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本申请提供了一种用于电迁移测试的虚置结构，该虚置结构包括绝缘介质层、多个第一开口、一个第二开口以及多个第一金属块，其中，多个第一开口沿第一方向间隔的开设在绝缘介质层中，第一方向为垂直于绝缘介质层厚度的方向；第二开口开设在绝缘介质层中，第二开...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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