【技术实现步骤摘要】
一种晶棒的切割方法以及切割装置
[0001]本申请涉及半导体材料加工领域,更具体的说,涉及一种晶棒的切割方法以及切割装置。
技术介绍
[0002]目前,对于多线切割的砂浆温度通常是设置一个固定的温度,通过冷却机对砂浆温度进行恒温控制。但是,其没有考虑到切割过程是动态变化的,刚开始切割时钢线与晶棒接触面积较小,发热相对较少,随着切割过程的深入,钢线与晶棒接触面积逐渐增大,发热量也随之大幅增加,此时控制砂浆温度与切割初期相同显然是不合理的,而寻求切割过程中各阶段适宜的砂浆温度是改善碳化硅晶片面型所面临的重要挑战。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本申请提供了一种晶棒的切割方法以及切割装置,方案如下:
[0004]一种晶棒的切割方法,所述切割方法包括:
[0005]在对所述晶棒切割的过程中,获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息;
[0006]基于所述温度信息,控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度,控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
[0007]优选 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶棒的切割方法,其特征在于,所述切割方法包括:在对所述晶棒切割的过程中,获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息;基于所述温度信息,控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度,控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。2.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,在获取所述切割线的温度信息之前,还包括:将所述晶棒安装在工作台,将所述工作台移动至开始切割位置;打开砂浆喷涂装置,将砂浆喷涂在所述切割线表面,开始切割。3.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,获取所述切割线的温度信息的方法包括:通过置于切割机舱内的温度传感器,获取位于所述切割机舱内喷涂有砂浆的所述切割线的温度信息。4.根据权利要求1所述的切割方法,其特征在于,控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关,包括:当切割深度不大于R/2时,使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小,所述晶棒的被切割位置的端面直径为R;当切割深度不小于R/2时,使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。5.根据权利要求4所述的切割方法,其特征在于,使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小包括:所述晶棒的切割深度从0至R/3的切割过程中,使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小,温度的下降范围不大于1℃;所述晶棒的切割深度从R/3至R/2的切割过程中,使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小,温度的下...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗奔,张文,郭钰,刘春俊,彭同华,杨建,
申请(专利权)人:北京天科合达半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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