用于电迁移测试的虚置结构制造技术

本申请提供了一种用于电迁移测试的虚置结构，该虚置结构包括绝缘介质层、多个第一开口、一个第二开口以及多个第一金属块，其中，多个第一开口沿第一方向间隔的开设在绝缘介质层中，第一方向为垂直于绝缘介质层厚度的方向；第二开口开设在绝缘介质层中，第二开口位于多个第一开口的一侧，且第二开口沿第一方向的长度大于第一开口沿第一方向的长度；多个第一金属块均匀的间隔设置在绝缘介质层的表面上。该用于电迁移测试的虚置结构通过设计一个第二开口，使得金属测试结构以及待测金属线能够裸露，从而在找出失效点的时候不会使金属测试结构以及待测金属线受到损伤，进而解决了现有技术中用于电迁移测试的虚置结构在研磨时容易损伤失效点的问题。容易损伤失效点的问题。容易损伤失效点的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于电迁移测试的虚置结构


[0001]本申请涉及半导体测试
，具体而言，涉及一种用于电迁移测试的虚置结构。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体器件的尺寸不断缩小、集成度不断的提高，半导体器件工作时的电流不断增加，电迁移（Electromigration，EM）效应成为半导体器件可靠性的瓶颈之一。电迁移效应是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因为该电迁移现象而出现空洞（Void），进而发生断路，而某些部位会因为该电迁移现象而出现小丘（Hillock），进而造成电路短路。芯片在出厂前会进行可靠性相关测试，针对后段制程的电迁移测试则是一项评估金属连线的方法。经过电迁移测试后的金属线会产生缺陷，后期需要针对失效样品进行物理剥层，确认失效点位置，分析失效原因。
[0003]失效点通常在通孔（Via）的底部和施加电流的金属线（Stress Metal Line）上，为了查看整条施加电流的金属线，就需要将覆盖在顶层金属线上的虚置结构完全移除，这必然导致移除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电迁移测试的虚置结构，其特征在于，包括：绝缘介质层；多个第一开口，沿第一方向间隔的开设在所述绝缘介质层中，所述第一方向为垂直于所述绝缘介质层厚度的方向；一个第二开口，开设在所述绝缘介质层中，所述第二开口位于多个所述第一开口的一侧，且所述第二开口沿所述第一方向的长度大于所述第一开口沿所述第一方向的长度；多个第一金属块，均匀的间隔设置在所述绝缘介质层的表面上。2.根据权利要求1所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：多个第二金属块，位于各所述第一开口的两侧，且沿所述第一方向排列，所述第二金属块沿第二方向的长度大于所述第一开口沿所述第二方向的长度，所述第二方向与所述绝缘介质层厚度的方向垂直且与所述第一方向垂直。3.根据权利要求2所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：多个第三金属块，位于所述第二开口的远离所述第一开口的一侧，且沿所述第一方向排列，所述第三金属块沿所述第一方向的长度小于所述第二开口沿所述第一方向的长度。4.根据权利要求3所述的虚置结构，其特征在于，所述虚置结构还包括：多个第四金属块，位于所述第三金属块的远离所述第二开口的一侧，且沿所述第二方向排列，所述第四金属块沿所述第一方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞佩佩，王丽雅，胡明辉，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：