互补金属氧化物半导体图像传感器制造技术

技术编号:4188727 阅读:199 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器。所述互补金属氧化物半导体图像传感器包括:二维像素阵列,其包括各具有钻石形状的单位像素;设置于该像素阵列的一侧以指定行地址的行解码器;以及列解码器,其设置于该像素阵列的另一侧以垂直于所述行解码器并用于从由所述行解码器选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并生成包括像素值的图像数据。本发明专利技术还涉及一种包括互补金属氧化物半导体图像传感器的图像处理设备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体图像传感器,包括: 二维像素阵列,其包括各具有钻石形状的单位像素; 设置于该像素阵列的一侧以指定行地址的行解码器;以及 列解码器,其设置于该像素阵列的另一侧以垂直于所述行解码器并用于从由所述行解码器 选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并生成包括像素值的图像数据。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:李仑政
申请(专利权)人:安太科技株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1