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一种半导体装置(100)包含延伸漏极finFET(102)。所述finFET(102)的漏极漂移区域(128)在所述finFET(102)的漏极接点区域(132)与主体(124)之间延伸。所述漏极漂移区域(128)在所述漏极接点区域(132...
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