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本发明是使用成象器件检测光信号的方法，该方法包括以下步骤：通过信号光在光电二极管的阱区１５中产生光生空穴，通过大部分阱区１５把光生空穴转移到形成在源区１６附近的阱区１５中的重掺杂掩埋层２５中，重掺杂掩埋层２５用比绝缘栅ＦＥＴ的阱区１５重的杂...
该专利属于伊诺太科株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过伊诺太科株式会社授权不得商用。

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