变压器结构制造技术

本申请公开了一种变压器结构，以解决现有技术中漏感值不足等问题。该变压器结构，包括：绕线架，包括第一贯穿孔和第二贯穿孔，第二贯穿孔与第一贯穿孔相连通；第一绕组，位于绕线架的一端，第一绕组旋绕于第一贯穿孔外侧；第二绕组，位于绕线架的另一端，第二绕组旋绕于第一贯穿孔外侧；第一磁芯，第一磁芯的至少部分从第一贯穿孔的一端插入绕线架；第二磁芯，第二磁芯的至少部分从第一贯穿孔的另一端插入绕线架，第二磁芯与第一磁芯相耦接，形成第一磁力路径；第三磁芯，第三磁芯从第二贯穿孔插入绕线架，第三磁芯与第一磁芯和/或第二磁芯耦接，形成第二磁力路径；其中，通过第三磁芯将第一磁力路径的磁力线引导至第二磁力路径以提升漏感值。以提升漏感值。以提升漏感值。

【技术实现步骤摘要】
变压器结构


[0001]本技术涉及变压器结构，具体地，涉及一种具有较大漏感值的变压器结构。

技术介绍

[0002]漏电感(Leakage inductance)，又称漏感，是指当变压器中一次绕线与二次绕线的耦合系数小于1时，变压器的一次绕线所产生的部分磁力线无法通过二次绕线，因此产生漏磁的电感称为漏感，即部分绕线不会起到变压作用，仅产生类似扼流电感的效果。
[0003]现有的谐振变换拓扑中，需要使用谐振电感和变压器配合；谐振电感一般有两种做法：一是单独绕制一个谐振电感，这会使成本增加，体积增加；另外一种就是增加原副边绕组间间距，这一方面可能很难达到我们所需漏感值，如要达到我们所需漏感值，可能需要较大间距，这会增加变压器体积，磁耦合能力也会变差。
[0004]为此，人们希望能够有一种变压器结构能够实现增加漏感的同时，维持较小的体积和较强的磁耦合能力。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种变压器结构，通过增加旁路磁芯改变原边磁力线，形成旁路磁通以增加漏感。
[0006]为实现上述目的，本技术提供一种变压器结构，其特征在于，包括：绕线架，包括第一贯穿孔和第二贯穿孔，所述第二贯穿孔与所述第一贯穿孔相连通；第一绕组，位于所述绕线架的一端，所述第一绕组旋绕于所述第一贯穿孔外侧；第二绕组，位于所述绕线架的另一端，所述第二绕组旋绕于所述第一贯穿孔外侧；第一磁芯，所述第一磁芯的至少部分从所述第一贯穿孔的一端插入所述绕线架；第二磁芯，所述第二磁芯的至少部分从所述第一贯穿孔的另一端插入所述绕线架，所述第二磁芯与所述第一磁芯形成第一磁力路径；第三磁芯，所述第三磁芯从所述第二贯穿孔插入所述绕线架，所述第三磁芯与所述第一磁芯和所述第二磁芯形成第二磁力路径；其中，通过所述第三磁芯将所述第一磁力路径的磁力线引导至所述第二磁力路径以提升漏感值。
[0007]优选地，所述绕线架包括第一绕线部，第二绕线部，以及位于第一绕线部与第二绕线部之间的间隔部，所述第一绕线部和所述第二绕线部与所述第一贯穿孔同轴，所述第一绕组位于所述第一绕线部，所述第二绕组位于所述第二绕线部。
[0008]优选地，所述绕线架还包括隔板，所述隔板位于所述第一绕线部的两侧和所述第二绕线部的两侧，以将所述第一绕组限制在所述第一绕线部，将所述第二绕组限制在所述第二绕线部。
[0009]优选地，所述第二贯穿孔垂直于所述第一贯穿孔，所述第二贯穿孔位于所述间隔部。
[0010]优选地，所述第一磁芯和所述第二磁芯均呈E字型，所述第一磁芯与所述第二磁芯相对设置。
[0011]优选地，所述第三磁芯呈长条状，所述第三磁芯位于所述第一磁芯与所述第二磁芯之间，所述第三磁芯的第一侧面与所述第一磁芯相连，所述第三磁芯的第二侧面与所述第二磁芯相连。
[0012]优选地，所述第一磁芯与所述第二磁芯相对设置，所述第一磁芯、所述第二磁芯的边脚分别对应相连，所述第三磁芯呈长条状，所述第三磁芯的长度与所述第一磁芯两边脚之间的距离相匹配，所述第三磁芯的第一侧面与所述第一磁芯的中间柱相连，所述第三磁芯的第二侧面与所述第二磁芯的中间柱相连，所述第三磁芯的与所述第一侧面相垂直的第一端面与所述第一磁芯和所述第二磁芯的一侧边脚的侧面相连，所述第三磁芯的与所述第一端面相对的第二端面与所述第一磁芯和所述第二磁芯的另一侧边脚的侧面相连。
[0013]优选地，所述第三磁芯呈长条状，所述第三磁芯的长度与E字型的所述第一磁芯的中间柱至边脚的距离相匹配，所述第三磁芯将所述第一磁芯、所述第二磁芯的中间柱与一侧的边脚相连。
[0014]优选地，所述第三磁芯呈T字型，所述第三磁芯的长度与E字型的所述第一磁芯的中间柱至边脚的距离相匹配，所述第三磁芯将所述第一磁芯、所述第二磁芯的中间柱与一侧的边脚相连。
[0015]优选地，所述第三磁芯与所述第一磁芯、所述第二磁芯的中间柱之间具有隔板。
[0016]优选地，该变压器结构还包括第四磁芯，所述第四磁芯呈长条状，所述第四磁芯与所述第三磁芯相对设置，所述第四磁芯将所述第一磁芯、所述第二磁芯的中间柱与另一侧的边脚相连。
[0017]优选地，该变压器结构还包括第四磁芯，所述第四磁芯呈T字型，所述第四磁芯与所述第三磁芯相对设置，所述第四磁芯将所述第一磁芯、所述第二磁芯的中间柱与另一侧的边脚相连。
[0018]优选地，所述绕线架还包括引脚，所述第一绕组的引出端和所述第二绕组的引出端分别与对应的所述引脚相连。
[0019]本技术提供的变压器结构的具有以下优点：通过设置第三磁芯，将第一磁力路径的磁力线引导至第三磁芯所处的第二磁力路径，在主路磁通外形成了旁路磁通，从而增加了漏感值，实现了较大的原边漏感，该设计省去了需额外单独绕制的谐振电感，减小了体积并节约了成本，且不会使变压器的体积明显增大或磁耦合能力大减，本技术提供的变压器结构，在不增加器件和变压器体积的前提下，通过改变其结构，增加旁路磁芯，改变磁力线，形成旁路磁通，实现较大的原边漏感，其结构简单，制造成本低廉，并具有多种旁路磁通的方案供选择，可以满足不同漏感值的需求，适用于多种电路。
附图说明
[0020]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
[0021]图1a为本技术第一实施例的变压器结构的示意图；
[0022]图1b为本技术第一实施例的变压器结构的截面示意图；
[0023]图1c为本技术第二实施例的变压器结构的截面示意图；
[0024]图2a为本技术第三实施例的变压器结构的示意图；
[0025]图2b为本技术第三实施例的变压器结构的截面示意图；
[0026]图2c为本技术第四实施例的变压器结构的截面示意图；
[0027]图3a为本技术第五实施例的变压器结构的示意图；
[0028]图3b为本技术第五实施例的变压器结构的截面示意图；
[0029]图3c为本技术第六实施例的变压器结构的截面示意图；
[0030]图4a为本技术第七实施例的变压器结构的的示意图；
[0031]图4b为本技术第七实施例的变压器结构的截面示意图；
[0032]图5a至图5f为本技术各实施例的磁力线的示意图。
具体实施方式
[0033]以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。但是本技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本技术。为了避免混淆本技术的实质，公知的方法、过程、流程没有详细叙述。
[0034]图1a为本技术第一实施例的变压器结构的示意图；该变压器结构包括绕线架11、第一绕组12、第二绕组13、第一磁芯14、第二磁芯15和第三磁芯16。其中，绕线架11呈管状，绕线架11具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变压器结构，其特征在于，包括：绕线架，包括第一贯穿孔和第二贯穿孔，所述第二贯穿孔与所述第一贯穿孔相连通；第一绕组，位于所述绕线架的一端，所述第一绕组旋绕于所述第一贯穿孔外侧；第二绕组，位于所述绕线架的另一端，所述第二绕组旋绕于所述第一贯穿孔外侧；第一磁芯，所述第一磁芯的至少部分从所述第一贯穿孔的一端插入所述绕线架；第二磁芯，所述第二磁芯的至少部分从所述第一贯穿孔的另一端插入所述绕线架，所述第二磁芯与所述第一磁芯形成第一磁力路径；第三磁芯，所述第三磁芯从所述第二贯穿孔插入所述绕线架，所述第三磁芯与所述第一磁芯和所述第二磁芯形成第二磁力路径；其中，通过所述第三磁芯将所述第一磁力路径的磁力线引导至所述第二磁力路径以提升漏感值。2.根据权利要求1所述的变压器结构，其特征在于，所述绕线架包括第一绕线部，第二绕线部，以及位于第一绕线部与第二绕线部之间的间隔部，所述第一绕线部和所述第二绕线部与所述第一贯穿孔同轴，所述第一绕组位于所述第一绕线部，所述第二绕组位于所述第二绕线部。3.根据权利要求2所述的变压器结构，其特征在于，所述绕线架还包括隔板，所述隔板位于所述第一绕线部的两侧和所述第二绕线部的两侧，以将所述第一绕组限制在所述第一绕线部，将所述第二绕组限制在所述第二绕线部。4.根据权利要求2所述的变压器结构，其特征在于，所述第二贯穿孔垂直于所述第一贯穿孔，所述第二贯穿孔位于所述间隔部。5.根据权利要求4所述的变压器结构，其特征在于，所述第一磁芯和所述第二磁芯均呈E字型，所述第一磁芯与所述第二磁芯相对设置。6.根据权利要求5所述的变压器结构，其特征在于，所述第三磁芯呈长条状，所述第三磁芯位于所述第一磁芯与所述第二磁芯之间，所述第三磁芯的第一侧面与所述第一磁芯相连，所述第三磁芯的第二侧面与所述第二磁芯相连。7.根据权利要求5所述的变压器...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁庆，陈华捷，林继认，夏原野，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：