液晶化合物、组合物及其应用制造技术

技术编号:39308774 阅读:9 留言:0更新日期:2023-11-12 15:55
本发明专利技术涉及一种液晶化合物、组合物及其应用。本发明专利技术公开的液晶化合物具有式I所示的结构。本发明专利技术的含有二氟甲氧基桥键的液晶化合物具有较高的介电各向异性,应用至组合物后可有效降低器件的驱动电压。效降低器件的驱动电压。效降低器件的驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
液晶化合物、组合物及其应用


[0001]本专利技术涉及液晶显示材料领域,具体涉及一种含有二氟甲氧基桥键的液晶化合物、组合物及其应用。

技术介绍

[0002]近几年,液晶化合物的应用领域已经显著拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等。为此,已经提出许多不同的结构,特别是在向列型液晶领域,向列型液晶化合物迄今已经在平板显示器中得到最为广泛的应用。特别是用于TFT有源矩阵的系统中。
[0003]彩色显示大多采用有源矩阵显示方式。TFT

LCD已经广泛用于直视型电视、大屏幕投影电视、计算机终端显示和某些军用仪表显示,相信TFT

LCD技术具有更为广阔的应用前景。
[0004]其中“有源矩阵”包括两种类型:1、在作为基片的硅晶片上的OMS(金属氧化物半导体)或其它二极管。2、在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。
[0005]单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸,因为各部分显示器件甚至模块组装在其结合处出现许多问题。因而,第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型,所利用的光电效应通常是TN效应。TFT包括化合物半导体,如Cdse,或以多晶或无定形硅为基础的TFT。
[0006]目前,TFT

LCD产品技术已经成熟,成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题,其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸TFT

LCD显示器在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是因受液晶材料本身的限制,TFT

LCD仍然存在着响应不够快,电压不够低,电荷保持率不够高等诸多缺陷。因此寻找低粘度、高介电各向异性的单晶化合物尤为重要。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种新型的液晶化合物,该化合物具有二氟甲氧基桥键单元结构。该化合物具有旋转粘度低、介电各向异性大、互溶性好和性能稳定的特点。
[0008]为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:
[0009]第一方面,本专利技术提供一种液晶化合物,其具有式I所示的结构:
[0010][0011]其中,R选自取代或未取代的碳原子数为1

12的烷基、取代或未取代的碳原子数为1

12的烷氧基,取代时,碳原子数为1

12的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自彼此独立地被

C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



O

CO

所取代,碳原子数为1

12的烷基或烷氧基中一个或多个H被卤素取代;
[0012]环A选自1,4

亚环己基、1,4

亚环己烯基、2,5

亚四氢吡喃基2,5

亚1,3

二噁烷基1,4

亚苯基或卤代1,4

亚苯基;
[0013]Z选自单键、碳原子数为1

4的亚烷基、碳原子数为1

4的卤代亚烷基、碳原子数为1

4的亚烷氧基、碳原子数为1

4的卤代亚烷氧基、碳原子数为2

4的亚烯基、碳原子数为2

4的亚炔基、

O



CO

O

或C

O


[0014]n为0、1或2,n为2时,各环A和Z相同或不同;
[0015]L1、L2、L3相同或不同,各自独立地选自H或卤素。
[0016]在一些实施方式中,R选自未取代的碳原子数为1

7的烷基或未取代的碳原子数为1

7的烷氧基。在一些实施方式中,R选自未取代的碳原子数为1

5的烷基或未取代的碳原子数为1

5的烷氧基。在一些实施方式中,R选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基或新戊基。
[0017]在一些实施方式中,卤代1,4

亚苯基选自氟代1,4

亚苯基、氯代1,4

亚苯基或溴代1,4

亚苯基。
[0018]在一些实施方式中,氟代1,4

亚苯基选自以下基团组成的组:
[0019][0020]在一些实施方式中,环A选自1,4

亚环己基、1,4

亚环己烯基、2,5

亚四氢吡喃基、2,5

亚1,3

二噁烷基、1,4

亚苯基或氟代1,4

亚苯基。
[0021]在一些实施方式中,环A选自一氟代1,4

亚苯基或二氟代1,4

亚苯基
[0022]在一些实施方式中,Z选自单键、

(CH2)2‑


C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



C

O


[0023]在一些实施方式中,L1、L2、L3相同或不同,各自独立地选自H或氟。在一些实施方式中,L2和L3均为氢,L1为氟。
[0024]在一些实施方式中,所述液晶化合物具有式I

A、式I

B所示的结构:
[0025][0026]其中,R、环A、Z和n的定义同式I。
[0027]在一些实施方式中,所述液晶化合物具有I

1至I

28所示的结构:
[0028][0029][0030][0031]其中,R选自未取代的碳原子数为1

7的烷基或未取代的碳原子数为碳原子数为1

7的烷氧基。
[0032]在一些实施方式中,I

1至I

28中,R选自未取代的碳原子数为2

5的烷基,优选选自乙基、正丙基、正丁基或正戊基。
[0033]在一些实施方式中本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶化合物,其具有式I所示的结构:其中,R选自取代或未取代的碳原子数为1

12的烷基、取代或未取代的碳原子数为1

12的烷氧基,取代时,碳原子数为1

12的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自彼此独立地被

C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



O

CO

所取代,碳原子数为1

12的烷基或烷氧基中一个或多个H被卤素取代;环A选自1,4

亚环己基、1,4

亚环己烯基、2,5

亚四氢吡喃基、2,5

亚1,3

二噁烷基、1,4

亚苯基或卤代1,4

亚苯基;Z选自单键、碳原子数为1

4的亚烷基、碳原子数为1

4的卤代亚烷基、碳原子数为1

4的亚烷氧基、碳原子数为1

4的卤代亚烷氧基、碳原子数为2

4的亚烯基、碳原子数为2

4的亚炔基、

O



CO

O

或C

O

;n为0、1或2,n为2时,各环A和Z相同或不同;L1、L2、L3相同或不同,各自独立地选自H或卤素。2.根据权利要求1所述的液晶化合物,其特征在于,R选自未取代的碳原子数为1

7的烷基或未取代的碳原子数为1

7的烷氧基,优选选自未取代的碳原子数为1

5的烷基、未取代的碳原子数为1

5的烷氧基;环A选自1,4

亚环己基、1,4

亚环己烯基、2,5

亚四氢吡喃基、2,5

亚1,3

二噁烷基、1,4

亚苯基或氟代1,4

亚苯基;Z选自单键、

(CH2)2‑


C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



C

O

;L1、L2、L3相同或不同,各自独立地选自H或氟。3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物,其特征在于,所述液晶化合物具有式I

A、式I

B所示的结构:其中,R、环A、Z和n的定义同式I。4.根据权利要求1

3中任一项所述的液晶化合物,其特征在于,所述液晶化合物具有I

1至I

28所示的结构:
其中,R选自未取代的碳原子数为1

7的烷基或未取代的碳原子数为1

7的烷氧基。5.根据权利要求4所述的液...

【专利技术属性】
技术研发人员:石志亮刘阳班全志杭德余
申请(专利权)人:北京燕化集联光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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