基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：第一工艺腔室，在该第一工艺腔室中具有第一处理空间；第二工艺腔室，在该第二工艺腔室中具有第二处理空间；和排出单元，该排出单元用于排出第一处理空间和第二处理空间的气氛，其中排出单元包括：集成排出管线；第一排出管线，该第一排出管线连接第一工艺腔室和集成排出管线；第二排出管线，该第二排出管线连接第二工艺腔室和集成排出管线；以及分隔壁，该分隔壁将集成排出管线内的流动路径的部分部段分隔为第一流动路径和第二流动路径，通过第一排出管线排出的流体流过第一流动路径，通过第二排出管线排放的流体流过第二流动路径。径。径。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月7日提交韩国专利局的、申请号为10
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2021
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0073629的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本专利技术涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及一种执行显影工艺的基板处理装置。

技术介绍

[0004]为了制造半导体设备，执行了诸如清洁、沉积、摄影、蚀刻、和离子注入的各种工艺。在这些工艺中，摄影工艺包括：涂覆工艺，该涂覆工艺通过在基板的表面上施用光刻胶(诸如，光刻胶)来形成膜；曝光工艺，该曝光工艺将电路图案传送至形成在基板上的膜；以及显影工艺，该显影工艺选择性地去除在基板上已经执行曝光工艺的区域或与该区域相对的区域中形成的膜。
[0005]图1为示意性地示出了一般的基板处理装置的视图。参照图1，基板处理装置8000包括第一工艺腔室8100和第二工艺腔室8200。第一工艺腔室8100包括具有处理空间的第一处理容器8110、在处理空间中支承和旋转基板W的第一支承单元8120、以及用于排出处理空间的气氛的第一排出管线8130。第二工艺腔室8200包括具有处理空间的第二处理容器8210、在处理空间中支承和旋转基板W的第二支承单元8220、以及用于排出处理空间的气氛的第二排出管线8230。第一排出管线8130和第二排出管线8230连接至集成排出管线8300。第一排出管线8130、第二排出管线8230和减压单元(decompression unit)9000依次设置。从第一排出管线8130和第二排出管线8230中的每一个排出的流体在减压单元安装在集排出管线中的方向上流动。
[0006]因此，第一排出管线8130相对于集成排出管线8300、比第二排出管线8230更远离减压单元9000，使得与第二工艺腔室8200相比，在第一工艺腔室8100中，到处理空间的排出不会相对平稳地进行。此外，从第一排出管线8130引入的集成排出管线8300中的气流的流动和从第二排出管线8230引入的集成排出管线8300中的气流的流动在A点处碰撞，导致产生涡流。因此，与第二排出管线8230连接的第二工艺腔室8200的内部压力发生变化。第二工艺腔室8200的内部气氛不能平稳地排出。
[0007]也就是说，减压单元9000位于比第二工艺腔室8200相对更远离第一工艺腔室8100的位置，使得与第二工艺腔室8200的排出相比、第一工艺腔室8100的排出相对较不平稳。此外，由于在集成排出管线8300中连接第二排出管线8230的部分中的气流碰撞而形成了涡流。第二工艺腔室8200的内部气氛的排出不能平稳地进行。因此，难以控制用于执行显影工艺的每个工艺腔室的内部处理空间的压力。在每个工艺腔室中发生内部压力的变化，从而在显影工艺期间引起工艺缺陷。

技术实现思路

[0008]本专利技术致力于提供一种能够减少多个工艺腔室之间的排出干扰的基板处理装置。
[0009]本专利技术还致力于提供一种能够解决多个工艺腔室之间的内部压力偏差的基板处理装置。
[0010]本专利技术的目的不限于此，并且本领域普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
[0011]本专利技术的示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：第一工艺腔室，在该第一工艺腔室中具有第一处理空间；第二工艺腔室，在该第二工艺腔室中具有第二处理空间；以及排出单元，该排出单元排出第一处理空间和第二处理空间的气氛，其中排出单元包括：集成排出管线；第一排出管线，该第一排出管线连接第一工艺腔室和所述集成排出管线；第二排出管线，该第二排出管线连接第二工艺腔室和集成排出管线；以及分隔壁，该分隔壁将集成排出管线内的流动路径的部分部段分隔为第一流动路径和第二流动路径，通过第一排出管线排出的流体流过第一流动路径，通过第二排出管线排放的流体流过第二流动路径。
[0012]根据示例性实施方案，可以将分隔壁设置为沿集成排出管线的纵向方向、通过预定距离分隔第一流动路径和第二流动路径。
[0013]根据示例性实施方案，减压单元安装在集成排出管线中，并且第一排出管线、第二排出管线和减压单元沿集成排出管线的纵向方向依次设置。
[0014]根据示例性实施方案，排出单元还可以包括：第一调节器(damper)，该第一调节器调节第一流动路径的排出流量；和第二调节器，该第二调节器调节第二流动路径的排出流量。
[0015]根据示例性实施方案，在第一排出管线与第二排出管线之间，分隔壁的一端可以与集成排出管线的内壁的第一侧壁接触，以及分隔壁的另一端可以位于第一侧壁与面向第一侧壁的第二侧壁之间的位置。
[0016]根据示例性实施方案，第一排出管线和第二排出管线中的每一个都可以连接到第一侧壁，并且在第一点与第二点之间，分隔壁的一端可以位于更靠近第二点的位置，在第一排出管线和第一侧壁连接的点中、第一点与第二排出管线相邻，在第二排出管线和第一侧壁连接的点中、第二点与第一排出管线相邻。
[0017]根据示例性实施方案，分隔壁可以包括：第一部分，该第一部分从分隔壁的一端延伸；和第二部分，该第二部分从第一部分延伸到所述分隔壁的另一端，并且第一部分可以设置为在从集成排出管线的上游到下游的方向上向下倾斜，并且第二部分可以在朝向集成排出管的下游的方向上从第一部分延伸。
[0018]根据示例性实施方案，第一部分可以从分隔壁的一端延伸至第一侧壁与第二侧壁之间的中点。
[0019]根据示例性实施方案，第一工艺腔室和第二工艺腔室中的每一个可以设置为在基板上执行显影工艺。
[0020]本专利技术的另一示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：第一工艺腔室，该第一工艺腔室具有第一处理空间；第二工艺腔室，该第二工艺腔室具有第二处理空间；传送机械手，该传送机械手将基板传送至第一工艺腔室或第二工艺腔室；和排
出单元，该排出单元排出第一处理空间和第二处理空间的气氛，其中第一工艺腔室包括：第一处理容器，该第一处理容器提供第一处理空间；第一支承单元，该第一支承单元在第一处理空间中支承和旋转所述基板；和第一显影剂供应单元，该第一显影剂供应单元将显影剂供应到所述基板上，以及第二工艺腔室包括：第二处理容器，该第二处理容器提供第二处理空间；第二支承单元，该第二支承单元在第二处理空间中支承和旋转基板；和第二显影剂供应单元，该第二显影剂供应单元将显影剂供应到基板上，以及排出单元包括：集成排出管线；第一排出管线，该第一排出管线连接第一工艺腔室和集成排出管线；以及第二排出管线，该第二排出管线连接第二工艺腔室和集成排出管线；和分隔壁，该分隔壁在集成排出管线中、沿集成排出管线的纵向方向通过预定距离分隔第一流动路径和第二流动路径，通过第一排出管线排出的流体流过第一流动路径，通过第二排出管线排出的流体流过第二流动路径。
[0021]根据示例性实施方案，减压单元可以安装在集成排出管线中,该减压单元向集成排出管线提供负压，且第一排本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：第一工艺腔室，在所述第一工艺腔室中具有第一处理空间；第二工艺腔室，在所述第二工艺腔室中具有第二处理空间；以及排出单元，所述排出单元排出所述第一处理空间和所述第二处理空间的气氛，其中，所述排出单元包括：集成排出管线；第一排出管线，所述第一排出管线连接所述第一工艺腔室和所述集成排出管线；第二排出管线，所述第二排出管线连接所述第二工艺腔室和所述集成排出管线；以及分隔壁，所述分隔壁将所述集成排出管线内的流动路径的部分部段分隔为第一流动路径和第二流动路径，通过所述第一排出管线排出的流体流过所述第一流动路径，通过所述第二排出管线排放的流体流过所述第二流动路径。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述分隔壁设置为沿所述集成排出管线的纵向方向、通过预定距离分隔所述第一流动路径和所述第二流动路径。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，减压单元安装在所述集成排出管线中，并且所述第一排出管线、所述第二排出管线和所述减压单元沿所述集成排出管线的纵向方向依次设置。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述排出单元还包括：第一调节器，所述第一调节器调节所述第一流动路径的排出流量；和第二调节器，所述第二调节器调节所述第二流动路径的排出流量。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，在所述第一排出管线与所述第二排出管线之间，所述分隔壁的一端与所述集成排出管线的内壁的第一侧壁接触，以及所述分隔壁的另一端位于所述第一侧壁与面向所述第一侧壁的第二侧壁之间的位置。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一排出管线和所述第二排出管线中的每一个都连接到所述第一侧壁，并且在第一点与第二点之间，所述分隔壁的一端位于更靠近所述第二点的位置，在所述第一排出管线和所述第一侧壁连接的点中、所述第一点与所述第二排出管线相邻，在所述第二排出管线和所述第一侧壁连接的点中、所述第二点与第一排出管线相邻。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述分隔壁包括：第一部分，所述第一部分从所述分隔壁的一端延伸；以及第二部分，所述第二部分从所述第一部分延伸到所述分隔壁的另一端，并且所述第一部分设置为在从所述集成排出管线的上游到下游的方向上向下倾斜，并且所述第二部分在朝向所述集成排出管的下游的方向上从所述第一部分延伸。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述第一部分从所述分隔壁的一端延伸至在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的中点。9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室中的每一个都在基板上执行显影工艺。10.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一处理空间；第二工艺腔室，所述第二工艺腔室具有第二处理空间；传送机械手，所述传送机械手将基板传送至所述第一工艺腔室或所述第二工艺腔室；以及排出单元，所述排出单元排出所述第一处理空间和所述第二处理空间的气氛，其中，所述第一工艺腔室包括：第一处理容器，所述第一处理容器提供所述第一处理空间；第一支承单元，所述第一支承单元在所述第一处理空间中支承和旋转所述基板；第一显影剂供应单元，所述第一显影剂供应单元将显影剂供应到所述基板上，以及所述第二工艺腔室包括:第二处理容器，所述第二处理容器提供所述第二处理空间；第二支承单元，所述第二支承单元在所述第二处理空间中支承和旋转所述基板；第二显影剂供应单元，所述第二显影剂供应单元将显影剂供应到所述基板上，并且所述排出单元包括：集成排出管线；第一排出管线，所述第一排出管线连接所述第一工艺腔室和所述集成排出管线；第二排出管线，所述第二排出管线连接所述第二工艺腔室和所述集成排出管线；以及分隔壁，所述分隔壁在所述集成排出管线中、沿所述集成排出管线的纵向方向、通过预定距离分隔第一流动路径和第二流动路径，通过所述第一排出管线排出的流体流过所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张镐镇，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：