制造固态成像器件的方法技术

在一种导电类型的半导体衬底１的主表面部分中形成构成光电转换元件的相反导电类型的第一杂质区２和构成传输元件的相反导电类型的掩埋沟道区３，所述传输元件用于传输信号电荷，并且在该半导体衬底上形成第一绝缘膜４。然后，在包含所述掩埋沟道区上的一个区的区域中形成读出电极５，并且形成用于覆盖所述读出电极的第二绝缘膜６。此后，形成侧墙形成膜７ａ，并且基于一个蚀刻选择比来进行选择性蚀刻，由此在所述读出电极的侧面上形成侧墙７，同时第二绝缘膜置于其间。接着，利用所述读出电极和所述侧墙作为掩膜来进行离子注入，以便以自对准的方式形成一种导电类型的第二杂质区８，接着除去所述侧墙。在不降低灵敏度的情况下能够得到减小的暗电流、稳定的读出电压等，并且可以保持第二绝缘膜足够的厚度。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
方法
本专利技术涉及一种用于制造具有减小的暗电流和稳定的读出电压的固态成像器件的方法。2、相关技术介绍广知具有掩埋型光电二极管结构的固态成像器件，如JP57(1982)-062557A所介绍的。而且，在减小污点(smear)的尝试中，广泛地将如JP8(1996)-130299A中所描述的结构应用于固态成像器件。下文中，将描述一种典型的制造固态成像器件的常规方法。图3是说明常规固态成像器件的主要部分的截面图。图4是在穿过光电元件分离部分的方向(元件分离方向)上截取的固态成像器件的截面图。在图3和4中，参考编号21表示P型半导体衬底，在其主表面区中，形成了构成光电转换元件的N型杂质区22、垂直CCD的掩埋沟道23、P+型杂质区27和元件分离区30。在P型半导体衬底21的表面上形成绝缘膜24，并且在绝缘膜24上形成读出电极25，以便与相应的掩埋沟道23重叠。每一个读出电极25都覆盖有绝缘膜26和保护膜28。此外，在保护膜28上形成光屏蔽膜29，使得仅在每一个N型杂质区22的上面设置一个开口。在常规的固态成像器件的光接收部分中，N型杂质区22的表面覆盖有P+型杂质区27，从而减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造固态成像器件的方法，包括：在一种导电类型的半导体衬底的主表面部分中选择性地形成构成光电转换元件的相反导电类型的第一杂质区；在所述半导体衬底的所述主表面部分中形成构成传输元件的相反导电类型的掩埋沟道区，所述传输元件用于 从所述光电转换元件传输信号电荷；在所述半导体衬底上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上、在包含掩埋沟道区上的一个区的区域中形成一个读出电极，用于从所述光电转换元件读出和传输信号电荷；　形成用于覆盖该读出电极的第二绝缘膜 ；在包含第二绝缘膜上的一个区域的半导体衬底上形成侧墙形成膜；进行蚀刻，以使相对于...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：边见健，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]