处理靶膜的方法和制造半导体器件的方法技术

提供一种处理靶膜的方法和制造半导体器件的方法。在处理靶膜的方法中，提供具有彼此面对的侧壁表面的多个图案结构。在多个图案结构的侧壁上形成靶膜。使多个纳米颗粒分布在靶膜上。通过使激光从多个图案结构的上侧照射到靶薄膜上来对靶薄膜进行热处理。所照射的激光经多个纳米颗粒散射。经多个纳米颗粒散射。经多个纳米颗粒散射。

【技术实现步骤摘要】
处理靶膜的方法和制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年6月30日提交的编号为10
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2021
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0086124的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于此。


[0003]本公开涉及一种处理靶膜(target film)的方法和使用该方法制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]近来，在半导体技术的领域中，已经尝试了用于薄膜的热处理的各种技术。用于薄膜的热处理技术可以被分类为使用在热处理炉的线圈中生成的电阻热的传统方法和使用诸如灯或激光等的光源的快速热处理方法。
[0005]其中，使用光源的快速热处理方法可以在短时间内将热量均匀地传递给薄膜。因此，可以通过减少在执行热处理时薄膜接收的热预算来提供高质量的薄膜。具体地，近年来，随着要被热处理的薄膜的厚度持续减小，正在积极进行作为用于薄膜的热处理方法的使用光源的快速热处理技术的研究。

技术实现思路

[0006]在根据一个实施例的处理靶膜的方法中，提供具有彼此面对的侧壁表面的多个图案结构。在所述多个图案结构的侧壁上形成靶膜。使多个纳米颗粒分布在所述靶膜上。通过使激光从多个图案结构的上侧照射到所述靶膜上来对靶膜进行热处理。所照射的激光经所述多个纳米颗粒散射。
[0007]在根据本公开的另一实施例的制造半导体器件的方法中，提供多个图案结构，所述多个图案结构设置在衬底上并且具有在与衬底的表面垂直的方向上延伸的侧壁表面。至少在所述多个图案结构的侧壁表面上形成非晶电介质层。使多个金属颗粒分布在所述非晶电介质层上。通过使用激光对所述非晶电介质层进行热处理来形成第一结晶电介质层。在对非晶电介质层进行热处理时，使激光从所述多个图案结构的上侧照射到非晶电介质层上，其中，所照射的激光经所述多个金属颗粒散射。
附图说明
[0008]图1是根据本专利技术的一个实施例的用于靶膜的热处理方法的流程示意图。
[0009]图2至图6是示出根据本公开的一个实施例的用于靶膜的热处理方法的示意性剖视图。
[0010]图7至图13是示出根据本公开的一个实施例的制造半导体器件的方法的示意图。
[0011]图14和图15是示出根据本公开的另一实施例的制造半导体器件的方法的示意图。
[0012]图16至图23是示出根据本公开的另一实施例的制造半导体器件的方法的示意图。
具体实施例
[0013]在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。在附图中，为了清楚地表示每个器件的组件，放大了组件的尺寸，诸如组件的宽度和厚度。本文中所使用的术语可以对应于考虑到它们在实施例中的功能而选择的词语，并且这些术语的含义可以根据实施例所属领域的普通技术人员而被不同地解释。如果明确详细地定义，则可以根据定义来解释这些术语。除非另有定义，否则本文中所使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与这些实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。
[0014]此外，除非在上下文中明确地不这样使用，否则词语的单数形式的表达应被理解为包括该词语的复数形式。应当理解的是，术语“包含”、“包括”或“具有”旨在指定特征、数量、步骤、操作、组件、元件、部分或它们的组合的存在，但不用于排除包括一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、组件、元件、部分或它们的组合的存在或可能性。
[0015]此外，在执行方法或制造方法中，除非在上下文中明确描述了特定的顺序，否则构成该方法的每个工艺可以不同于规定顺序来进行。例如，每个工艺可以以与所述顺序相同的方式执行，并且可以基本同时执行。作为另一示例，上述工艺中的每一个工艺的至少一部分可以以相反的顺序执行。
[0016]在本说明书中，术语“预定方向”可以指这样的方向，其包含坐标系中的确定的一个方向和与该方向相反的方向。作为示例，在x
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y
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z坐标系中，x方向可以包含与x方向平行的方向。即，x方向可以指所有的x轴的绝对值从原点0起在沿x轴的正方向上增大的方向和x轴的绝对值从原点0起在沿x轴的负方向上增大的方向。在x
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y
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z坐标系中，y方向和z方向可以各自以实质相同的方式解释。
[0017]图1是示出根据本专利技术的一个实施例的用于靶膜的热处理方法的流程示意图。图2至图6是示出根据本公开的一个实施例的用于靶膜的热处理方法的示意性剖视图。
[0018]参考图1的S110，提供具有彼此面对的侧壁表面的多个图案结构。结合图1的S110，参考图2，提供多个图案结构的工艺可以包括在支撑结构110上形成以预定间隔彼此间隔开的多个柱结构120。多个柱结构120可以是具有侧壁表面120W的圆柱、椭圆柱、或多边形柱。根据一个实施例，多个柱结构120中的每一个可以被设置为与相邻的柱结构具有间隔S120，所述间隔S120为例如20nm至100nm。
[0019]参考图1的S120，在多个图案结构的侧壁表面上形成靶膜。在一个实施例中，靶膜可以是电介质层。参考图3结合图1的S120，形成靶膜的工艺可以包括在支撑结构110上的多个柱结构120的侧壁表面120W上形成非晶膜作为靶膜130(见图3)。在一个实施例中，靶膜130可以是非晶电介质层。靶膜130可以在与支撑结构110的表面垂直的方向(即，z方向)上延伸。
[0020]参考图1的S130，使多个纳米颗粒分布在靶膜上。结合图1的S130，分布多个纳米颗粒的工艺可以包括图4所示的沉积金属膜140的工艺和图5所示的金属膜140的自聚集过程。
[0021]参考图4，在靶膜130上形成具有厚度T140的金属膜140，所述厚度T140为0.1nm至1nm。金属膜140可以包括例如金(Au)、铂(Pt)、钌(Ru)、钨(W)、铜(Cu)、镁(Mg)、铝(Al)、钇(Y)、锡(Sn)、锶(Sr)、铅(Pb)、钙(Ca)、钡(Ba)、钛(Ti)、钆(Gd)、镧(La)或它们的组合。可以使用例如物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子层沉积法等来执行形成金属膜140的工艺。
[0022]参考图5，在靶膜130的表面130S上，金属膜140自聚集而形成具有尺寸D145的多个纳米颗粒145，所述尺寸D145为0.1nm至5nm。当在电介质膜上金属膜被形成为具有低于临界厚度的薄厚度时，可以发生金属膜的自聚集从而降低金属膜的内能。在靶膜130上形成上述具有0.1nm至1nm的薄厚度T140的金属膜140之后，可以发生金属膜140的自聚集。可替代地，在使金属膜140沉积在靶膜130上的过程中，可以发生金属膜140的自聚集。在一个实施例中，多个纳米颗粒145可以均匀地分布在表面130S上。在一些其他实施例中，多个纳米颗粒145可以不均匀地分布在表面130S上。
[0023]参考图1的S140，通过使激光从多个图案结构的上侧照射(irradiate)到靶膜上来对靶膜进行热处理。在这种情况下，所照射的激光可以经多个纳米颗粒散射。所散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理靶膜的方法，所述方法包括：提供具有彼此面对的侧壁表面的多个图案结构；在所述多个图案结构的所述侧壁表面上形成靶膜；使多个纳米颗粒分布在所述靶膜上；以及通过使激光从所述多个图案结构的上侧照射到所述靶膜上来对所述靶膜进行热处理，其中，所照射的激光经所述多个纳米颗粒散射。2.如权利要求1所述的方法，其中，提供所述多个图案结构的步骤包括：在支撑结构上形成以预定间隔彼此间隔开的多个柱结构。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述多个柱结构中的每个柱结构被设置在距相邻的柱结构20nm至100nm的间隔内。4.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述靶膜的步骤包括：在所述支撑结构上的所述多个柱结构的所述侧壁表面上形成非晶膜。5.如权利要求1所述的方法，其中，使所述多个纳米颗粒分布在所述靶膜上的步骤包括：在所述靶膜上形成厚度为0.1nm至1nm的金属膜；以及通过所述金属膜的自聚集形成尺寸为0.1nm至5nm的所述多个纳米颗粒。6.如权利要求1所述的方法，其中，照射所述激光的步骤包括：使所述激光照射在与所述侧壁表面基本上平行的方向上。7.如权利要求1所述的方法，其中，照射所述激光的步骤包括：允许经位于一个图案结构的侧壁表面上的所述多个纳米颗粒散射的激光到达在与所述一个图案结构面对的另一图案结构的侧壁表面上设置的所述靶膜。8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供多个图案结构，所述多个图案结构设置在衬底上并且具有在与所述衬底的表面垂直的方向上延伸的侧壁表面；至少在所述多个图案结构的所述侧壁表面上形成非晶电介质层；使多个金属颗粒分布在所述非晶电介质层上；以及通过使用激光对所述非晶电介质层进行热处理来形成第一结晶电介质层，其中，对所述非晶电介质层进行热处理包括：使所述激光从所述多个图案结构的上侧照射到所述非晶电介质层上，并且其中，所照射的激光经所述多个金属颗粒散射。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述多个图案结构包括：多个储存节点电极，它们在所述衬底之上、在与所述衬底的表面平行的方向上彼此间隔开。10.如权利要求8所述的方法，其中，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：具元泰，林米乐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：