【技术实现步骤摘要】
一种偏置装置
[0001]本申请涉及集成电路
，具体而言，涉及一种偏置装置。
技术介绍
[0002]通常，在不同晶片和不同批次之间芯片的制造会存在一定的工艺偏差，使得芯片使用时供电系统常会有一定的电压波动。此外，芯片的工作环境温度变化也较大，这些工艺角、电压及温度（Precess Voltage Temperature，简称PVT）偏差将会使晶体管的载流子迁移率、阈值电压、噪声等参数发生较大变化，故PVT偏差对集成电路性能有很大影响，尤其是对模拟射频集成电路。
[0003]目前，为了降低PVT偏差带来的影响，芯片通常采用以下几种常规偏置电路来校正PVT偏差：恒定跨导偏置电路、阈值基准的偏置电路、带隙基准偏置电路。其中，（1）恒定跨导偏置电路具有电路结构简单且对电源电压变化不敏感的优点，电阻采用片内实现时通常无法解决温度和工艺角偏差引入的问题；（2）阈值基准的偏置电路与恒定跨导偏置电路类似，也只能解决电压偏差带来影响，无法同时解决工艺角和温度偏差引入的影响；（3）带隙基准偏置电路虽然是不受电源电压和温度偏差影响的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种偏置装置，其特征在于，所述装置包括：温度传感器、偏置模块，所述温度传感器设置于待校正电路中，所述待校正电路中设置有芯片；所述温度传感器用于采集所述待校正电路中所述芯片工作时的温度信息，并将所述温度信息转换为温度控制码字；所述温度传感器的输出端与所述偏置模块的输入端连接，所述温度传感器还用于将所述温度控制码字传输至所述偏置模块；所述偏置模块中设置有参考器件，所述参考器件所处的工艺角与所述待校正电路中所述芯片所处的工艺角相同；所述偏置模块用于根据所述参考器件在所述工艺角下的预设电压产生参考电流，并根据所述温度控制码字、以及所述参考电流，生成所述待校正电路的偏置电流，并通过所述偏置模块的输出端输出至所述待校正电路。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述偏置模块包括：第一生成器模块、第二生成器模块、电流合成器模块；所述第一生成器模块的输入端用于连接电源端，所述第一生成器模块中设置有参考器件，所述第一生成器模块用于根据所述参考器件在所述工艺角下的预设电压生成第一参考电流，所述第一参考电流为具有负温度系数的参考电流；所述第二生成器模块的输入端用于连接电源端，所述第二生成器模块用于根据所述第二生成器模块中各器件的实际工作参数生成第二参考电流，所述第二参考电流为具有正温度系数的参考电流；所述电流合成器模块的输入端分别与所述第一生成器模块的输出端、所述第二生成器模块的输出端、以及所述温度传感器的输出端连接；所述电流合成器模块，用于根据所述温度传感器输出的所述温度控制码字，对所述第一生成器模块输出的所述第一参考电流、以及所述第二生成器模块输出的所述第二参考电流进行加权处理，生成所述偏置电流。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一生成器模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第一晶体管、第一电阻，所述第一晶体管为所述参考器件；所述第一电流镜的第一端与电源端连接；所述第一电流镜的第二端与所述第二电流镜的一端连接，所述第一电流镜的第三端与所述电流合成器模块的输入端连接；所述第二电流镜的另一端分别与所述第一晶体管的第一端、所述第一晶体管的第二端及所述第一电阻的一端连接；所述第一晶体管的第三端与所述第一电阻的另一端均与接地端连接。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一电流镜包括：第二晶体管、第三晶体管；所述第二电流镜包括：第四晶体管、第五晶体管；其中，所述第二晶体管的第一端及所述第三晶体管的第一端均为所述第一电流镜的第一端，所述第二晶体管的第三端及所述第三晶体管的第三端均为所述第一电流镜的第二端，所述第三晶体管的第二端为所述第一电流镜的第三端；所述第四晶体管的第一端及所述第五晶体管的第一端均为所述第二电流镜的一端，所述第四晶体管的第三端及所述第五晶体管的第三端均为所述第二电流镜的另一端；所述第二晶体管的第一端、所述第三晶体管的第一端分别与所述电源端连接；所述第
二晶体管的第二端与所述第三晶体管的第二端连接；所述第二晶体管的第三端与所述第四晶体管的第一端连接；所述第三晶体管的第三端分别与所述第三晶体管的第二端、所述第五晶体管的第一端连接；所述第三晶体管的第二端还与所述电流合成器模块的输入端连接；所述第四晶体管的第一端与所述第四晶体管的第二端连接；所述第四晶体管的第二端...
【专利技术属性】
技术研发人员：余振兴，赵衍，
申请(专利权)人：太景科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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