一种LDO电路制造技术

一种LDO电路，包括LDO主体电路和防过冲电路，防过冲电路连接在LDO主体电路的输出端和地之间，防过冲电路的控制端与LDO主体电路的输入端连接，在LDO主体电路的输入端初始接收输入电压的情况下，响应于其控制端上接收的输入电压而使LDO主体电路的输出端与地相连通，以使LDO电路的输出端输出的输出电压为低电平，抑制了电源上电时LDO输出端输出的输出电压发生过冲，继而避免了LDO电路输出端所接的外部电路出现过压的情况。此外，防过冲电路中不包括电阻器件，无需增加较大的电路面积，且不增加额外的功耗，使得在电路代价极低的情况下，实现了较好地抑制LDO电路输出电压过冲的发生。发生。发生。

【技术实现步骤摘要】
一种LDO电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种LDO电路。

技术介绍

[0002]低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator，LDO)具有结构简单、成本低廉、低噪声、低功耗及封装体积小等优点，因此LDO在便携式电子设备中得到电路广泛的应用。
[0003]图1是现有的一种LDO电路的结构示意图。如图1所示，LDO电路包括误差放大器单元A11、调整管M11、调整管M12、调整管M13和电流源I1。误差放大器单元A11的一个输入端接收LDO电路输出端输出的输出电压Vo，另一个输入端接收基准电压Vref，在该LDO电路中输出电压Vo与基准电压Vref相等，其能够应用于低功耗的应用场景中，然而，随着该LDO电路中各支路电流的降低，在电源VDD上电的过程中输出电压Vo容易出现过冲，在这种情况下，LDO电路输出端所接的外部电路可能会瞬时处于过压的情况，极易对外部电路产生损坏。

技术实现思路

[0004]本专利技术主要解决的技术问题是提供一种LDO电路，能够在电源对LDO电路上电时更好地抑制输出电压发生过冲。
[0005]根据第一方面，一种实施例中提供一种LDO电路，包括：
[0006]LDO主体电路，用于根据基准电压，对其输入端输入的输入电压进行处理获得恒定的输出电压，并通过其输出端输出所述输出电压；
[0007]防过冲电路，连接于所述LDO主体电路的输出端与地之间，所述防过冲电路包括控制端，所述控制端与所述LDO主体电路的输入端连接；r/>[0008]所述防过冲电路用于在所述LDO主体电路的输入端初始输入所述输入电压的情况下，响应于其控制端上接收的所述输入电压而使所述LDO主体电路的输出端与地相连通，以使所述LDO电路的输出端输出的输出电压为低电平。
[0009]在一实施例中，所述防过冲电路包括：
[0010]第一电容，包括第一端和第二端，所述第一端与所述LDO主体电路的输入端连接，所述第一端为所述防过冲电路的控制端；
[0011]第一调整管，连接于所述LDO主体电路的输出端与地之间，所述第一调整管包括控制极，所述控制极与所述第一电容的第二端连接；
[0012]第二调整管，连接于所述第一电容的第二端与地之间，所述第二调整管被配置工作在亚阈值区；
[0013]其中，在所述LDO主体电路的输入端初始输入所述输入电压的情况下，所述第一电容的第二端上的电压跟随所述LDO主体电路的输入端输入的所述输入电压升高，所述第一调整管响应于其控制极上的电压而导通，以使所述LDO主体电路的输出端与地相连通；
[0014]在所述LDO主体电路的输入端持续输入所述输入电压的情况下，所述第一电容的第二端上的电压为0，所述第一调整管响应于其控制极上的电压而关断，以使所述LDO主体
电路的输出端输出恒定的输出电压。
[0015]在一实施例中，所述第一调整管包括第一NMOS晶体管，所述第二调整管包括第二NMOS晶体管；
[0016]所述第一NMOS晶体管的漏极与所述LDO主体电路的输出端连接，第一NMOS晶体管的源极与地连接，第一NMOS晶体管的栅极为第一调整管的控制极；
[0017]所述第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的栅极连接，第二NMOS晶体管的源极与地连接，第二NMOS晶体管的栅极用于接收第一控制电压，所述第一控制电压用于控制所述第二NMOS晶体管工作在亚阈值区。
[0018]在一实施例中，所述LDO主体电路包括：
[0019]误差放大器单元，包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端连接至所述LDO主体电路的输出端，所述第二输入端用于接收基准电压；
[0020]第三调整管，连接于所述LDO主体电路的输入端与所述LDO主体电路的输出端之间。
[0021]在一实施例中，所述误差放大器单元包括：
[0022]第四调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第四调整管的第二极与所述LDO主体电路的输入端连接，所述第四调整管的第一极与第四调整管的控制极连接；
[0023]第五调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第五调整管的第二极与所述LDO主体电路的输入端连接，所述第五调整管的控制极与第四调整管的控制极连接，所述第五调整管的第一极与第三调整管的控制极连接；
[0024]第六调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第六调整管的第一极与第四调整管的第一极连接，所述第六调整管的控制极与所述LDO主体电路的输出端连接；
[0025]第七调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第七调整管的第一极与第五调整管的第一极连接；所述第七调整管的控制极为误差放大器单元的第二输入端，用于接收基准电压；所述第七调整管的第二极与第六调整管的第二极连接；
[0026]第八调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第八调整管的第一极与第七调整管的第二极连接，所述第八调整管的第二极与地连接，所述第八调整管的控制极与第八调整管的第一极连接。
[0027]在一实施例中，所述误差放大器单元还包括：
[0028]第二电容，包括第一端和第二端，所述第二电容的第一端与所述第八调整管的第一极连接，所述第二电容的第二端与所述第八调整管的控制极连接；
[0029]其中，在所述LDO主体电路的输入端初始输入所述输入电压的情况下，所述第二电容的第二端上的电压跟随所述LDO主体电路的输入端输入的所述输入电压升高，所述第八调整管响应于其控制极上的电压而导通，以使所述第八调整管的第一极与地相连通，从而降低第八调整管的第一极上的电压。
[0030]在一实施例中，所述LDO主体电路还包括：
[0031]电流源，连接于所述LDO主体电路的输入端；
[0032]偏置电路，连接于所述电流源的输出端，用于向所述误差放大器单元提供偏置电流。
[0033]在一实施例中，所述LDO主体电路还包括：
[0034]第九调整管，包括第一极、第二极和控制极，所述第九调整管的第一极与所述LDO主体电路的输出端连接，所述第九调整管的第二极与地连接，所述第九调整管的控制极与所述第八调整管的控制极连接。
[0035]在一实施例中，还包括：
[0036]基准电压产生模块，用于产生所述基准电压。
[0037]在一实施例中，在所述LDO主体电路的输入端持续输入所述输入电压的情况下，所述LDO主体电路的输出端输出的输出电压与基准电压相等。
[0038]依据上述实施例的LDO电路，包括LDO主体电路和防过冲电路，防过冲电路连接在LDO主体电路的输出端和地之间，防过冲电路的控制端与LDO主体电路的输入端连接，在LDO主体电路的输入端初始接收输入电压的情况下，响应于其控制端上接收的输入电压而使LDO主体电路的输出端与地相连通，以使LDO电路的输出端输出的输出电压为低电平，抑制了电源上电时LDO输出端输出的输出电压发生过冲，继而避免了LDO电路输出端所接的外部电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDO电路，其特征在于，包括：LDO主体电路，用于根据基准电压，对其输入端输入的输入电压进行处理获得恒定的输出电压，并通过其输出端输出所述输出电压；防过冲电路，连接于所述LDO主体电路的输出端与地之间，所述防过冲电路包括控制端，所述控制端与所述LDO主体电路的输入端连接；所述防过冲电路用于在所述LDO主体电路的输入端初始输入所述输入电压的情况下，响应于其控制端上接收的所述输入电压而使所述LDO主体电路的输出端与地相连通，以使所述LDO电路的输出端输出的输出电压为低电平。2.如权利要求1所述的LDO电路，其特征在于，所述防过冲电路包括：第一电容(C1)，包括第一端和第二端，所述第一端与所述LDO主体电路的输入端连接，所述第一端为所述防过冲电路的控制端；第一调整管(M21)，连接于所述LDO主体电路的输出端与地之间，所述第一调整管(M21)包括控制极，所述控制极与所述第一电容(C1)的第二端连接；第二调整管(M22)，连接于所述第一电容的第二端与地之间，所述第二调整管(M22)被配置工作在亚阈值区；其中，在所述LDO主体电路的输入端初始输入所述输入电压的情况下，所述第一电容(C1)的第二端上的电压跟随所述LDO主体电路的输入端输入的所述输入电压升高，所述第一调整管(M21)响应于其控制极上的电压而导通，以使所述LDO主体电路的输出端与地相连通；在所述LDO主体电路的输入端持续输入所述输入电压的情况下，所述第一电容(C1)的第二端上的电压为0，所述第一调整管(M21)响应于其控制极上的电压而关断，以使所述LDO主体电路的输出端输出恒定的输出电压。3.如权利要求2所述的LDO电路，其特征在于，所述第一调整管(M21)包括第一NMOS晶体管，所述第二调整管(M22)包括第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的漏极与所述LDO主体电路的输出端连接，第一NMOS晶体管的源极与地连接，第一NMOS晶体管的栅极为第一调整管(M21)的控制极；所述第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的栅极连接，第二NMOS晶体管的源极与地连接，第二NMOS晶体管的栅极用于接收第一控制电压，所述第一控制电压用于控制所述第二NMOS晶体管工作在亚阈值区。4.如权利要求1或2所述的LDO电路，其特征在于，所述LDO主体电路包括：误差放大器单元(A21)，包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端连接至所述LDO主体电路的输出端，所述第二输入端用于接收基准电压；第三调整管(M23)，连接于所述LDO主体电路的输入端与所述LDO主体电路的输出端之间。5.如权利要求4所述的LDO电路，其特征在于，所述误差放大器单元包括：第四调整管(M24)，包括第一极、第二极和控制极，所述第四调整管(M24)的第二极与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李威，
申请(专利权)人：上海料聚微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：