温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构，通过第三沟槽的设置，使得第三沟槽内第三沟槽隔离结构在填充满第三沟槽的过程中产生外扩应力，挤压隔离沟槽以减小隔离沟槽的缝隙宽度，从而在适量增加隔离沟槽宽度（能够增加隔离沟槽的深度）后仍然能...
该专利属于思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。