【技术实现步骤摘要】
一种发光材料组合物及有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及电子器件
特别地,涉及一种发光材料组合物及利用该组合物制备的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电子器件包括但是不限于下列种类:有机发光二极管(OLEDs),有机场效应晶体管(O
‑
FETs),有机发光晶体管(OLETs),有机光伏器件COPVs),染料一敏化太阳能电池(DSSCs),有机光学检测器,有机光感受器,有机场效应器件(OFQDs),发光电化学电池(LEGS),有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年,来自美国伊士曼柯达公司的Tang等首次报道了由双层有机薄膜制成的绿色电致发光器件,器件以氧化铟锡(ITO)作为阳极,在阳极上蒸镀一层厚度为75nm的非晶无针孔芳族二胺薄膜,用作空穴传输,接着在芳族二胺的薄膜上再镀一层厚度为60nm的8
‑
羟基喹啉铝薄膜,用作电子传输层兼发光层,以镁银合金作为阴极,此双层膜结构成功地将启亮电压降低至5.5V,实现了高辐射发光(>1000cd
·
m
‑
2),波长为550nm,外量子效率达到1.0%,具有极大的实用意义。1994年,来自日本的KH1do等首次制备了发白光的有机电致发光器件。他们将蓝、绿、橙3种颜色的荧光染料掺杂在聚(N
‑
乙烯基咔唑)(PVK)薄膜中作为空穴传输层兼发射层,将1,2,4
‑
三唑衍生物(TAZ)作为空穴阻挡层,8
‑< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光材料组合物,包括第一金属配合物和第二金属配合物,且所述第一金属配合物和第二金属配合物互不相同,所述第一金属配合物和第二金属配合物各自独立地选自式(I)所示化合物,其中,R1~R
11
分别独立地任意选自氢原子、氘原子、取代或未取代的烷基、氘代烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的烷硫基、卤原子、取代或未取代的脂环烃基、取代或未取代的芳香基和取代或未取代的杂环芳香基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基;和/或,R1~R
11
中任意两个或多个基团之间通过桥连形成并环结构;R
′
、R
″
分别独立地任意选自氢原子、取代或未取代的烷基、氘代烷基、卤原子、取代或未取代的脂环烃基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳香基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基;L为一价双齿阴离子配体,其中键接原子X、Y分别独立地任意选自氧原子、氮原子、碳原子;n为1、2或3;所述第一金属配合物和第二金属配合物的重量比为1:(0.01~99)。2.根据权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述L选自苯基吡啶基、取代苯基吡啶基、乙酰丙酮基或取代乙酰丙酮基;优选地,所述L选自式L1或式L2所示的基团:其中,式L1中,R
12
~R
19
分别独立地任意选自氢原子、氘原子、取代或未取代的烷基、氘代烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的烷硫基、卤原子、取代或未取代的脂环烃基、取代或未取代的芳香基和取代或未取代的杂环芳香基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基;和/或,R
12
~R
19
中任意两个或多个基团之间通过桥连形成并环结构;
式L2中,R
20
~R
26
分别独立地任意选自氢原子、氘原子、取代或未取代的烷基、氘代烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的烷硫基、卤原子、取代或未取代的脂环烃基、取代或未取代的芳香基和取代或未取代的杂环芳香基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基,所述取代的取代基选自C1~C
10
的直链或含支链的烷基、卤原子、C1~C
10
的直链或含支链的氘代烷基、C6~C
20
的芳基和C3~C
20
的杂芳基;和/或,R
20
~R
26
中任意两个或多个基团之间通过桥连形成并环结构;优选地,式(I)所示化合物具有式(I
‑
1)或式(I
‑
2)或式(I
‑
3)所示的结构:3)所示的结构:其中,式(I
‑
1)至式(I
‑
3)中,R
′
、R
″
、R1~R
11
的定义同式(I);式(I
‑
1)中,R
12
~R
19
的定义同式L1,m为1或2;式(I
‑
2)中,R
20
~R
26
的定义式L2。3.根据权利要求1或2所述的组合物,其特征在于,所述R
′
、R
″
分别独立地任意选自氢原子、C1~C5的直链或含支链的烷基、氘代的C1~C5的直链或含支链的烷基、C5~C
20
的脂环烃基、卤原子、含1~5个C原子的烷氧基、含1~5个C原子的烷基氨基、含1~5个C原子的烷硫基、三氟甲基、取代或未取代的C6~C
18
的芳基;优选地,所述R
′
、R
″
分别独立地任意选自氢原
子、C1~C5的直链或含支链的烷基、氘代的C1~C5的直链或含支链的烷基、C5~C
10
的脂环烃基、卤原子、取代或未取代的C6~C
12
的芳基;更优选地,所述R
′
、R
″
分别独立地任意选自氢原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、氟原子、氘代甲基、环己基或苯基;和/或R1~R
11
分别独立地任意选自氢原子、氘原子、C1~C5的直链或含支链的烷基、氘代的C1~C5的直链或含支链的烷基、C5~C
20
的脂环烃基、卤原子、含1~5个C原子的烷氧基、含1~5个C原子的烷基氨基、含1~5个C原子的烷硫基、含1~5个C原子的卤代烷基、取代或未取代的C6~C
18
的芳基、取代或未取代的C3~C
18
的杂芳基;和/或,R1~R
11
中任意两个或多个基团之间通过桥连形成并环结构,所述并环结构为取代或未取代的五元环、取代或未取代的六元环、取代或未取代的五元杂环和取代或未取代的六元杂环中的任一种,取代采用的取代基为卤原子、C1~C5的直链或含支链的烷基、取代或未取代的苯基、氘代的C1~C5的直链或含支链的烷基、取代或未取代的苯并基,所述五元杂环或六元杂环所含杂原子任意选自氧原子和硫原子;优选地,R1~R
11
分别独立地任意选自氢原子、氘原子、C1~C5的直链或含支链的烷基、氘代的C1~C5的直链或含支链的烷基、C5~C
12
的脂环...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹占广,刘阳,陈婷,张小玲,班全志,杭德余,
申请(专利权)人:北京燕化集联光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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