一种带隙基准启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙基准启动电路，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；其中，P型MOS管PM4和n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；开关管NM2分别与P型MOS管PM4和N型MOS管NM1相连接；N型MOS管NM0与n倍P型MOS管n*PM4相连接；N型MOS管NM1分别与P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。该启动电路可以灵活启动并关闭，不限于电流模或电压模结构，兼容足够小面积和超低静态功耗的同时，对带隙基准电路可以达到更精确的启动效果。更精确的启动效果。更精确的启动效果。

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准启动电路


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路设计
，特别涉及一种带隙基准启动电路。

技术介绍

[0002]现有的常用启动电路如图1所示，存在为了追求超低静态功耗，要求电阻R0较大，导致面积太大；或者存在为了节省面积，电阻R0不能太大，进而导致静态功耗过大等问题。再者，对于电流模的bandgap电路（带隙基准电路），由于低电流下简并点较多，常用的启动方式不够精准，有时候不能完全顺利成功启动。
[0003]因此，在现有启动电路的基础上，如何提供一种带隙基准电路的启动电路，以在兼顾较小面积和超低功耗的同时，顺利精确启动带隙基准电路，成为本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术提出了一种至少解决上述部分技术问题的带隙基准启动电路，不限于电流模或电压模结构，在兼顾较小面积和超低功耗的同时，可顺利精确启动带隙基准电路。
[0005]本专利技术实施例提供一种带隙基准启动电路，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；所述非对称输入管比较器包括：P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4、电源流Is0、N型MOS管NM0和N型MOS管NM1；其中，0<n<1；所述P型MOS管PM4和所述n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；所述电阻R1的顶端连接所述带隙基准电路中的三极管Q1；所述电阻R1的底端连接所述带隙基准电路中的三极管Q2；所述开关管NM2分别与所述P型MOS管PM4和所述N型MOS管NM1相连接；所述N型MOS管NM0与所述n倍P型MOS管n*PM4相连接；所述N型MOS管NM1分别与所述P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。
[0006]进一步地，所述P型MOS管PM4的gate端电压与所述电阻R1的顶端电压连接；所述n倍P型MOS管n*PM4的gate端电压与所述电阻R1的底端电压连接；所述电阻R1的顶端电压为所述三极管Q1基极与发射极之间的电压；所述电阻R1的底端电压为所述三极管Q2基极与发射极之间的电压。
[0007]进一步地，所述n倍P型MOS管n*PM4的宽长比W/L小于所述P型MOS管PM4的宽长比W/L。
[0008]进一步地，当所述带隙基准电路未启动时，所述电阻R1的顶端电压和底端电压的减压差为0；流过所述P型MOS管PM4的电流大于流过所述n倍P型MOS管n*PM4的电流；所述N型MOS管NM1的漏端升高；所述开关管NM2的gate端电压升高，所述开关管NM2开启；所述带隙基准电路中的电流镜PM0、电流镜PM1和电流镜PM2的gate端电压拉低，所
述电流镜PM0、电流镜PM1和电流镜PM2开启，启动所述带隙基准电路。
[0009]进一步地，当所述带隙基准电路启动时，所述电阻R1的顶端电压大于底端电压；流过所述P型MOS管PM4的电流小于流过所述n倍P型MOS管n*PM4的电流；所述N型MOS管NM1的gate端升高；所述开关管NM2的漏端电压降低，所述开关管NM2关断。
[0010]进一步地，所述非对称输入管比较器还包括：N型MOS管NM3；所述N型MOS管NM3接入在所述开关管NM2与所述P型MOS管PM4和N型MOS管NM1的连接通路上；所述N型MOS管NM3用于限制或减缓所述开关管NM2流过的电流。
[0011]进一步地，所述电流镜PM0、电流镜PM1和电流镜PM2均为P型MOS管。
[0012]进一步地，所述开关管NM2为N型MOS管。
[0013]本专利技术实施例提供的上述技术方案的有益效果至少包括：本专利技术实施例提供的一种带隙基准启动电路，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；非对称输入管比较器包括：P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4、电源流Is0、N型MOS管NM0和N型MOS管NM1；其中，0<n<1；P型MOS管PM4和n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；开关管NM2分别与P型MOS管PM4和N型MOS管NM1相连接；N型MOS管NM0与n倍P型MOS管n*PM4相连接；N型MOS管NM1分别与P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。该启动电路可以灵活启动并关闭，不限于电流模或电压模结构，兼容足够小面积和超低静态功耗的同时，对带隙基准电路可以达到更精确的启动效果。
[0014]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0015]下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0016]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的现有技术中的常用启动电路图；图2为本专利技术实施例提供的带隙基准启动电路图一；图3为本专利技术实施例提供的带隙基准启动电路图二。
具体实施方式
[0017]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0018]本专利技术实施例提供一种带隙基准启动电路，参照图2所示，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；非对称输入管比较器包括：P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4、电源流Is0、N型MOS
管NM0和N型MOS管NM1；其中，0<n<1；P型MOS管PM4和n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；电阻R1的顶端连接带隙基准电路中的三极管Q1；电阻R1的底端连接带隙基准电路中的三极管Q2；开关管NM2分别与P型MOS管PM4和N型MOS管NM1相连接；N型MOS管NM0与n倍P型MOS管n*PM4相连接；N型MOS管NM1分别与P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。
[0019]本实施例提供的带隙基准启动电路，不限于电流模或电压模结构，可在兼顾较小面积和超低功耗的同时，达到精确顺利启动带隙基准电路的效果。降低了带隙基准启动电路的功耗。
[0020]参照图2所示，虚线部分为本实施例提供的启动电路部分，其中非对称输入管比较器包括：由PM4、n*PM4、NM0、NM1和Is0。PM4为P型MOS管，MOS管指金属氧化物半导体场效应管。n*PM4为n倍P型MOS管，0<n<1。NM0为N型MOS管。NM1为N型MOS管。Is0可采用理想电流源，偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准启动电路，其特征在于，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；所述非对称输入管比较器包括：P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4、电源流Is0、N型MOS管NM0和N型MOS管NM1；其中，0<n<1；所述P型MOS管PM4和所述n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；所述电阻R1的顶端连接所述带隙基准电路中的三极管Q1；所述电阻R1的底端连接所述带隙基准电路中的三极管Q2；所述开关管NM2分别与所述P型MOS管PM4和所述N型MOS管NM1相连接；所述N型MOS管NM0与所述n倍P型MOS管n*PM4相连接；所述N型MOS管NM1分别与所述P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。2.如权利要求1所述的一种带隙基准启动电路，其特征在于，所述P型MOS管PM4的gate端电压与所述电阻R1的顶端电压连接；所述n倍P型MOS管n*PM4的gate端电压与所述电阻R1的底端电压连接；所述电阻R1的顶端电压为所述三极管Q1基极与发射极之间的电压；所述电阻R1的底端电压为所述三极管Q2基极与发射极之间的电压。3.如权利要求2所述的一种带隙基准启动电路，其特征在于，所述n倍P型MOS管n*PM4的宽长比W/L小于所述P型MOS管PM4的宽长比W/L。4.如权利要求3所述的一种带隙基准...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昊，唐聪，
申请(专利权)人：英彼森半导体珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：