晶体管、半导体存储装置及晶体管的制造方法制造方法及图纸

实施方式涉及一种晶体管、半导体存储装置及晶体管的制造方法。实施方式的晶体管具备：半导体层；凸状的元件区域，设置在半导体层，在沿着半导体层的面的第1方向上具有指定宽度，且在沿着半导体层的面并且与第1方向交叉的第2方向上延伸；栅极电极，配置在元件区域的上方；及衬层，覆盖栅极电极；在元件区域的第1方向的两侧，沿第2方向延伸有元件分离部，且衬层从栅极电极连续地延伸到元件分离部，在元件分离部潜伏在元件分离部的下方。离部潜伏在元件分离部的下方。离部潜伏在元件分离部的下方。

【技术实现步骤摘要】
晶体管、半导体存储装置及晶体管的制造方法
[0001][相关申请][0002]本申请享有在2021年6月15日提出申请的日本专利申请编号2021
‑
99736的优先权的利益，该日本专利申请的全部内容被引用在本申请中。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种晶体管、半导体存储装置及晶体管的制造方法。

技术介绍

[0004]CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)晶体管等晶体管例如具备元件区域、及配置在元件区域上的栅极电极。在晶体管的制造步骤中，考虑到栅极电极会相对于元件区域发生位置偏移，有时会将栅极电极的宽度形成得比元件区域的宽度大。有时这会成为妨碍晶体管的小型化的主要因素。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够抑制栅极电极相对于元件区域的位置偏移的晶体管、半导体存储装置及晶体管的制造方法。
[0006]实施方式的晶体管具备：半导体层；凸状的元件区域，设置在所述半导体层，在沿着所述半导体层的面的第1方向上具有指定宽度，且在沿着所述半导体层的面并且与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；栅极电极，配置在所述元件区域的上方；及衬层，覆盖所述栅极电极；在所述元件区域的所述第1方向的两侧，沿所述第2方向延伸有元件分离部，且所述衬层从所述栅极电极连续地延伸到所述元件分离部，在所述元件分离部潜伏在所述元件分离部的下方。
附图说明
[0007]图1是实施方式1的半导体存储装置的框图。/>[0008]图2是表示实施方式1的半导体存储装置所具备的存储单元阵列、感测放大器电路及锁存电路的构成的一例的等效电路图。
[0009]图3是表示实施方式1的半导体存储装置所具备的感测放大器模块及数据寄存器的布局的一例的示意图。
[0010]图4A及图4B是表示实施方式1的半导体存储装置所具备的晶体管的布局的一例的示意图。
[0011]图5A～图5D是表示应用于实施方式1的半导体存储装置的晶体管的构成的一例的图。
[0012]图6A及图6B是表示用于制造实施方式1的晶体管的模板的构成的一例的图。
[0013]图7A～图7D是表示实施方式1的模板的制造方法的顺序的一例的图。
[0014]图8Aa～图8Cb是表示实施方式1的晶体管的制造方法的顺序的一例的图。
[0015]图9Aa～图9Cb是表示实施方式1的晶体管的制造方法的顺序的一例的图。
[0016]图10Aa～图10Cb是表示实施方式1的晶体管的制造方法的顺序的一例的图。
[0017]图11Aa～图11Cb是表示实施方式1的晶体管的制造方法的顺序的一例的图。
[0018]图12A及图12B是表示实施方式1及比较例的半导体存储装置所具备的晶体管的布局的一例的示意图。
[0019]图13A～图13C是表示应用于实施方式1的变化例1的半导体存储装置的晶体管的构成的一例的图。
[0020]图14Aa～图14Cb是表示实施方式1的变化例1的晶体管的制造方法的顺序的一例的图。
[0021]图15A及图15B是表示实施方式1的变化例2及比较例的半导体存储装置所具备的晶体管的布局的一例的示意图。
[0022]图16是表示实施方式2的半导体存储装置所具备的行解码器的构成的一例的电路图。
[0023]图17A及图17B是表示实施方式2的半导体存储装置所具备的晶体管的布局的一例的示意图。
[0024]图18是实施方式3的半导体存储装置的框图。
[0025]图19是表示包含实施方式3的半导体存储装置所具备的感测放大器电路的电路构成的一例的电路图。
[0026]图20A及图20B是表示实施方式3及比较例的半导体存储装置所具备的晶体管的布局的一例的示意图。
具体实施方式
[0027]以下，参照附图对本专利技术详细地进行说明。此外，并不利用下述实施方式来限定本专利技术。另外，下述实施方式中的构成要素中包含业者能容易地设想的构成要素或实质上相同的构成要素。
[0028][实施方式1][0029]以下，参照附图，对实施方式1详细地进行说明。
[0030](半导体存储装置的概略构成)
[0031]图1是实施方式1的半导体存储装置1的框图。如图1所示，半导体存储装置1具备输入输出电路110、逻辑控制电路120、状态寄存器130、地址寄存器140、指令寄存器150、定序器160、就绪/忙碌电路170、电压产生电路180、存储单元阵列10、行解码器20、感测放大器模块30、数据寄存器40及列解码器50。
[0032]输入输出电路110对与控制半导体存储装置1的未图示的存储器控制器等外部装置的信号DQ的输入输出进行控制。输入输出电路110具备未图示的输入电路与输出电路。
[0033]输入电路将从外部装置接收到的写入数据WD等数据DAT发送到数据寄存器40，将地址ADD发送到地址寄存器140，并将指令CMD发送到指令寄存器150。
[0034]输出电路将从状态寄存器130接收到的状态信息STS、从数据寄存器40接收到的读出数据RD等数据DAT以及从地址寄存器140接收到的地址ADD发送到外部装置。
[0035]逻辑控制电路120从外部装置接收例如芯片使能信号CEn、指令锁存使能信号CLE、
地址锁存使能信号ALE、写使能信号WEn及读使能信号REn。另外，逻辑控制电路120根据所接收到的信号，控制输入输出电路110及定序器160。
[0036]状态寄存器130例如暂时保存数据的写入动作、读出动作及抹除动作中的状态信息STS，向外部装置通知动作是否已正常结束。
[0037]地址寄存器140暂时保存经由输入输出电路110从外部装置接收到的地址ADD。另外，地址寄存器140将行地址RA传输到行解码器20，将列地址CA传输到列解码器50。
[0038]指令寄存器150暂时保存经由输入输出电路110从外部装置接收到的指令CMD，并传输到定序器160。
[0039]定序器160对整个半导体存储装置1的动作进行控制。更具体来说，定序器160根据指令寄存器150所保存的指令CMD，控制例如状态寄存器130、就绪/忙碌电路170、电压产生电路180、行解码器20、感测放大器模块30、数据寄存器40及列解码器50等，执行写入动作、读出动作及抹除动作等。
[0040]就绪/忙碌电路170根据定序器160的动作状况，将就绪/忙碌信号R/Bn发送到外部装置。
[0041]电压产生电路180根据定序器160的控制，产生写入动作、读出动作及抹除动作所需的电压，并将所产生的电压供给至例如存储单元阵列10、行解码器20及感测放大器模块30等。行解码器20及感测放大器模块30将从电压产生电路180供给的电压施加到存储单元阵列10内的存储单元。
[0042]存储单元阵列10包含多个块BLK(BLK0～B本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，具备：半导体层；凸状的元件区域，设置在所述半导体层，在沿着所述半导体层的面的第1方向上具有指定宽度，且在沿着所述半导体层的面并且与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；栅极电极，配置在所述元件区域的上方；及衬层，覆盖所述栅极电极；在所述元件区域的所述第1方向的两侧，沿所述第2方向延伸有元件分离部，且所述衬层从所述栅极电极连续地延伸到所述元件分离部，在所述元件分离部潜伏在所述元件分离部的下方。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电极被层间绝缘层覆盖，且所述层间绝缘层在凸状的所述元件区域的所述第1方向的两侧位置，构成了所述元件分离部。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述元件区域的上表面的所述第1方向的中心位置与所述栅极电极的所述第1方向的中心位置在所述第1方向上实质上一致。4.根据权利要求3所述的晶体管，其中在所述第1方向上，所述元件区域的上表面与所述栅极电极具有实质上相等的宽度。5.根据权利要求3所述的晶体管，其中在所述第1方向上，所述元件区域的上表面的宽度比所述栅极电极的宽度窄。6.根据权利要求1所述的晶体管，其还具备：第1侧壁，覆盖所述栅极电极的侧面；及第2侧壁，覆盖所述元件区域的侧面。7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述衬层至少一部分包含氮化物。8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极电极在所述第2方向上配置有多个。9.一种晶体管，具备：半导体层；凸状的元件区域，设置在所述半导体层，在沿着所述半导体层的面的第1方向上具有指定宽度，且在沿着所述半导体层的面并且与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；及栅极电极，配置在所述元件区域的上方；且在所述第1方向上，所述元件区域的上表面与所述栅极电极具有实质上相等的宽度，所述元件区域的上表面的所述第1方向的中心位置与所述栅极电极的所述第1方向的中心位置在所述第1方向上实质上一致。10.根据权利要求9所述的晶体管，其中在所述元件区域的所述第1方向的两侧，沿所述第2方向延伸有元件分离部，且所述晶体管还具备衬层，所述衬层覆盖所述栅极电极，并且从所述栅极电极的表面连续地潜伏到所述元件分离部的下方。
11.一种半导体存储装置，具备：存储单元阵列，包含多个存储单元；及周边电路，使所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田信彬，内海哲章，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：