半导体器件的制作方法及半导体器件结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构，通过第三沟槽的设置，使得第三沟槽内第三沟槽隔离结构在填充满第三沟槽的过程中产生外扩应力，挤压隔离沟槽以减小隔离沟槽的缝隙宽度，从而在适量增加隔离沟槽宽度（能够增加隔离沟槽的深度）后仍然能减少刻蚀步骤时对隔离沟槽内介质层的刻蚀损失，保持隔离沟槽内介质层（热氧化物层和介电层）的厚度，不影响隔离沟槽内的沟槽隔离结构的隔离性能，进一步提高埋层到衬底的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体工艺，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构。

技术介绍

1、现有的集成嵌入式半导体器件，为了对集成在单个芯片或集成电路中的不同类型的器件进行隔离，会设置隔离结构。传统的，通过第一沟槽结构（深入埋层）将半导体主体中的埋层引出至表面，通过第二沟槽结构（深入衬底）将半导体主体中的衬底引出至表面，施加电压后形成位于第一沟槽结构围设范围内的隔离区，同时，在第一沟槽结构和第二沟槽结构之间会设置沟槽隔离结构以提高埋层到衬底的击穿电压。

2、但基于制作工艺的限制，第二沟槽结构和沟槽隔离结构的制作过程中，沟槽隔离结构的设置深度会存在一定程度的限制，从而影响沟槽隔离结构的隔离效果，进而影响埋层到衬底的击穿电压大小。基于此，如何进一步提高埋层到衬底的击穿电压，是个值得深究的问题。

3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第三沟槽内形成第三沟槽隔离结构，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，控制所述第三沟槽隔离结构的形成厚度以使所述第三沟槽隔离结构在形成过程中产生外扩应力，包括：

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，控制所述第三沟槽隔离结构的形成厚度以使所述第三沟槽隔离结构在形成过程中产生外扩应力，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体主体中形成第二沟槽、隔...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第三沟槽内形成第三沟槽隔离结构，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，控制所述第三沟槽隔离结构的形成厚度以使所述第三沟槽隔离结构在形成过程中产生外扩应力，包括：

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，控制所述第三沟槽隔离结构的形成厚度以使所述第三沟槽隔离结构在形成过程中产生外扩应力，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体主体中形成第二沟槽、隔离沟槽和至少一个第三沟槽的过程中，控制所述隔离沟槽和与其相邻的所述第三沟槽之间的间距，使得该间距至少大于或者等于所述第三沟槽的最小宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，当所述第二沟槽和所述隔离沟槽之间形成有所述第三沟槽时，控制所述第二沟槽和与其相邻的所述第三沟槽之间的间距，使得该间距至少大于或者等于所述第三沟槽的最小宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：马小波，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：