固态成象器件和使用该器件检测光信号的方法技术

技术编号:3616924 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是使用成象器件检测光信号的方法,该方法包括以下步骤:通过信号光在光电二极管的阱区15中产生光生空穴,通过大部分阱区15把光生空穴转移到形成在源区16附近的阱区15中的重掺杂掩埋层25中,重掺杂掩埋层25用比绝缘栅FET的阱区15重的杂质掺杂,在重掺杂掩埋层25中储存光生空穴,由此与光生电荷的量相对应改变FET的阈值电压,读取阈值电压的变化,作为被光传感器接收的信号光的量。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种固态成象器件,其配备有多个单元象素,每个单元象素包括光电二极管和绝缘栅场效应晶体管, 所述光电二极管包括: 具有第一导电类型的衬底; 形成在所述衬底上并具有第二导电类型的半导体层; 形成在所述半导体层上并具有第一导电类型的阱区; 形成在所述阱区的表面上并具有第二导电类型的杂质区,和 所述绝缘栅场效应晶体管包括: 形成在所述阱区的表面上的漏区,延伸到所述杂质区,并具有第二导电类型; 形成在所述阱区的表面上的源区,与所述漏区隔开,并具有第二导电类型; 形成在栅绝缘层上的栅极,其中栅绝缘层形成在栅区上,栅区是所述漏区和所述源区之间的所述阱区;和 形成在所述栅极下面的所述源区附近的所述阱区中的重掺杂掩埋层,所述重掺杂掩埋层用高于所述阱区的浓度的第一导电类型的杂质掺杂。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:三井田高
申请(专利权)人:伊诺太科株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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