互补金属氧化物半导体图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器。该图像传感器包括：二维像素矩阵，其由单位像素构成，各单位像素具有光电二极管和晶体管；行解码器，位于像素矩阵的一端以分配行地址；以及列解码器，其位于垂直于行解码器的像素矩阵的另一端以向由行解码器选择的行中的相应像素分配列地址。所述行解码器允许包括在像素矩阵中的单位像素的结合时间点相同。因此，可以防止图像失真。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：二维像素矩阵，其由单位像素构成，各单位像素具有光电二极管和晶体管；行解码器，位于像素矩阵的一端以分配行地址；以及列解码器，其位于像素矩阵的另一端并垂直于行解码器以为由所述行解码器选择的行中的相应像素分配列地址，其中所述行解码器包括多个行解码单元，各行解码单元包括：地址信号输入线；传输信号输入线；选择信号输入线；复位信号输入线；复位栅信号输出单元，用于输出响应于复位信号和地址信号而产生的复位栅信号 ，其中复位信号通过复位信号输入线输入，并且地址信号通过地址信号输入线输入；选择栅...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仑政，黄载淳，郑宪埈，
申请(专利权)人：安太科技株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]