电流镜电路和供电系统技术方案

技术编号:35988779 阅读:27 留言:0更新日期:2022-12-17 23:03
本公开涉及一种电流镜电路和供电系统。电流镜电路包括:电流源、电流输入模块、镜像电流输出模块、滤波模块和充电控制模块,滤波模块位于电流输入模块和镜像电流输出模块之间;电流输入模块与电流源相连用于输入电流;滤波模块用于对流经滤波模块的电流进行滤波处理,得到滤波后的电流;充电控制模块与滤波模块相连用于根据滤波模块的充电状态确定是否对滤波模块进行充电,以缩短滤波模块的充电时长;镜像电流输出模块用于按照预设倍数对滤波后的电流进行镜像处理,并输出镜像电流。如此,可以增大滤波模块的充电电流,缩短滤波模块的充电时长,从而缩短了噪声抑制的等待时间,有效提升了抑制噪声的效率。升了抑制噪声的效率。升了抑制噪声的效率。

【技术实现步骤摘要】
电流镜电路和供电系统


[0001]本公开涉及集成电路设计
,具体地,涉及一种电流镜电路和供电系统。

技术介绍

[0002]电流镜电路是模拟集成电路设计领域中最常见的基本单元之一,其噪声影响该电流镜电路所在的芯片的整体噪声,尤其影响电流舵模数转换器的电流镜阵列或者压控振荡器的噪声性能。相关技术中,一般采用电流镜电路中插入RC滤波电路,滤除电流源中的噪声、以及电源或地中的噪声。为了最大程度地滤除噪声,通常RC取值都很大,如此,会导致RC充电时间较长,由于需要对RC充满电之后才能对噪声进行抑制,如此,会导致噪声抑制的效率较低。

技术实现思路

[0003]本公开的目的是提供一种电流镜电路和供电系统,以缩短滤波电路的充电时长。
[0004]为了实现上述目的,本公开第一方面提供一种电流镜电路,所述电路包括:电流源、电流输入模块、镜像电流输出模块、滤波模块和充电控制模块,其中,所述滤波模块位于所述电流输入模块和所述镜像电流输出模块之间;
[0005]所述电流输入模块与所述电流源相连,用于输入电流;
[0006]所述滤波模块,用于对流经所述滤波模块的电流进行滤波处理,得到滤波后的电流;
[0007]所述充电控制模块与所述滤波模块相连,用于根据所述滤波模块的充电状态确定是否对所述滤波模块进行充电,以缩短所述滤波模块的充电时长;
[0008]所述镜像电流输出模块,用于按照预设倍数对滤波后的电流进行镜像处理,并输出镜像电流。
[0009]可选地,所述滤波模块包括滤波电阻和滤波电容,所述滤波电阻的第一端与所述电流输入模块相连,所述滤波电阻的第二端分别与所述滤波电容的第一端和镜像电流输出模块相连,所述滤波电容的第二端接地。
[0010]可选地,所述充电控制模块包括压差检测单元和开关管,所述压差检测单元与所述开关管相连;
[0011]所述压差检测单元分别与所述滤波电阻的两端相连,用于检测所述滤波电阻两端的电压,并在所述滤波电阻的第一端的电压大于所述滤波电阻第二端的电压时,控制所述开关管导通,以及,在所述滤波电阻的第一端的电压小于或等于所述滤波电阻第二端的电压时,控制所述开关管断开。
[0012]可选地,所述电流输入模块包括第一晶体管,所述镜像电流输出模块包括第二晶体管;
[0013]所述第一晶体管的第一端与所述电流源的第一端相连,所述第一晶体管的第二端与所述滤波电阻的第一端相连,所述第一晶体管的第三端用于与第一目标端相连,且所述
第一晶体管的第一端与第二端相连;
[0014]所述电流源的第二端用于与第二目标端相连;
[0015]所述第二晶体管的第一端用于与目标电路相连,用于向所述目标电路输出镜像电流,所述第二晶体管的第二端与所述滤波电容的第一端相连,所述第二晶体管的第三端用于与所述第一目标端相连。
[0016]可选地,在所述第一晶体管为第一NMOS管,第二晶体管为第二NMOS管时,所述第一目标端为地端,所述第二目标端为电源端;在所述第一晶体管为第一PMOS管,第二晶体管为第二PMOS管时,所述第一目标端为电源端,所述第二目标端为地端。
[0017]可选地,所述压差检测单元为运算放大器,所述开关管为第三晶体管;
[0018]所述运算放大器的输入负端与所述滤波电阻的第一端相连,所述运算放大器的输入正端与所述滤波电阻的第二端相连,所述运算放大器的输出端与所述第三晶体管的第二端相连;
[0019]所述第三晶体管的第一端与所述滤波电容的第一端相连,所述第三晶体管的第三端与第三目标端相连;
[0020]其中,若第三晶体管为NMOS管则所述第三目标端为地端,若第三晶体管为PMOS管则所述第三目标端为电源端。
[0021]可选地,所述压差检测单元为运算放大器,所述开关管为第四晶体管;
[0022]所述运算放大器的输入正端与所述滤波电阻的第一端相连,所述运算放大器的输入负端与所述滤波电阻的第二端相连,所述运算放大器的输出端与所述第四晶体管的第二端相连;
[0023]所述第四晶体管的第三端与所述滤波电容的第一端相连,所述第四晶体管的第一端与第四目标端接地;
[0024]其中,若第四晶体管为NMOS管则第四目标端为电源端,若第四晶体管为PMOS则第四目标端为地端。
[0025]可选地,所述电流源、所述电流输入模块、所述镜像电流输出模块、所述滤波电阻和所述充电控制模块集成设置,所述滤波电容为分立元件。
[0026]可选地,所述滤波电容为微法级电容。
[0027]本公开第二方面提供一种供电系统,包括芯片和如本公开第一方面提供的所述的电流镜电路,其中,所述电流镜电路中的所述电流源、所述电流输入模块、所述镜像电流输出模块、所述滤波电阻和所述充电控制模块集成设置在芯片上,所述滤波电容设置在所述芯片之外。
[0028]采用上述电流镜电路,充电控制模块与滤波模块相连,充电控制模块能够根据滤波模块的充电状态确定是否对滤波模块进行充电,如此,可以增大滤波模块的充电电流,缩短滤波模块的充电时长,从而缩短了噪声抑制的等待时间,有效提升了抑制噪声的效率。
[0029]本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0030]附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:
[0031]图1是根据一示例性实施例示出的一种电流镜电路的框图。
[0032]图2是根据一示例性实施例示出的一种电流镜电路的电路图。
[0033]图3是根据一示例性实施例示出的另一种电流镜电路的电路图。
具体实施方式
[0034]以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。
[0035]图1是根据一示例性实施例示出的一种电流镜电路的框图。如图1所示,该电流镜电路包括电流源101、电流输入模块102、镜像电流输出模块103、滤波模块104和充电控制模块105。其中,滤波模块104位于电流输入模块102和镜像电流输出模块103之间。
[0036]如图1所示,电流输入模块102与电流源101相连用于输入电流。滤波模块104用于对流经滤波模块104的电流进行滤波处理,得到滤波后的电流。充电控制模块105与滤波模块104相连,用于根据滤波模块104的充电状态确定是否对滤波模块104进行充电,以缩短滤波模块104的充电时长。镜像电流输出模块103用于按照预设倍数对滤波后的电流进行镜像处理,并输出镜像电流。
[0037]示例地,在滤波模块104的充电状态为正在充电状态时,充电控制模块105对滤波模块104进行充电,也即是说,除了利用电流源101进行充电之外,还利用充电控制模块105对滤波模块104进行充电,增大滤波模块104的充电电流,进而缩短了滤波模块1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路,其特征在于,所述电路包括:电流源、电流输入模块、镜像电流输出模块、滤波模块和充电控制模块,其中,所述滤波模块位于所述电流输入模块和所述镜像电流输出模块之间;所述电流输入模块与所述电流源相连,用于输入电流;所述滤波模块,用于对流经所述滤波模块的电流进行滤波处理,得到滤波后的电流;所述充电控制模块与所述滤波模块相连,用于根据所述滤波模块的充电状态确定是否对所述滤波模块进行充电,以缩短所述滤波模块的充电时长;所述镜像电流输出模块,用于按照预设倍数对滤波后的电流进行镜像处理,并输出镜像电流。2.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,所述滤波模块包括滤波电阻和滤波电容,所述滤波电阻的第一端与所述电流输入模块相连,所述滤波电阻的第二端分别与所述滤波电容的第一端和镜像电流输出模块相连,所述滤波电容的第二端接地。3.根据权利要求2所述的电流镜电路,其特征在于,所述充电控制模块包括压差检测单元和开关管,所述压差检测单元与所述开关管相连;所述压差检测单元分别与所述滤波电阻的两端相连,用于检测所述滤波电阻两端的电压,并在所述滤波电阻的第一端的电压大于所述滤波电阻的第二端的电压时,控制所述开关管导通,以及,在所述滤波电阻的第一端的电压小于或等于所述滤波电阻第二端的电压时,控制所述开关管断开。4.根据权利要求3所述的电流镜电路,其特征在于,所述电流输入模块包括第一晶体管,所述镜像电流输出模块包括第二晶体管;所述第一晶体管的第一端与所述电流源的第一端相连,所述第一晶体管的第二端与所述滤波电阻的第一端相连,所述第一晶体管的第三端用于与第一目标端相连,且所述第一晶体管的第一端与第二端相连;所述电流源的第二端用于与第二目标端相连;所述第二晶体管的第一端用于与目标电路相连,用于向所述目标电路输出镜像电流,所述第二晶体管的第二端与所述滤波电容的第一端相连,所述第二晶体管的第三端用于与所述第一目标端相连。5.根据权利要求4所述的电流镜电路,其特征在于,在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:王本川黄强王彦浩
申请(专利权)人:北京思凌科半导体技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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