一种晶圆翘曲调整治具制造技术

技术编号:36176077 阅读:62 留言:0更新日期:2022-12-31 20:31
本实用新型专利技术涉及半导体领域,具体公开了一种晶圆翘曲调整治具,包括底盘以及与底盘相匹配的压盖,底盘上设有放置晶圆的腔体,压盖的下表面上设有可嵌入腔体并用于对晶圆边缘处进行施压的下压结构,腔体的底面设置有朝向靠近压盖一侧外凸的支撑结构。本方案由于支撑结构向靠近压盖一侧外凸,让晶圆的边缘处在下压结构对下压作用下产生轻微的反向翘曲,待晶圆取出冷却后,该晶圆边缘处的轻微反向翘曲能够降低晶圆边缘处向上翘曲的回弹率,使得降温后的晶圆保持平整或轻微反向翘曲,实现对晶圆的整平。整平。整平。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆翘曲调整治具


[0001]本技术涉及半导体
,尤其涉及一种晶圆翘曲调整治具。

技术介绍

[0002]扇出型晶圆级封装(Fan

Out Wafer Level Packaging,FOWLP)是一种先进的封装技术,其中的一种制备方法中采用锡基合金焊球代替传统的扇入式封装结构,可以在单芯片的封装中实现更高的集成度,拥有更好的电气特性,并且能够降低封装成本,提高计算速度,减少功耗。但是,晶圆级扇出结构中所用的各种封装材料由于CTE(Coefficient of Thermal Expansion,热膨胀系数)的不匹配而造成封装晶圆的热应力,从而导致封装晶圆发生翘曲。
[0003]晶圆发生翘曲所导致的晶圆表面不平整对现有的封装工艺设备是一个重大挑战,比如,在对晶圆实施旋涂光刻胶工艺时,需要使用真空吸附将晶圆进行固定后再实施离心旋涂光刻胶工艺,若晶圆存在翘曲,则难以被完全吸附固定住,即便采用较大的真空吸附力将封装晶圆固定住,但也会由于翘曲导致的吸附应力而在封装晶圆中产生微裂纹;此外,在针对光刻胶进行烘烤时,由于表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆翘曲调整治具,包括底盘,底盘上设有用于放置晶圆的腔体,其特征在于,所述治具还包括与底盘相配合的压盖,所述压盖上设有可嵌入腔体并用于对晶圆边缘处进行施压的下压结构,所述腔体的底面设有朝向靠近压盖一侧外凸的支撑结构。2.如权利要求1所述的一种晶圆翘曲调整治具,其特征在于:所述下压结构包括固定安装在压盖的下表面上的压环或排列成圆环状的若干压杆;所述支撑结构包括固定安装在腔体的底面上一体式成型的支撑块或若干支撑柱,支撑块或若干支撑柱靠近压盖一端的端面平滑过渡并且呈外凸的球面状。3.如权利要求1或2所述的一种晶圆翘曲调整治具,其特征在于,所述底盘的竖直侧壁上设有若干与腔体连通的取放槽。4.如权利要求1所述的一种晶圆翘曲调整治具,其特征在于,还包括连接底盘与压盖的第一连接单元,所述第一连接单元用于提供驱动所述压盖向底盘移动进而施压于晶圆边缘的压力。5.如权利要求4所述的一种晶圆翘曲调整治具,其特征在于,所述第一连接单元包括螺栓和第一压缩弹簧,底盘上设有若干第一螺纹孔,压盖上设有供螺栓可自由竖直穿过的通孔,螺栓的一端竖直穿过压盖并且与底盘的第一螺纹孔螺纹连接;所述螺栓包括螺栓头部和螺栓杆部,所述第一压缩弹簧位于螺栓头部与压盖之间。6.如权利要求4或5所述的一种晶圆翘曲调整治具,其特征在于,还包括连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝俊峰郭良奎
申请(专利权)人:长电集成电路绍兴有限公司
类型:新型
国别省市:

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