封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有封装结构及其制作方法，封装结构包括至少两个电性元件、第二重构层和金属引线框架，其中，至少一个电性元件为芯片，至少一个电性元件有第一重构层，且第二重构层引脚间距小于金属引线框架引脚间距；第二重构层具有相对的第一面和第二面，电性元件功能面设置于第二重构层第一面上，并与其电性连接，其中，至少一个电性元件通过设于其功能面的第一重构层与第二重构层电性连接；第二重构层第二面设置于金属引线框架上，并与其电性连接。在具有低成本、可靠性高、易于进行热管理等优点的金属引线框架上形成高密度布线扇出型封装结构，提高了芯片的散热能力，使得封装结构具有高密度布线的同时，也有优良的散热性能和可靠性。能和可靠性。能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及封装
，具体地涉及一种封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品不断向小型化，多功能化，高度集成方向发展，对芯片封装结构的成本要求、散热要求、可靠性要求等也越来越高。扇出型封装能够形成多层高密度的布线，但其可靠性较差，并且其散热能力较差，随着封装结构进一步高度集成化，其散热问题也更加突出。芯片引线框架类封装(如QFN和 QFP等)具有低成本、易于进行热管理和可靠性性能高的特点，但其难以进行较高密度布线，特别是无法进行多层布线。因此，如何将扇出型封装和引线框架类封装进行结合，成为解决问题的关键。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种封装结构及其制作方法。
[0004]本专利技术提供一种具有封装结构，包括至少两个电性元件、第二重构层和金属引线框架，其中，至少一个电性元件为芯片，至少一个电性元件有第一重构层、且所述第二重构层引脚间距小于所述金属引线框架引脚间距；
[0005]所述第二重构层具有相对的第一面和第二面，所述电性元件功能面设置于所述第二重构层第一面上，并与其电性连接，其中，所述电性元件通过设于其功能面的所述第一重构层与所述第二重构层电性连接；
[0006]所述第二重构层第二面设置于所述金属引线框架上，并与其电性连接。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，所述第一重构层为第一重布线层或第一中介层，所述第二重构层为第二重布线层。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述第二重布线层内金属布线区至少超出所述电性元件一侧的外边缘。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述第二重布线层通过金属凸块设置于所述金属引线框架上。金属引线框架外表面与芯片的功能面间距至少大于50um.
[0010]作为本专利技术的进一步改进，还包括第一塑封层和第二塑封层，所述第一塑封层包覆所述电性元件和所述第一重构层，所述第二塑封层包覆所述第一塑封层、所述第二重构层和所述金属引线框架，所述第一塑封层和所述第二塑封层分别包括位于所述电性元件非功能面侧的第一面和与其相对的第二面。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述第一塑封层第二面暴露所述第一重构层，所述第二重构层设置于所述第一重布线层和所述第一塑封层第二面。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述第一塑封层和所述第二塑封层第一面暴露所述芯片非功能面。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述第一塑封层、所述第二塑封层第一面和所述芯片非功能面上设置有散热层或散热结构件。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述芯片非功能面上设置有散热层或散热结构件，所述第一塑封层包覆所述散热层或所述散热结构件，且所述第一塑封层和所述第二塑封层暴露所述散热层或所述散热结构件表层区域。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，所述第一塑封层暴露所述芯片非功能面，所述芯片非功能面上设有散热片，所述散热片连接于所述金属引线框架，所述第二塑封层包覆所述散热片，且暴露所述散热片表层区域。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，所述芯片非功能面和所述散热片之间设有所散热层或散热结构件。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，所述金属引线框架上设置有框架上芯片和/或框架上器件。
[0018]本专利技术还提供一种封装结构制作方法，包括步骤：
[0019]提供至少两个电性元件，其中，至少一个所述电性元件为芯片，并至少在所述一个电性元件功能面上形成第一重构层；
[0020]对所述电性元件组进行塑封，形成第一塑封层；
[0021]在所述第一重构层、所述第一塑封层和未设置所述第一重构层的部分所述电性元件上形成第二重构层；
[0022]切割获得单颗封装体，将所述封装体倒装设于金属引线框架上，将所述第二重构层电性连接至所述金属引线框架；
[0023]对所述封装体和所述金属引线框架进行塑封，形成第二塑封层。
[0024]作为本专利技术的进一步改进，所述第一重构层为第一重布线层或第一中介层，所述第二重构层为第二重布线层。
[0025]作为本专利技术的进一步改进，所述第二重布线层内金属布线至少超出所述电性元件一侧的外边缘。
[0026]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0027]在所述第二重构层上设置金属凸块，将所述第二重构层通过金属凸块倒装设于所述金属引线框架上，并将所述金属引线框架与所述芯片功能面之间的间距控制在至少大于50μm。
[0028]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0029]减薄所述第一塑封层和所述第二塑封层暴露出所述芯片非功能面，并于其上形成散热层或设置散热结构件。
[0030]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0031]在形成第一塑封层之前，于所述芯片非功能面上形成散热层或设置散热结构件；
[0032]减薄所述第一塑封层和所述第二塑封层暴露出所述散热层或所述散热结构件的表层区域。
[0033]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0034]减薄所述第一塑封层暴露出所述芯片非功能面；
[0035]在形成第二塑封层之前，在所述芯片非功能面上设置散热片，并将所述散热片连接至所述引线金属引线框架；
[0036]减薄所述第二塑封层暴露所述散热片表层区域。
[0037]作为本专利技术的进一步改进，还包括步骤：
[0038]在所述金属引线框架上设置框架上芯片和/或框架上器件。
[0039]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过将具有高密度I/O端口的芯片组依次通过第一重布线层或第一中介层、第二重布线层与金属引线框架之间形成电性互连，使得在具有低成本、可靠性高、易于进行热管理等优点的金属引线框架上形成高密度布线扇出型封装结构，通过金属引线框架大幅提高了芯片功能面的散热能力，从而使得封装结构具有高密度布线的同时，也具有优良的散热性能和可靠性。
附图说明
[0040]图1是本专利技术实施例一中的封装结构示意图。
[0041]图2是本专利技术实施例二中的封装结构示意图。
[0042]图3是本专利技术实施例三中的封装结构示意图。
[0043]图4是本专利技术实施例四中的封装结构示意图。
[0044]图5是本专利技术实施例五中的封装结构制造方法流程示意图。
[0045]图6至图10是本专利技术实施例五中的封装结构制造方法各步骤示意图。
[0046]图11至图13是本专利技术实施例七中的封装结构制造方法与实施例五的区别步骤示意图。
[0047]图14和图15是本专利技术实施例八中的封装结构制造方法与实施例五的区别步骤示意图。
具体实施方式
[0048]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有封装结构，其特征在于，包括至少两个电性元件、第二重构层和金属引线框架，其中，至少一个电性元件为芯片，至少一个电性元件于其功能面设有第一重构层，且所述第二重构层引脚间距小于所述金属引线框架引脚间距；所述第二重构层具有相对的第一面和第二面，所述电性元件功能面设置于所述第二重构层第一面上，并与其电性连接，其中，所述至少一个电性元件通过设于其功能面的所述第一重构层与所述第二重构层电性连接；所述第二重构层第二面设置于所述金属引线框架上，并与其电性连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一重构层为第一重布线层或第一中介层，所述第二重构层为第二重布线层。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二重布线层内金属布线区至少超出所述电性元件一侧的外边缘。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第二重布线层通过金属凸块设置于所述金属引线框架上，所述金属引线框架与所述芯片功能面之间的间距至少大于50μm。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括第一塑封层和第二塑封层，所述第一塑封层包覆所述电性元件和所述第一重构层，所述第二塑封层包覆所述第一塑封层、所述第二重构层和所述金属引线框架，所述第一塑封层和所述第二塑封层分别包括位于所述电性元件非功能面侧的第一面和与其相对的第二面。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封层第二面暴露所述第一重构层，所述第二重构层设置于所述第一重布线层和所述第一塑封层第二面。7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封层和所述第二塑封层第一面暴露所述芯片非功能面。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封层、所述第二塑封层第一面和所述芯片非功能面上设置有散热层或散热结构件。9.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述芯片非功能面上设置有散热层或散热结构件，所述第一塑封层包覆所述散热层或所述散热结构件，且所述第一塑封层和所述第二塑封层暴露所述散热层或所述散热结构件表层区域。10.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封层暴露所述芯片非功能面，所述芯片非功能面上设有散热片，所述散热片连接于所述金属引线框架，所述第二塑封层包覆所述散热片，且暴露所述散热片表层区...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，杨丹凤，刘硕，何晨烨，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：