在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET制造技术

一种半导体装置(100)包含延伸漏极finFET(102)。所述finFET(102)的漏极漂移区域(128)在所述finFET(102)的漏极接点区域(132)与主体(124)之间延伸。所述漏极漂移区域(128)在所述漏极接点区域(132)与所述主体(124)之间包含所述漏极漂移区域(128)的经增强部分(136)。所述漏极漂移区域(128)还包含横向上邻近于所述漏极漂移区域(128)的所述经增强部分(136)且位于所述经增强部分的相对侧上的第一电荷平衡区域与第二电荷平衡区域。所述漏极漂移区域(128)的所述经增强部分(136)及所述漏极接点区域(132)具有第一导电性类型；所述主体(124)、所述第一电荷平衡区域及所述第二电荷平衡区域具有第二相反导电性类型。所述漏极漂移区域(128)比所述主体(124)宽。移区域(128)比所述主体(124)宽。移区域(128)比所述主体(124)宽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET


[0001]本专利技术涉及半导体装置的领域。更特定来说但非排他性的，本专利技术涉及半导体装置中的鳍式场效应晶体管(finFET)。

技术介绍

[0002]鳍式场效应晶体管(finFET)是其中主体位于半导体材料的鳍片中的一种类型的场效应晶体管。栅极在鳍片的至少三个侧上包覆主体。FinFET通常用于“低电压”电路(例如逻辑电路)中，其中施加到漏极的操作电位小于栅极与主体之间的栅极介电层的击穿电位。形成可以高于栅极介电质的击穿电位的漏极电位操作的finFET一直具挑战性。

技术实现思路

[0003]本专利技术介绍包含延伸漏极finFET(下文中finFET)的半导体装置。所述finFET在所述finFET的漏极接点区域与所述finFET的主体之间包含漏极漂移区域。所述漏极漂移区域在所述漏极接点区域与所述主体之间包含所述漏极漂移区域的经增强部分。所述finFET进一步包含横向上邻近于所述漏极漂移区域的所述经增强部分且位于所述经增强部分的相对侧上的第一电荷平衡区域与第二电荷平衡区域。所述漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其包括：衬底；及所述衬底上的鳍式场效应晶体管(finFET)，所述finFET包含：所述衬底上的半导体材料的鳍片；所述鳍片中的源极，所述源极具有第一导电性类型；所述鳍片中的主体，其邻接所述源极，所述主体具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型；所述鳍片中的漏极漂移区域，所述漏极漂移区域与所述源极相对地邻接所述主体，所述漏极漂移区域具有所述第一导电性类型，其中所述漏极漂移区域比所述主体宽，所述漏极漂移区域包含所述漏极漂移区域的经增强部分，所述漏极漂移区域的所述经增强部分具有比所述漏极漂移区域的其余部分高的净平均第一导电性类型掺杂剂浓度；所述鳍片中的第一电荷平衡区域，其横向上邻近于且邻接所述漏极漂移区域的所述经增强部分，所述第一电荷平衡区域具有所述第二导电性类型；所述鳍片中的第二电荷平衡区域，其与所述第一电荷平衡区域相对地横向上邻近于且邻接所述漏极漂移区域的所述经增强部分，所述第二电荷平衡区域具有所述第二导电性类型；所述鳍片中的漏极接点区域，其与所述主体相对地邻近于所述漏极漂移区域，所述漏极接点区域具有所述第一导电性类型；所述主体上、所述鳍片的顶部表面上方的栅极介电层，且所述栅极介电层在所述主体的两个横向表面上延伸；及所述栅极介电层上方的栅极，所述栅极在所述鳍片的所述顶部表面上方延伸且在所述主体的所述两个横向表面上方延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述漏极漂移区域的所述经增强部分具有1
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‑3的净平均第一导电性类型掺杂剂浓度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电荷平衡区域及所述第二电荷平衡区域各自具有为所述漏极漂移区域的所述经增强部分中的净平均第一导电性类型掺杂剂浓度的65％到150％的净平均第二导电性类型掺杂剂浓度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述漏极漂移区域的所述经增强部分在所述主体与所述漏极接点区域之间具有200纳米到1微米的长度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述主体是100纳米到300纳米宽。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述漏极漂移区域的所述经增强部分比所述主体宽200纳米到400纳米。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述鳍片在所述衬底上面延伸300纳米到800纳米。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述finFET进一步包含与所述漏极漂移区域的所述经增强部分至少部分地重叠的场板。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述场板与栅极是连续的。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述鳍片是第一鳍片；
所述源极是第一源极；所述主体是第一主体；所述漏极漂移区域是第一漏极漂移区域；所述第一漏极漂移区域的所述经增强部分是所述第一漏极漂移区域的第一经增强部分；所述漏极接点区域是第一漏极接点区域；且所述finFET进一步包含：所述衬底上的所述半导体材料的第二鳍片；所述第二鳍片中的第二源极，所述第二源极具有所述第一导电性类型；所述第二鳍片中的第二主体，其邻接所述第二源极，所述第二主体具有所述第二导电性类型；及所述第二鳍片中的第二漏极漂移区域，所述第二漏极漂移区域与所述第二源极相对地邻接所述第二主体，所述第二漏极漂移区域具有所述第一导电性类型，其中所述第二漏极漂移区域比所述第二主体宽，所述第二漏极漂移区域包含所述第二漏极漂移区域的第二经增强部分，所述第二漏极漂移区域的所述第二经增强部分具有比所述第二漏极漂移区域的其余部分高的净平均第一导电性类型掺杂剂浓度；所述鳍片中的第三电荷平衡区域，其横向上邻近于且邻接所述第二漏极漂移区域的所述第二经增强部分，所述第三电荷平衡区域具有所述第二导电性类型；所述鳍片中的第四电荷平衡区域，其与所述第三电荷平衡区域相对地横向上邻近于且邻接所述第二漏极漂移区域的所述第二经增强部分，所述第四电荷平衡区域具有所述第二导电性类型；以及所述第二鳍片中的第二漏极接点区域，其与所述第二主体相对地邻近于所述第二漏极漂移区域的所述第二经增强部分，所述第二漏极接点区域具有所述第一导电性类型；其中所述栅极介电层延伸到所述第二主体上、所述第二鳍片的顶部表面上方且在所述第二主体的两个横向表面上延伸；且所述栅极在所述第二鳍片的所述顶部表面上方、所述第二主体上方及所述第二主体的所述两个横向表面上方延伸。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第二漏极接点区域与所述第一漏极接点区域是连续的。12.一种形成半导体装置的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上形成半导体材料的鳍片；在所述鳍片中形成源极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄名叶，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：