一种液晶化合物及其应用制造技术

技术编号:37406335 阅读:17 留言:0更新日期:2023-04-30 09:32
本发明专利技术涉及液晶化合物技术领域,具体涉及一种新型的液晶化合物,同时还涉及其应用。本发明专利技术提供的该液晶化合物具有通式(I)所示结构,该类化合物在性能上具有旋转粘度低、介电各向异性大、互溶性好和性能稳定的特点,应用至组合物后可进一步提高已有惯用液晶组合物的介电各向异性,具有降低液晶显示装置的驱动电压的技术效果。电压的技术效果。电压的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及液晶化合物
,具体涉及一种新型的含二氟甲氧基桥键的液晶化合物,同时还涉及其应用。

技术介绍

[0002]近年来液晶化合物的应用领域已经拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等方面。为此,已经提出许多不同的液晶化合物结构,特别是在向列型液晶领域,向列型液晶化合物迄今已经在平板显示器中得到最为广泛的应用,尤其是用于TFT有源矩阵的系统中。
[0003]彩色显示大多采用有源矩阵显示方式。TFT

LCD已经广泛用于直视型电视、大屏幕投影电视、计算机终端显示和某些军用仪表显示,相信TFT

LCD技术具有更为广阔的应用前景。其中“有源矩阵”包括两种类型:一种是在作为基片的硅晶片上的OMS(金属氧化物半导体)或其它二极管;另一种是在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。
[0004]单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸,因为各部分显示器件甚至模块组装在其结合处出现许多问题。因而,第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型,所利用的光电效应通常是TN效应。TFT包括化合物半导体,如Cdse,或以多晶或无定形硅为基础的TFT。
[0005]目前,TFT

LCD产品技术已经成熟,成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题,其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸TFT

LCD显示器在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是,因受液晶材料本身的限制,TFT

LCD仍然存在着响应不够快,电压不够低,电荷保持率不够高等诸多缺陷。因此,寻找低粘度、高介电各向异性的单晶化合物仍是液晶领域的一项重要工作。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于开发一种新的液晶化合物,特别是一种含二氟甲氧基桥键的液晶化合物,该液晶化合物在性能上具有旋转粘度低、介电各向异性大、互溶性好和性能稳定的特点。
[0007]第一方面,本专利技术提供了一种液晶化合物,该液晶化合物包括通式(I)所示的结构:
[0008][0009]其中:
[0010]R选自H、未取代或取代的含有1

12个碳原子的烷基或烷氧基;所述取代是指含有1

12个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自独立地被

C≡C



CF2O



CH=
CH



O



CO

O



O

CO

以O原子彼此不直接键接的方式取代,并且其中一个或多个H可被卤素取代;
[0011]环A为1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或多个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或多个卤素取代;
[0012]n为0,1或2;
[0013]Z选自单键、

(CH2)2‑


C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



C

O


[0014]L1、L2和L3各自独立地选自H或卤素。
[0015]作为本专利技术一种优选的实施方案,通式(I)中,所述R选自H、未取代或取代的含有1

5个碳原子的烷基或烷氧基,所述取代是指含有1

5个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自独立地被

CH=CH



O

代替,并且其中一个或多个H被F取代;
[0016]环A为1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或两个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或多个F取代;
[0017]n为0,1或2;
[0018]Z为单键;
[0019]L1、L2和L3各自独立地选自H或F。
[0020]进一步优选地,通式(I)中,所述R选自H、未取代的含有1

5个碳原子的烷基;
[0021]环A选自1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或两个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或两个F取代;
[0022]n为0,1或2;
[0023]Z1为单键;
[0024]L1为F,L2和L3均为H。
[0025]作为本专利技术一种优选的实施方案,所述液晶化合物包括通式I

1~I

16任一所示的结构:
[0026][0027][0028]通式I

1~I

16中,R选自含有1

7个碳原子的烷基或烷氧基。
[0029]进一步优选地,通式I

1~I

16中,R选自含有2

5个碳原子的烷基,例如R可以为乙基、丙基、丁基或戊基。
[0030]作为本专利技术一种进一步优选的实施方案,本专利技术所述液晶化合物选自如下结构中的一种或几种:
[0031][0032][0033][0034][0035][0036]第二方面,本专利技术提供了一种所述的液晶化合物的制备方法,所述制备方法采用的合成路线为:
[0037][0038]所述制备方法包括步骤:
[0039](a)起始原料3,4,5

三氟苯酚在碱存在下,与氯化苄反应,得到化合物
Ⅱ‑
1;
[0040](b)所述化合物
Ⅱ‑
1与有机锂试剂反应,在碘化亚铜催化下,与氯代乙酸乙酯反应,得到化合物
Ⅱ‑
2;
[0041](c)所述化合物
Ⅱ‑
2与还原剂在催化剂作用下发生还原反应,得到化合物
Ⅱ‑
3;
[0042](d)所述化合物
Ⅱ‑
3在强碱作用下,得到化合物
Ⅱ‑
4;本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶化合物,其特征在于,包括通式(I)所示的结构:其中:R选自H、未取代或取代的含有1

12个碳原子的烷基或烷氧基;所述取代是指含有1

12个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自独立地被

C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



O

CO

以O原子彼此不直接键接的方式取代,并且其中一个或多个H可被卤素取代;环A为1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或多个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或多个卤素取代;n为0,1或2;Z选自单键、

(CH2)2‑


C≡C



CF2O



CH=CH



O



CO

O



C

O

;L1、L2和L3各自独立地选自H或卤素。2.根据权利要求1所述的液晶化合物,其特征在于,所述R选自H、未取代或取代的含有1

5个碳原子的烷基或烷氧基,所述取代是指含有1

5个碳原子的烷基或烷氧基中一个或多个

CH2‑
基团各自独立地被

CH=CH



O

代替,并且其中一个或多个H被F取代;环A为1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或两个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或多个F取代;n为0,1或2;Z为单键;L1、L2和L3各自独立地选自H或F。3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物,其特征在于,所述R选自H、未取代的含有1

5个碳原子的烷基;环A选自1,4

环己基或1,4

苯基,其中1,4

环己基上的C各自独立地可被一个或两个O取代;1,4

苯基中的H各自独立地可被一个或两个F取代;n为0,1或2;Z1为单键;L1为F,L2和L3均为H。4.根据权利要求1~3任一项所述的液晶化合物,其特征在于,所述液晶化合物包括通式I

1~I

16任一所示的结构:
通式I

1~I

16中,R选自含有1

7个碳原子的烷基或烷氧基;优选地,R选自含有2
...

【专利技术属性】
技术研发人员:石志亮刘阳张朝霞曹占广班全志杭德余
申请(专利权)人:北京燕化集联光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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