一种电流镜电路及相应的电子设备制造技术

本申请涉及一种电流镜电路包括：电流源；电流电压转化模块，耦合到电流源接收电流源提供的基准电流并将其转化为电压输出；第一晶体管，第一极作为电流镜电路输出端；滤波模块，部分耦合在电流电压转化模块输出端与第一晶体管控制极之间；开关，与滤波模块耦合在电流电压转化模块输出端与第一晶体管控制极之间的部分并联；判断模块，一端耦合到电流镜电路以外的功能模块接收耦合信号，另一端耦合到开关，将耦合信号与预设阈值进行比较，根据比较结果输出开关控制信号控制开关状态，以将滤波模块接入电流镜电路，或使滤波模块耦合在电流电压转化模块输出端与第一晶体管控制极之间的部分被短路从而导致滤波模块失效。本申请还涉及一种电子设备。涉及一种电子设备。涉及一种电子设备。

【技术实现步骤摘要】
一种电流镜电路及相应的电子设备


[0001]本申请涉及一种集成电路技术，特别地涉及一种电流镜电路及相应的电子设备。

技术介绍

[0002]电流镜电路是模拟电路中最基本的电路模块，功能是通过接收一个基准电流,将其转换成一个或多个相等或成一定倍数的电流输出。图1(a)所示为基本电流镜电路示意图。该电流镜电路可以包括一个基准支路，例如包括输出基准电流I
REF0
的电流源以及耦合到该电流源的模块A0，其中模块A0的作用是将基准电流I
REF0
转化为电压输出。该电流镜还可以包括一个镜像支路，例如可以包括两个NMOS晶体管M01和M02，A0的输出端可以耦合到两个晶体管M01和M02的栅极，晶体管M01和M02的漏源电流为与I
REF0
成比例的电流I
OUT01
和I
OUT02
。电流镜电路中的NMOS晶体管可以换成PMOS晶体管或BJT晶体管，具体电路连接方法类似，图1(b)所示即为使用两个PMOS晶体管M03和M04的基本电流镜电路示意图。
[0003]电流镜电路需要满足多方面的要求，其中包括1)噪声小：一方面滤除基准电流中的噪声，另一方面降低电流镜本身的噪声；2)当电流镜电路的输出端被电流镜电路以外的功能模块由于电路结构或电路寄生等原因耦合了较大信号时，电流镜电路应具备针对这一较大耦合信号的抗干扰能力。而目前常用的电流镜电路无法同时满足上述两个要求。
[0004]因此，需要找到一种电流镜电路，既能降低基准电流和电流镜自身带来的噪声，同时对于电流镜电路以外的功能模块耦合到电流镜电路输出端上的较大信号具有抗干扰能力。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的技术问题，本申请提出了一种电流镜电路，其特征在于，包括：电流源；电流电压转化模块，其耦合到所述电流源，接收所述电流源提供的基准电流，并将所述基准电流转化为电压并输出；第一晶体管，其第一极作为所述电流镜电路的输出端配置为向外提供偏置电流，其第二极接地；滤波模块，其至少部分耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间；开关，与所述滤波模块耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间的部分并联；以及判断模块，其一端耦合到所述电流镜电路以外的功能模块配置为接收耦合信号，另一端耦合到所述开关；其中，所述判断模块配置为将所述耦合信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果输出开关控制信号控制所述开关的状态，以将所述滤波模块接入所述电流镜电路，或者使所述滤波模块耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间的部分被短路从而导致所述滤波模块失效。
[0006]特别的，其特征在于，还包括第二晶体管，其第一极作为所述电流镜电路的输出端配置为向外提供偏置电流，其控制极耦合到所述第一晶体管的控制极，其第二极接地。
[0007]特别的，其特征在于，所述滤波模块包括：第一电阻，耦合在所述电流电压转化模块的输出端与所述第一晶体管的控制极之间；以及第一电容，耦合在所述第一晶体管的控
制极与地之间。
[0008]特别的，其特征在于，所述判断模块包括：比较器，第一输入端接收具有所述预设阈值的参考电压，输出端耦合到所述开关；第二电阻，一端接收所述耦合信号，另一端耦合到所述比较器的第二输入端；以及第二电容，一端耦合到所述比较器的第二输入端，另一端接地。
[0009]特别的，其特征在于，所述判断模块还包括峰值检测电路模块，一端接收所述耦合信号，另一端耦合到所述第二电阻。
[0010]本申请还涉及一种电子设备，其特征在于，包括：如前所述的电流镜电路以及与所述电流镜电路输出端耦合的外部功能模块。
[0011]本申请提出的抗大信号干扰的低噪声电流镜电路及相应的电子设备，既能降低基准电流和电流镜自身带来的噪声，同时对于电流镜电路以外的功能模块耦合到电流镜电路输出端上的较大信号具有抗干扰能力。
附图说明
[0012]下面，将结合附图对本申请的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：
[0013]图1(a)是包括两个NMOS晶体管的基本电流镜电路示意图；
[0014]图1(b)是包括两个PMOS晶体管的基本电流镜电路示意图；
[0015]图2是包括滤波模块的电流镜电路示意图；
[0016]图3是根据本申请一个实施例的电流镜电路示意图；
[0017]图4是根据本申请一个实施例的电流镜电路中滤波模块电路示意图；
[0018]图5是根据本申请一个实施例的电流镜电路中判断模块电路示意图；
[0019]图6是根据本申请一个实施例的电流镜电路中判断模块电路示意图；以及
[0020]图7是根据本申请一个实施例的电子设备电路示意图。
具体实施方式
[0021]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。
[0023]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。对于附图中的各单元之间的连线，仅仅是为了便于说明，其表示至少连线两端的单元是相互通信的，并非旨在限制未连线的单元之间无法通信。另外，两个单元之间线条的数目旨在表示该两个单元之间通信至少所涉及的信号数或至少具备的输出端，并非用于限定该两个单元之间只能如图中所示的
信号来进行通信。
[0024]晶体管可指任何结构的晶体管，例如场效应晶体管(FET)或者双极型晶体管(BJT)。当晶体管为场效应晶体管时，根据沟道材料不同，可以是氢化非晶硅、金属氧化物、低温多晶硅、有机晶体管等。根据载流子是电子或空穴，可以分为N型晶体管和P型晶体管，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极；当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的基极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极。晶体管可以采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、有机半导体、NMOS/PMOS工艺或者CMOS工艺来制造。
[0025]下文以NMOS场效应晶体管为例进行说明，且本申请实施例中晶体管的漏极和源极可以根据晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路，其特征在于，包括：电流源；电流电压转化模块，其耦合到所述电流源，接收所述电流源提供的基准电流，并将所述基准电流转化为电压并输出；第一晶体管，其第一极作为所述电流镜电路的输出端配置为向外提供偏置电流，其第二极接地；滤波模块，其至少部分耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间；开关，与所述滤波模块耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间的部分并联；以及判断模块，其一端耦合到所述电流镜电路以外的功能模块配置为接收耦合信号，另一端耦合到所述开关；其中，所述判断模块配置为将所述耦合信号与预设阈值进行比较，并根据比较结果输出开关控制信号控制所述开关的状态，以将所述滤波模块接入所述电流镜电路，或者使所述滤波模块耦合在所述电流电压转化模块输出端与所述第一晶体管的控制极之间的部分被短路从而导致所述滤波模块失效。2.根据权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，还包括第二晶体管，其第一极作为所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李威，
申请(专利权)人：上海料聚微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：