【技术实现步骤摘要】
电压产生电路、漏电流补偿方法及芯片
[0001]本专利技术是关于集成电路领域，特别是关于一种电压产生电路、漏电流补偿方法及芯片。
技术介绍
[0002]基准电压产生电路是现代集成电路内部的基本模块，其为其它电路提供参考电压。其通常采用BJT器件实现温度不敏感的特性，然而BJT器件的寄生PN结在高温环境下的漏电流会增加，从而导致参考电压随温度变化，在低功耗基准电压产生电路中，这一现象尤为明显。
[0003]现有的最简单的方案是增加BJT的电流，但要求其要远大于漏电流，使得整体功耗较大。另外一个方案是使用PNP晶体管，但是PNP晶体管的电流放大能力较弱，基极电流对输出电压的影响不能忽略。
[0004]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种电压产生电路、漏电流补偿方法及芯片，其能够补偿NPN晶体管的寄生PN结在高温环境下产生的漏电流...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压产生电路，其特征在于，包括：带隙集电极单元，包括第一三极管和N个第二三极管，所述第一三极管的基极与集电极相连，N个所述第二三极管的基极和集电极相连，所述第一三极管的发射极与N个所述第二三极管的发射极相连且同时与地相连，N≥1；以及补偿单元，所述补偿单元包括：第一复制单元，与第一三极管或N个第二三极管的集电极相连以输出与第一三极管或N个第二三极管的集电极端的电压成比例的复制电压；采样单元，与第一复制单元相连，所述采样单元基于复制电压获得与第一三极管或N个第二三极管的寄生二极管的漏电流成比例的采样电流；第二复制单元，与第一复制单元、第一三极管的集电极和N个第二三极管的集电极相连，所述采样电流经第一复制单元传输至第二复制单元，所述第二复制单元用于将采样电流按比例复制成补偿电流并输送至第一三极管和N个第二三极管的集电极。2.如权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，所述第二复制单元包括电流镜电路，所述电流镜电路与第一复制单元相连，所述电流镜电路同时与第一三极管和N个第二三极管的集电极相连以将采样电流按比例复制成对应的补偿电流并输送至第一三极管和N个第二三极管的集电极以补偿第一三极管和N个第二三极管的寄生二极管的漏电流。3.一种电压产生电路，其特征在于，包括：带隙集电极单元，包括第一三极管和N个第二三极管，所述第一三极管的基极与集电极相连，N个所述第二三极管的基极和集电极相连，所述第一三极管的发射极与N个所述第二三极管的发射极相连且同时与地相连，N≥1；以及多个补偿单元，多个所述补偿单元分别与第一三极管和N个第二三极管的集电极相连，用于分别对第一三极管和N个第二三极管的寄生二极管的漏电流进行补偿，所述补偿单元包括：第一复制单元，分别与第一三极管和N个第二三极管的集电极相连以分别输出与对应的三极管的集电极端的电压成比例的复制电压；采样单元，分别与各第一复制单元分别相连，各所述采样单元基于对应的复制电压获得与对应的三极管的寄生二极管的漏电流成比例的采样电流；第二复制单元，分别与各第一复制单元以及三极管的集电极相连，所述采样电流经第一复制单元传输至对应的第二复制单元，所述第二复制单元用于将采样电流按比例复制成补偿电流并输送至对应的三极管的集电极。4.如权利要求1或3所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一复制单元包括第二放大器和第二MOS管，所述第二放大器的第一输入端与对应的三极管的集电极相连，所述第二放大器的第二输入端与采样单元相连，所述第二MOS管的栅极与第二放大器的输出端相连，所述第二MOS管的源极与采样单元相连，所述第二MOS管的漏极与第二复制单元相连。5.如权利要求1或3所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一复制单元包括第二MOS管，所述第二MOS管为native
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MOS管，所述第二MOS管的栅极与对应的三极管的集电极相连，所述第二MOS管的源极与采样单元相连，所述第二MOS管的漏极与第二复制单元相连。6.如权利要求1或3所述的电压产生电路，其特征在于，所述采样单元包括第三三极管，所述第三三极管的基极、发射极与集电极相连且与第一复制单元相连。
7.如权利要求3所述的电压产生电路，其特征在于，所述第二复制单元包括电流镜电路，各所述电流镜电路将各采样电流按比例复制成各补偿电流并输送至对应的三极管的集电极以补偿对应的三极管的寄生二极管的漏电流。8.如权利要求2或7所述的电压产生电路，其特征在于，所述电流镜电路为cascade电流镜电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张三锋，张睿，潘翔鑫，杨雪，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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