一种改善SIC器件界面特征的方法及SIC器件技术

一种改善SIC器件界面特征的方法，包括以下步骤：S1、把SiC元件装夹在打磨清洗机的元件台上，控制打磨清洗机根据需要的形状尺寸把SiC元件进行切割；S2、把切割好的SiC元件取出进行加热氧化使其表面形成一层氧化膜；S3、将加热氧化后的SiC元件进行退火处理；S4、把退火处理后的SiC元件装夹在打磨清洗机上对SiC元件表面氧化层进行打磨、清洗并风干；S5、把风干后的SiC元件取出对其表面进行紫外线照射；本发明专利技术通过步骤S4，通过设置打磨清洗机，可以通过控制激光强度打磨出不同厚度的氧化层，来精准控制氧化层的厚度，便于对SiC元件的整个表面进行打磨、清洗和风干。且使得打磨、清洗和风干集中自动化进行，提高了工序效率，节省了工序时间。序时间。序时间。

【技术实现步骤摘要】
一种改善SIC器件界面特征的方法及SIC器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种改善SIC器件界面特征的方法及SIC器件。

技术介绍

[0002]随着新型能源的发展和世界用电量的不断提升，Si功率器件已不能满足高耐压及高效率的电力转换。第三代宽禁带半导体sic由于其更宽的禁带宽度，更大的临界击穿场强，更好的导热性能，在高压高功率应用中有着不可替代的作用。
[0003]SiC可以热生长出本征的SiO 2氧化层，在第三代半导体中有着独特的优势。但由于化合物半导体由两种元素组成，这使得氧化工艺过程中，化学变化过程变得更加复杂，尤其在界面处，半导体本身存在的C原子可能在界面处堆积，同时，C原子也有可能参与Si的氧化过程中，产生更多的缺陷，降低氧化层的质量。在界面处氧化层一侧，一般存在两种过渡层，一种是成分主导的过渡层，由于氧化不完全导致的氧原子不足，原子的化学键没有完全成键，能够捕获载流子，形成载流子陷阱；另一种是晶格不匹配主导的过渡层，晶格的不匹配产生应力，使Si
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O键的键长及键角发生变化，影响界面处氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善SIC器件界面特征的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、把SiC元件装夹在打磨清洗机的元件台上，控制打磨清洗机根据需要的形状尺寸把SiC元件进行切割；S2、把切割好的SiC元件取出进行加热氧化使其表面形成一层氧化膜；S3、将加热氧化后的SiC元件进行退火处理；S4、把退火处理后的SiC元件装夹在打磨清洗机上对SiC元件表面氧化层进行打磨、清洗并风干；S5、把风干后的SiC元件取出对其表面进行紫外线照射；S6、对进行过紫外线照射的SiC元件再装夹在打磨清洗机上进行一次清洗风干处理。2.根据权利要求1所述的一种改善SIC器件界面特征的方法，其特征在于：在加热过程中间断向SiC元件表面吹拂氧气。3.根据权利要求1所述的一种改善SIC器件界面特征的方法，其特征在于：在所述S2中在高温退火时向SiC元件表面吹拂氮气。4.根据权利要求3所述的一种改善SIC器件界面特征的方法，其特征在于：吹拂氮气的温度开始为接近加热后SiC元件表面为温度，随着时间氮气的温度逐渐下降直至降至室温。5.根据权利要求所述的一种改善SIC器件界面特征的方法，其特征在于：步骤S4中所述的打磨清洗机包括底座和支架，所述底座的上端面固定安装有支架，所述支架上固定安装有工作台柱，所述工作台柱上端固定安装有元件台，所述元件台上装夹有sic元件，所述底座的后侧固定安装有侧板，所述侧板的上方固定安装有顶板，所述顶板下端开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有工作组件，所述工作组件的上端设置有滑杆，所述滑杆滑动安装在所述滑槽内，所述滑杆的后端位于所述顶板的下方固定安装有驱动齿条，所述滑杆的下方固定安装有激光发射杆、喷水杆和热风杆，所述顶板的上方固定安装有第一驱动电机，所述第一驱动电机的输出端穿过所述顶板固定连接有驱动齿轮，所述驱动齿轮和所述驱动齿条啮合传...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲民，肖步文，
申请(专利权)人：无锡惠吉通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：