显示面板及显示面板的制作方法技术

本申请提供一种显示面板及显示面板的制作方法，通过在衬底上形成一N型掺杂非晶硅层，通过对非晶硅层述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理，使N型掺杂非晶硅结构转变为N型重掺杂多晶硅结构，使与N型掺杂非晶硅结构接触的部分非晶硅层转变为N型轻掺杂多晶硅结构，以使分别与源极和漏极连接的两个N型重掺杂多晶硅结构之间的电阻可以呈现由低到高的梯度变化，以此增大源极与漏极之间的电阻，减小由源极流向漏极的漏电流，从而可以改善多晶硅薄膜晶体管在关闭状态下的漏电流的问题，提高薄膜晶体管器件的稳定性。高薄膜晶体管器件的稳定性。高薄膜晶体管器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示面板的制作方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是液晶显示器中控制每个像素亮度的基本电路组件，一般由非晶硅材料制造而成，随着技术的进步，越来越多的使用低温多晶硅结构，这种结构大大的改善了薄膜晶体管的电性能。
[0003]使用低温多晶硅(low temperature poly
‑
silicon,LTPS)技术形成薄膜晶体管，一般标准低温多晶硅薄膜晶体管在多晶硅层上有作为源极和漏极的N型重掺杂区，由于两个N型重掺杂区的掺杂浓度较高，且与栅电极导体间的距离较小，导致漏极附近电场太强，而产生热载流子效应，使多晶硅薄膜晶体管在关闭状态下会有漏电流的问题，组件稳定性受到严重影响。
[0004]综上所述，现有显示面板存在漏电流的问题。故，有必要提供一种显示面板及显示面板的制作方法来改善这一缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种本专利技术实施例提供一种显示面板及其制作方法，可以改善多晶硅薄膜晶体管在关闭状态下的漏电流的问题，提高薄膜晶体管器件的稳定性。
[0006]本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：
[0007]在衬底上形成一N型掺杂非晶硅层，对所述N型掺杂非晶硅层进行图案化处理，形成多个N型掺杂非晶硅结构；
[0008]在所述衬底上形成一非晶硅层，所述非晶硅层覆盖所述N型掺杂非晶硅结构；
[0009]对所述非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理，使所述N型掺杂非晶硅结构转变为N型重掺杂多晶硅结构，使与所述N型掺杂非晶硅结构接触并位于相邻两个所述N型掺杂非晶硅结构之间的部分所述非晶硅层转变为N型轻掺杂多晶硅结构，使所述非晶硅层的其他部分转变为多晶硅层；
[0010]对所述多晶硅层进行图案化处理，形成多个半导体层。
[0011]根据本申请一实施例，所述显示面板包括源极和漏极，所述N型掺杂非晶硅结构包括与所述漏极对应的第一N型掺杂非晶硅结构、以及与所述源极对应的第二N型掺杂非晶硅结构；
[0012]其中，对所述非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理的步骤中，激光的扫描方向为所述第一N型掺杂非晶硅结构指向所述第二N型掺杂非晶硅结构的方向。
[0013]根据本申请一实施例，位于所述第一N型掺杂非晶硅结构靠近所述第二N型掺杂非晶硅结构的一侧，且与所述第一N型掺杂非晶硅结构接触的部分所述非晶硅层转变为所述N型轻掺杂多晶硅结构。
[0014]根据本申请一实施例，所述第一N掺杂非晶硅结构转变为第一N型重掺杂多晶硅结构，所述第二N型掺杂非晶硅结构转变为第二N型掺杂多晶硅结构；
[0015]其中，所述半导体层包括位于所述N型轻掺杂多晶硅结构与所述第二N型重掺杂多晶硅结构之间的沟道部，所述沟道部分别与所述N型轻掺杂多晶硅结构和所述第二N型重掺杂多晶硅结构接触。
[0016]根据本申请一实施例，所述N型掺杂非晶硅结构具有倾斜侧壁、以及与所述倾斜侧壁连接且平铺设置于所述衬底上的底边，所述倾斜侧壁与所述底边之间的夹角小于45
°
。
[0017]根据本申请一实施例，所述倾斜侧壁在所述底边上的正投影的长度大于或等于0.5微米且小于或等于2微米。
[0018]根据本申请一实施例，所述显示面板的制作方法还包括：
[0019]在所述半导体层上形成一栅极绝缘层；
[0020]在所述栅极绝缘层上形成一栅极金属层，对所述栅极金属层进行图案化处理，形成栅极；
[0021]在所述栅极上形成一层间介质层；
[0022]在所述层间介质层上形成多个过孔，所述过孔贯穿所述层间介质层、所述栅极绝缘层和所述半导体层，并暴露出所述第一N型重掺杂多晶硅结构和所述第二N型重掺杂多晶硅结构；
[0023]在所述层间介质层上形成一源漏电极层，对所述源漏电极层进行图案化处理，形成所述源极和所述漏极，所述漏极通过所述过孔与所述第一N型重掺杂多晶硅结构接触，所述源极通过另一所述过孔与所述第二N型重掺杂多晶硅结构接触。
[0024]根据本申请一实施例，所述第一N型重掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影相互间隔设置，所述N型轻掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。
[0025]根据本申请一实施例，所述第一N型重掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影之间的距离介于1至3微米之间；
[0026]所述N型轻掺杂多晶硅结构的长度介于1至4微米之间；
[0027]所述N型轻掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影重叠部分的长度介于0至1微米之间。
[0028]根据本申请一实施例，所述对所述非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理的步骤中的结晶能量大于或等于700mA且小于或等于1200mA。
[0029]依据本申请上述实施例提供的显示面板的制作方法，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板可以由上述实施例提供的显示面板的制作方法制作形成，所述显示面板包括：
[0030]衬底；
[0031]N型重掺杂多晶硅结构，设置于所述衬底上；
[0032]N型轻掺杂多晶硅结构，设置于所述衬底上，所述N型轻掺杂多晶硅结构设置于相邻两个所述N型重掺杂多晶硅结构之间，并且与其中一个所述N型重掺杂多晶硅结构接触；以及
[0033]半导体层，覆盖相邻两个所述N型重掺杂多晶硅结构、以及位于相邻两个所述N型
重掺杂多晶硅结构之间的所述N型轻掺杂多晶硅结构。
[0034]根据本申请一实施例，所述显示面板包括源极和漏极，所述N型重掺杂多晶硅结构包括第一N型重掺杂多晶硅结构和第二N型重掺杂多晶硅结构，所述漏极电性连接于所述第一N型重掺杂多晶硅结构，所述源极电性连接于所述第二N型重掺杂多晶硅结构；
[0035]其中，所述N型轻掺杂多晶硅结构设置于所述第一N型重掺杂多晶硅结构靠近第二N型重掺杂多晶硅结构的一侧，并且与所述第一N型重掺杂多晶硅结构接触。
[0036]根据本申请一实施例，所述半导体层包括沟道部，所述沟道部设置于所述N型轻掺杂多晶硅结构与所述第二N型重掺杂多晶硅结构之间，并且分别与所述N型轻掺杂多晶硅结构和所述第二N型重掺杂多晶硅结构接触。
[0037]根据本申请一实施例，所述显示面板还包括栅极，所述栅极设置于所述半导体层的背离所述衬底的一侧；
[0038]其中，所述第一N型重掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影相互间隔设置，所述N型轻掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影部分重叠。
[0039]根据本申请一实施例，所述第一N型重掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成一N型掺杂非晶硅层，对所述N型掺杂非晶硅层进行图案化处理，形成多个N型掺杂非晶硅结构；在所述衬底上形成一非晶硅层，所述非晶硅层覆盖所述N型掺杂非晶硅结构；对所述非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理，使所述N型掺杂非晶硅结构转变为N型重掺杂多晶硅结构，使与所述N型掺杂非晶硅结构接触并位于相邻两个所述N型掺杂非晶硅结构之间的部分所述非晶硅层转变为N型轻掺杂多晶硅结构，使所述非晶硅层的其他部分转变为多晶硅层；对所述多晶硅层进行图案化处理，形成多个半导体层。2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括源极和漏极，所述N型掺杂非晶硅结构包括与所述漏极对应的第一N型掺杂非晶硅结构、以及与所述源极对应的第二N型掺杂非晶硅结构；其中，所述对所述非晶硅层和所述N型掺杂非晶硅结构进行蓝色激光退火处理的步骤中，激光的扫描方向为所述第一N型掺杂非晶硅结构指向所述第二N型掺杂非晶硅结构的方向。3.如权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，位于所述第一N型掺杂非晶硅结构靠近所述第二N型掺杂非晶硅结构的一侧，且与所述第一N型掺杂非晶硅结构接触的部分所述非晶硅层转变为所述N型轻掺杂多晶硅结构。4.如权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一N掺杂非晶硅结构转变为第一N型重掺杂多晶硅结构，所述第二N型掺杂非晶硅结构转变为第二N型掺杂多晶硅结构；其中，所述半导体层包括位于所述N型轻掺杂多晶硅结构与所述第二N型重掺杂多晶硅结构之间的沟道部，所述沟道部分别与所述N型轻掺杂多晶硅结构和所述第二N型重掺杂多晶硅结构接触。5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂非晶硅结构具有倾斜侧壁、以及与所述倾斜侧壁连接且平铺设置于所述衬底上的底边，所述倾斜侧壁与所述底边之间的夹角小于45
°
。6.如权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述倾斜侧壁在所述底边上的正投影的长度大于或等于0.5微米且小于或等于2微米。7.如权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板的制作方法还包括：在所述半导体层上形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一栅极金属层，对所述栅极金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述栅极上形成一层间介质层；在所述层间介质层上形成多个过孔，所述过孔贯穿所述层间介质层、所述栅极绝缘层和所述半导体层，并暴露出所述第一N型重掺杂多晶硅结构和所述第二N型重掺杂多晶硅结构；在所述层间介质层上形成一源漏电极层，对所述源漏电极层进行图案化处理，形成所
述源极和所述漏极，所述漏极通过所述过孔与所述第一N型重掺杂多晶硅结构接触，所述源极通过另一所述过孔与所述第二N型重掺杂多晶硅结构接触。8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一N型重掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影不交叠，所述N型轻掺杂多晶硅结构在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：