互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法技术

技术编号:3600201 阅读:172 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其操作方法。所述CMOS图像传感器包括具有像素矩阵的像素阵列单元,其中每个像素包括电荷转移元件,用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件;和行驱动单元,用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件,其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,包括:    具有像素矩阵的像素阵列单元,其中每个像素包括电荷转移元件,用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件;和    行驱动单元,用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件,其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:南丁铉
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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