比较电路与负电压生成系统技术方案

本公开提供一种比较电路与负电压生成系统，所述比较电路的输入电压连接输入晶体管的源极。本公开实施例可以降低比较电路的功耗。本公开实施例可以降低比较电路的功耗。本公开实施例可以降低比较电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
比较电路与负电压生成系统


[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种具有较低功耗的比较电路以及应用该比较电路的负电压生成系统。

技术介绍

[0002]在DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)芯片中需要提供多种供电电压，其中包括为灵敏放大器、子字线驱动器(sub wordline driver)等提供的衬底电压，以及关闭字线(wordline)需要的电压。为了减少漏电，往往需要提供负电压，如
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0.7V、
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0.5V、
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0.2V、
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0.3V等。在DRAM中通常使用电荷泵电路提供负的供电电压，并使用比较电路对电荷泵的输出电压进行检测，以在电荷泵的输出电压达到目标电压时控制电荷泵停止工作，在电荷泵的输出电压未达到目标电压时控制电荷泵继续工作。
[0003]图1是相关技术中负电压比较电路的电路图。参考图1，在现有技术中，一般将负电压Vneg通过第一电阻R1和第二电阻R2构成的分压电路转换成正电压Vin后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种比较电路，其特征在于，输入电压连接输入晶体管的源极。2.如权利要求1所述的比较电路，其特征在于，所述输入晶体管包括第一输入晶体管和第二输入晶体管，所述比较电路包括：第一输入晶体管，栅极连接第一参考电压，源极接地，漏极连接第一节点；第二输入晶体管，栅极连接第二参考电压，源极连接所述输入电压，漏极连接比较电路的输出端；电流镜模块，输入端连接所述第一节点，输出端连接所述比较电路的输出端。3.如权利要求2所述的比较电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：第一晶体管，栅极和漏极连接所述第一节点，源极连接电源电压；第二晶体管，栅极连接所述第一节点，源极连接所述电源电压，漏极连接所述比较电路的输出端。4.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为P型晶体管，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管均为N型晶体管。5.如权利要求3所述的比较电路，其特征在于，所述第二输入晶体管的沟道宽长比与所述第一输入晶体管的沟道宽长比具有第一比值，所述第二晶体管的沟道宽长比与所述第一晶体管的沟道宽长比具有第二比值，所述第二比值等于所述第一比值。6.如权利要求5所述的比较电路，其特征在于，所述第一比值和所述第二比值均等于1。7.如权利要求2所述的比较电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：第一晶体管，源极连接所述电源电压，栅极和漏极连接第二节点；第二晶体管，源极连接所述电源电压，栅极连接所述第二节点，漏极连接第三节点；第三晶体管，源极连接所述第二节点，漏极连接所述第一节点，栅极连接第四节点；第四晶体管，源极连接所述第三节点，栅极连接所述第四节点，漏极连接所述比较电路的输出端；其中，所述第四节点连接外部偏置电压。8.如权利要求7所述的比较电路，其特征在于，所述外部偏置电压低于所述电源电压，高于接地电压，用于控制所述第三晶体管和所述第四晶体管工作在饱和区。9.如权利要求2所述的比较电路，其特征在于，所述电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚园媛，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：