所述高压管的左端连接有水剂混合箱，所述水剂混合箱的底端安装有清洗显影喷头，所述清洗放置台的右侧设置有显影液存放箱，所述显影液存放箱的左端连接有显影液输送管。
[0010]在一个优选的实施方式中，所述烘干机构包括烘干箱体、烘干放置底板、烘干放置台、放置顶块、伸缩放置台、导热板和电热丝，所述连接隔板的顶端安装有烘干箱体，所述烘干箱体的内侧安装有烘干放置底板，所述烘干放置底板的顶端设置有烘干放置台，所述烘干放置台的顶端固定安装有放置顶块，所述放置顶块的内侧设置有伸缩放置台，所述烘干放置底板的外侧设置有导热板，所述导热板的外侧安装有电热丝。
[0011]在一个优选的实施方式中，所述电热丝与导热板之间为卡槽连接，所述电热丝关于导热板的中轴线对称设置。
[0012]在一个优选的实施方式中，所述刻蚀沉积机构包括底台、处理放置台、腐蚀液存放箱、抽液泵、腐蚀液输送管、输送连接块、输送连接管、腐蚀液喷头、化学气体存放箱、气体处理器、气体输送管和化学气体喷头，所述顶板的底端设置有底台，所述底台的顶端固定安装有处理放置台，所述处理放置台的左侧设置有腐蚀液存放箱，所述腐蚀液存放箱的顶端安装有抽液泵，所述抽液泵的顶端连接有腐蚀液输送管，所述腐蚀液输送管的顶端连接有输送连接块，所述输送连接块的底端连接有输送连接管，所述输送连接管的底端安装有腐蚀液喷头，所述处理放置台的右侧设置有化学气体存放箱，所述化学气体存放箱的顶端设置有气体处理器，所述气体处理器的底端连接有气体输送管，所述气体输送管的底端安装有化学气体喷头。
[0013]在一个优选的实施方式中，所述打磨抛光机构包括打磨箱体、打磨放置底座、成品放置台、放置伸缩杆、固定放置板、成品放置槽、打磨安装块、打磨连接台、打磨伸缩杆、转轴、磨砂安装环和磨砂轮，所述所述安装台的右端安装有打磨箱体，所述打磨箱体的内侧设置有打磨放置底座，所述打磨放置底座的顶端安装有成品放置台，所述成品放置台的内部安装有放置伸缩杆，所述放置伸缩杆的顶端安装有固定放置板，所述成品放置台的顶端开
设有成品放置槽，所述安装台的上方设置有打磨安装块，所述打磨安装块的底端连接有打磨连接台，所述打磨连接台的底端连接有打磨伸缩杆，所述打磨伸缩杆的底端安装有转轴，所述转轴的设置安装有磨砂安装环，所述磨砂安装环的底端安装有磨砂轮。
[0014]在一个优选的实施方式中，所述固定放置板与放置伸缩杆之间为焊接，所述固定放置板通过放置伸缩杆与成品放置台之间构成伸缩结构。
[0015]基于一种Mosfet制造方法，具体步骤如下：
[0016]S1：针对一种Mosfet制造方法，先将硅片放置在硅片放置盘上，轻轻下压让硅片放置盘将硅片吸住，接着将光刻胶通过光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mosfet制造方法，包括主体(1)、移动涂胶机构(6)、烘干机构(9)和打磨抛光机构(11)，所述移动涂胶机构(6)包括导轨(601)、移动底座(602)、伸缩杆(603)、旋转台(604)、叉架(605)、放置承重杆(606)、放置旋转轴(607)、硅片放置盘(608)、光刻胶存放箱(609)和光刻胶涂抹管(610)，所述烘干机构(9)包括烘干箱体(901)、烘干放置底板(902)、烘干放置台(903)、放置顶块(904)、伸缩放置台(905)、导热板(906)和电热丝(907)，所述打磨抛光机构(11)包括打磨箱体(1101)、打磨放置底座(1102)、成品放置台(1103)、放置伸缩杆(1104)、固定放置板(1105)、成品放置槽(1106)、打磨安装块(1107)、打磨连接台(1108)、打磨伸缩杆(1109)、转轴(1110)、磨砂安装环(1111)和磨砂轮(1112)，其特征在于：所述主体(1)的顶端设置有安装台(2)，所述主体(1)的左右两端均设置有固定连接板(3)，所述固定连接板(3)的内侧均连接有连接隔板(4)，所述固定连接板(3)的顶端连接有顶板(5)，所述安装台(2)的顶端设置有移动涂胶机构(6)，所述安装台(2)的后端设置有曝光机构(7)，所述安装台(2)的左端设置有清洗显影机构(8)，所述连接隔板(4)的一端安装有烘干机构(9)，所述顶板(5)的底端设置有刻蚀沉积机构(10)，所述安装台(2)的右端安装有打磨抛光机构(11)。2.根据权利要求1所述的一种Mosfet制造方法，其特征在于：所述移动涂胶机构(6)包括导轨(601)、移动底座(602)、伸缩杆(603)、旋转台(604)、叉架(605)、放置承重杆(606)、放置旋转轴(607)、硅片放置盘(608)、光刻胶存放箱(609)和光刻胶涂抹管(610)，所述安装台(2)的表面开设有导轨(601)，所述导轨(601)的内侧活动连接有移动底座(602)，所述移动底座(602)的顶端连接有伸缩杆(603)，所述伸缩杆(603)的顶端安装有旋转台(604)，所述旋转台(604)的顶端安装有叉架(605)，所述安装台(2)的顶端固定安装有放置承重杆(606)，所述放置承重杆(606)的顶端连接有放置旋转轴(607)，所述放置旋转轴(607)的顶端安装有硅片放置盘(608)。3.根据权利要求2所述的一种Mosfet制造方法，其特征在于：所述硅片放置盘(608)与放置旋转轴(607)之间为焊接，所述硅片放置盘(608)通过放置旋转轴(607)与放置承重杆(606)之间构成旋转结构。4.根据权利要求1所述的一种Mosfet制造方法，所述其特征在于：所述曝光机构(7)包括光刻主体(701)、曝光放置台(702)、曝光放置槽(703)、紫外光源发生器(704)、导光管(705)、传导连接块(706)、固定板(707)、聚光筒支撑台(708)、聚光筒(709)和光掩膜放置架(710)，所述所述安装台(2)的后端安装有光刻主体(701)，所述光刻主体(701)的内部安装有曝光放置台(702)，所述曝光放置台(702)的顶端开设有曝光放置槽(703)，所述曝光放置台(702)的左侧设置有紫外光源发生器(704)，所述紫外光源发生器(704)的顶端安装有导光管(705)，所述导光管(705)的顶端连接有传导连接块(706)，所述传导连接块(706)的底端连接有固定板(707)，所述固定板(707)的左端安装有聚光筒支撑台(708)，所述聚光筒支撑台(708)的内侧均接有聚光筒(709)，所述固定板(707)的底端安装有光掩膜放置架(710)。5.根据权利要求1所述的一种Mosfet制造方法，其特征在于：所述清洗显影机构(8)包括清洗主体(801)、清洗放置台(802)、清洗水箱(803)、水泵(804)、加压器(805)、高压管(806)、水剂混合箱(807)、清洗显影喷头(808)、显影液存放箱(809)和显影液输送管(810)，所述安装台(2)的左端安装有清洗主体(801)，所述清洗主体(801)的内侧安装有清洗放置
台(802)，所述清洗放置台(802)的左侧设置有清洗水箱(803)，所述清洗水箱(803)的顶端安装有水泵(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲民，肖步文，
申请(专利权)人：无锡惠吉通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：