用于电子装置的泄放电路系统制造方法及图纸

本申请案涉及用于电子装置的泄放电路系统。装置和方法包含电压总线。所述装置还包含耦合到所述电压总线的一或多个功率放大器。所述一或多个功率放大器中的每一个包含一或多个晶体管。所述装置还包含被配置成仿真来自所述一或多个晶体管中的至少一个的泄漏的模型。电流镜具有耦合到所述模型的第一晶体管和耦合到所述电压总线的第二晶体管。所述电流镜被配置成至少部分地基于来自所述模型的所述所仿真泄漏，吸取来自所述电压总线的电荷。吸取来自所述电压总线的电荷。吸取来自所述电压总线的电荷。

【技术实现步骤摘要】
用于电子装置的泄放电路系统


[0001]本公开的实施例大体上涉及用于电子装置中的电荷的吸收器。举例来说，泄放电路系统可用于吸收来自一或多个晶体管(例如，PMOS)的电流以消减归因于泄漏电流引起的一或多个电压总线上的电压漂移。

技术介绍

[0002]存储器装置和/或其它电子装置中的各种操作可依赖于利用一或多个晶体管的功率放大器。举例来说，一或多个晶体管可包含p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和/或n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。功率放大器可利用一或多个晶体管提供用于存储器装置和/或电子装置的相对大的电流(例如，1mA)。然而，一或多个晶体管可在一些待用模式期间泄漏一些电流。举例来说，当一或多个晶体管关断时，所述一或多个晶体管可泄漏切断电流(Ioff)。泄放电路系统可用于吸收泄漏电流以维持总线电压。然而，当众多(例如，100个或更多个)功率放大器用于存储器装置和/或其它电子装置中时，泄放电路系统的一些实施方案可相对较大。这对于基于放大器的泄放电路系统实施方案更为事实。另外，泄放电路系统可消耗额外电力(例如，经由放大器)，造成电力浪费。实际上，一些基于放大器的泄放电路系统即使在泄放电路系统不泄放来自经连接电压总线的电流时仍可能消耗电力。
[0003]本公开的实施例可针对于上文所阐述的问题中的一或多个。

技术实现思路

[0004]在一个方面中，本申请案提供一种半导体装置，其包括：电压总线；一或多个功率放大器，其耦合到所述电压总线，其中所述一或多个功率放大器中的每一个包括一或多个晶体管；模型，其被配置成仿真来自所述一或多个晶体管中的至少一个的泄漏；和电流镜，其具有耦合到所述模型的第一晶体管和耦合到所述电压总线的第二晶体管，其中所述电流镜被配置成至少部分地基于来自所述模型的所述所仿真泄漏，吸取来自所述电压总线的电荷。
[0005]在另一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：使用模型晶体管产生经建模泄漏电流，所述模型晶体管将功率放大器的晶体管中的泄漏电流建模；将所述经建模泄漏电流发射到串联耦合的多个电流镜的第一支脚；和使用所述多个电流镜的耦合到电压总线的第二支脚，使用所述第二支脚处的补偿电流减少归因于来自多个功率放大器的泄漏电流引起的所述电压总线的改变，所述补偿电流至少部分地基于经建模泄漏电流。
[0006]在另一方面中，本申请案提供一种装置，其包括：电压总线；多个功率放大器，其各自包括晶体管；模型晶体管，其被配置成产生经建模电流泄漏，所述经建模电流泄漏仿真所述多个功率放大器中的一个的所述晶体管的泄漏；和多个电流镜，其具有串联耦合于所述多个电流镜中的每一个之间的相应第一和第二支脚，其中所述多个电流镜被配置成在所述多个电流镜中的电流镜的相应第一支脚处接收所述经建模电流泄漏并且在所述电流镜的相应第二支脚处基于所述经建模电流泄漏产生补偿电流，以降低归因于来自所述多个功率
放大器的泄漏引起的所述电压总线上的电压波动。
附图说明
[0007]图1是说明根据本公开的一实施例的具有一或多个功率放大器的电子装置的简化框图；
[0008]图2是根据本公开的一实施例的图1的电子装置的功率放大器和泄放电路系统的电路图；
[0009]图3是根据本公开的一实施例的图2的泄放电路系统的基于放大器的实施例的框图；
[0010]图4是根据本公开的一实施例的图2的泄放电路系统的基于电流镜像的实施方案的电路图；和
[0011]图5是根据本公开的一实施例的图4的泄放电路系统的基于电流镜像的实施方案的电路图，在其中具有起动晶体管以在图1的电子装置的起动期间平衡泄放电路系统的基于电流镜像的实施方案。
具体实施方式
[0012]下文将描述一个或多个具体实施例。为了提供这些实施例的简要描述，不会在本说明书中描述实际实施方案的所有特征。应了解，在任何这样的实际实施方案的发展中，如同在任何工程或设计项目中，必须制定许多实施方案特定性的决策以实现研发者的特定目标，例如与系统相关和企业相关约束条件的一致性，这可以从一个实施方案到另一实施方案有所变化。此外，应了解，此类开发工作可能是复杂且耗时的，然而对于受益于本公开的所属领域的技术人员来说，这些都是设计、构造和制造中的常规任务。
[0013]如先前论述，泄放电路系统可用于吸收泄漏电流以维持总线电压。然而，当众多(例如，100个或更多个)功率放大器用于存储器装置和/或其它电子装置中时，泄放电路系统的基于放大器的实施方案可相对较大。另外，泄放电路系统可消耗额外电力(例如，经由放大器)，例如即使在泄放电路系统不主动泄放掉来自电压总线的电荷时或在泄放掉各种大小的电流时仍消耗电力，造成电力浪费。替代地，如下文所论述，泄放电路系统的基于电流镜的实施方案可消耗较少电力并具有较小大小。基于电流镜的实施方案包含一或多个(例如，2个)电流镜。如下文所论述，泄放电路系统的基于电流镜的实施方案可包含被配置成将来自功率放大器的一或多个晶体管中的至少一个的泄漏建模的模型。举例来说，所述模型可包含与单个功率放大器的晶体管的类型和大小相同的晶体管。举例来说，模型晶体管可为与功率放大器中的PMOS晶体管的大小相同的p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
[0014]电流镜中的一个的一个支脚耦合到模型，且同一电流镜的另一支脚耦合到具有归因于功率放大器中的泄漏而可波动的电压的电压总线。电流镜的两个支脚的晶体管的栅极耦合在一起以实施电流镜。左支脚的晶体管的大小可与右支脚的晶体管的大小成比例。举例来说，左支脚的晶体管可为右支脚的晶体管的N倍。N是其泄漏正在减少的功率放大器晶体管的数目。右支脚和左支脚的晶体管具有相同类型，例如PMOS型晶体管。
[0015]泄放电路系统还包含另一电流镜，其左支脚耦合到另一电流镜的左支脚，且右支
脚耦合到另一电流镜的右支脚。此电流镜的左支脚和右支脚的晶体管还成如下比例：左支脚的晶体管为右支脚的晶体管的N倍，其中N是其泄漏正在减少的功率放大器晶体管的数目。这些晶体管的类型可彼此相同，而与另一电流镜的晶体管具有不同类型。举例来说，左支脚和右支脚的晶体管可为连接到另一电流镜的PMOS晶体管的n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
[0016]在一些情况下，泄放电路系统可易受两个电流镜之间两者的独立操作影响举例来说，在电子装置或泄放电路系统的起动期间，电流镜中的至少一个可独立循环。为了在起动期间平衡电流镜，起动晶体管可耦合于第一电流镜的晶体管的栅极与第二电流镜的晶体管的栅极之间。
[0017]现转而参考各图，图1是说明具有一或多个功率放大器12的某些特征的电子装置10的简化框图。具体地，图1的框图是说明电子装置10的仅某些功能性的功能框图。功率放大器12将信号/电压/电流放大到所要经放大电平。根据一个实施例，电子装置10可为双倍数据速率类型五同步动态随机存取存储器(DDR5 SDRAM)装置或双数据速率类型四同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)。另外或替代地，电子装置10可包含任何类型的电子装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：电压总线；一或多个功率放大器，其耦合到所述电压总线，其中所述一或多个功率放大器中的每一个包括一或多个晶体管；模型，其被配置成仿真来自所述一或多个晶体管中的至少一个的泄漏；和电流镜，其具有耦合到所述模型的第一晶体管和耦合到所述电压总线的第二晶体管，其中所述电流镜被配置成至少部分地基于来自所述模型的所述所仿真泄漏，吸取来自所述电压总线的电荷。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述模型包括被配置成产生穿过被配置成进行以下操作的晶体管的泄漏电流的仿真晶体管：仿真来自所述一或多个功率放大器中的功率放大器的所述一或多个晶体管的功率放大器晶体管的泄漏。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述泄漏电流大于或等于来自所述功率放大器晶体管的所述泄漏。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述功率放大器晶体管仿真当所述功率放大器晶体管处于待用模式中或转变到待用模式时的所述泄漏。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的栅极和所述第二晶体管的漏极。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管是所述第一晶体管的N倍，其中N是具有减少的泄漏的所述一或多个功率放大器的数目。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括耦合到所述电流镜的额外电流镜，其中所述额外电流镜包括耦合到所述第一晶体管的第三晶体管和耦合到所述第二晶体管的第四晶体管。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一和第二晶体管包括p沟道金属氧化物半导体。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第三和第四晶体管包括n沟道金属氧化物半导体。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第四晶体管的栅极耦合到所述第三晶体管的栅极和漏极。11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的漏极耦合到所述第三晶体管的漏极，且所述第二晶体管的漏极耦合到所述第四晶体管的漏极。12.根据权利要求7所述的半导体装置，其包括处于所述电流镜的节点与所述额外电流镜的节点之间以在所述半导体装置的起动期间平衡所述电流镜和额外电流镜的操作的起动晶体管。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述电流镜的所述节点耦合到所述第一晶体管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚炜路，潘栋，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：