【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，更具体的说是涉及一种噪声抑制电路及具有其的高压运算放大器。
技术介绍
1、在很多应用中，比如仪表、医疗、物理、压电变送器、激光二极管等，由于输入信号性质或输出负载特征的要求，需要运算放大器在高电压范围内(36v及以上)工作。
2、高压器件的特点是：可耐高压、噪声相对较大、面积大，与之对应，低压器件的特点是：不可耐高压、噪声性能较高、面积小。在高压设计中首先考虑的就是器件耐压问题，不可避免要采用高压器件完成设计内容，所以在高压低噪声的应用背景下，高压运算放大器的噪声抑制和高压保护技术便显得十分重要。
3、目前实现低噪声的措施主要有以下几种方案：1)通过增大运放输入对管的gm，减小后级器件等效到输入的热噪声和闪烁噪声，增大gm有两种方式：增大功耗和增大尺寸，这会导致芯片功耗和面积均有一定程度的增加。2)通过增大运放输入对管的面积，减小输入对管的闪烁噪声。但是在高压设计中，如果是高压器件作为输入对管，想要通过增大面积来降低闪烁噪声无疑会导致成本直线增加。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种噪声抑制电路，其特征在于，应用于高压运算放大器的输入级，包括：电压跟随及衬底偏置模块和高压保护模块；
2.根据权利要求1所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述运算放大器的输入对管包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极作为运算放大器的正输入端，所述第二MOS管的栅极作为运算放大器的负输入端，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述高压保护模块包括：第三MOS管和第四MOS管；所述第三MOS管的栅极与所述第...
【技术特征摘要】
1.一种噪声抑制电路，其特征在于，应用于高压运算放大器的输入级，包括：电压跟随及衬底偏置模块和高压保护模块；
2.根据权利要求1所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述运算放大器的输入对管包括：第一mos管和第二mos管，所述第一mos管的栅极作为运算放大器的正输入端，所述第二mos管的栅极作为运算放大器的负输入端，所述第一mos管的源极与所述第二mos管的源极连接，所述第一mos管的漏极与所述第二mos管的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述高压保护模块包括：第三mos管和第四mos管；所述第三mos管的栅极与所述第一mos管的栅极连接，所述第四mos管的栅极与所述第二mos管的栅极连接；所述第三mos管的源极与所述第一mos管的漏极连接，所述第四mos管的源极与所述第二mos管的漏极连接；所述第三mos管的漏极和所述第四mos管的漏极均接入运算放大器的中间级。
4.根据权利要求3所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述高压保护模块还包括第一保护单元；所述第一保护单元用于对输入对管进行相位反转保护。
5.根据权利要求4所述的噪声抑制电路，其特征在于，所述第一保护单元包括：第五mos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：何帅，唐聪，
申请(专利权)人：英彼森半导体珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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