陷光结构制备方法技术

本发明专利技术提供一种陷光结构制备方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的1/20～2/15。本发明专利技术提供的陷光结构制备方法，能够通过激光清洗处理过程去除当前加工行的杂质堆积，降低对待处理材料的保护需求，减少危险化工物品的使用。工物品的使用。工物品的使用。

【技术实现步骤摘要】
陷光结构制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种陷光结构制备方法。

技术介绍

[0002]制备减反射陷光结构表面有很多方式，包括溶胶凝胶法、电子刻蚀、湿法刻蚀、干法刻蚀和激光加工等。激光加工能够满足加工结构的任意性和可控性，也能够满足加工结构高精度的需求；其次，激光加工具有可程序化、适合于大面积加工以及环境友好等优势。除此之外，激光加工具有结构可设计性，有利于减反射结构表面设计及后期制备。
[0003]目前制备硅基陷光结构主要有两种激光加工方法：一种是“黑硅”技术，脉冲激光在硫系气氛环境(SF6、H2S等)下直接扫描硅基材料，产生尖峰微米结构；另一种是脉冲激光通过液体环境(蒸馏水、硫酸溶液等)辐照硅基材料，产生柱状结构。但这两种方法都有操作复杂，激光设备复杂，且含有危险化工物品等缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供的陷光结构制备方法，能够通过激光清洗处理过程去除当前加工行的杂质堆积，降低对待处理材料的保护需求，减少危险化工物品的使用。
[0005]本专利技术提供一种陷光结构制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陷光结构制备方法，其特征在于，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的1/20～2/15。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，前一加工行与当前加工行之间的间距为所述圆形高斯光斑直径的2/7～1倍。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述前一加工行与当前加工行之间的间距为20
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40μm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述圆形高斯光斑的能量密度为1.5
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2J/cm2，所述圆形高斯光斑的移动速度为15
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40mm/s。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方形平顶光斑的能量密度为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辰，侯煜，文志东，王然，岳嵩，张昆鹏，张喆，李曼，石海燕，薛美，李朋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：