一种晶棒的切割方法以及切割装置制造方法及图纸

本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线越靠近所述晶棒的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线远离所述晶棒的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒和所述切割线在不同切割位置的温度保持稳定，即使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小晶片翘曲的目的。到减小晶片翘曲的目的。到减小晶片翘曲的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒的切割方法以及切割装置


[0001]本申请涉及半导体材料加工领域，更具体的说，涉及一种晶棒的切割方法以及切割装置。

技术介绍

[0002]目前，对于多线切割的砂浆温度通常是设置一个固定的温度，通过冷却机对砂浆温度进行恒温控制。但是，其没有考虑到切割过程是动态变化的，刚开始切割时钢线与晶棒接触面积较小，发热相对较少，随着切割过程的深入，钢线与晶棒接触面积逐渐增大，发热量也随之大幅增加，此时控制砂浆温度与切割初期相同显然是不合理的，而寻求切割过程中各阶段适宜的砂浆温度是改善碳化硅晶片面型所面临的重要挑战。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供了一种晶棒的切割方法以及切割装置，方案如下：
[0004]一种晶棒的切割方法，所述切割方法包括：
[0005]在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；
[0006]基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
[0007]优选的，在上述切割方法中，在获取所述切割线的温度信息之前，还包括：
[0008]将所述晶棒安装在工作台，将所述工作台移动至开始切割位置；
[0009]打开砂浆喷涂装置，将砂浆喷涂在所述切割线表面，开始切割。
[0010]优选的，在上述切割方法中，获取所述切割线的温度信息的方法包括：
[0011]通过置于切割机舱内的温度传感器，获取位于所述切割机舱内喷涂有砂浆的所述切割线的温度信息。
[0012]优选的，在上述切割方法中，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关，包括：
[0013]当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
[0014]当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
[0015]优选的，在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小包括：
[0016]所述晶棒的切割深度从0至R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于1℃；
[0017]所述晶棒的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于0.5℃。
[0018]优选的，在上述切割方法中，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大
而增大包括：
[0019]所述晶棒的切割深度从R/2至2R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于0.5℃；
[0020]所述晶棒的切割深度从2R/3至R的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而增大，温度的增加范围不大于1℃。
[0021]优选的，在上述切割方法中，所述砂浆的温度范围为20～25℃。
[0022]本申请还提出了一种晶棒切割装置，其方案如下:
[0023]一种晶棒切割装置，所述切割装置包括：
[0024]切割机舱；
[0025]位于所述切割机舱内的槽轮，用于带动切割线转动；
[0026]控制器，所述控制器用于在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息，基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。
[0027]优选的，在上述切割装置中，所述切割装置还包括：
[0028]位于所述切割机舱内的温度传感器；
[0029]所述控制器与所述温度传感器连接，用于通过所述温度传感器获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息。
[0030]优选的，在上述切割装置中，当切割深度不大于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；
[0031]当切割深度不小于R/2时，所述控制器用于使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。
[0032]通过上述可知，本申请提出了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线越靠近所述晶棒的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线远离所述晶棒的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒和所述切割线在不同切割位置的温度保持稳定，从而达到减少晶片翘曲度的目的，即根据所述切割线不同的切割深度动态调整所述砂浆的温度，使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小晶片翘曲的目的。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0034]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生
的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0035]图1为一种对晶棒进行多线切割的原理示意图；
[0036]图2为本申请提供的一种晶棒切割方法的流程示意图；
[0037]图3为本申请提供的另一种晶棒切割方法的流程示意图；
[0038]图4为本申请提供的又一种晶棒切割方法的流程示意图；
[0039]图5为本申请实施例中所述砂浆温度随切割深度的变化图；
[0040]图6为本申请实施例提供的一种晶棒切割装置的结构示意图。
具体实施方式
[0041]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0042]随着半导体技术和光电技术的快速发展，碳化硅晶片的需求量逐年增大。碳化硅晶片主要制造工艺流程为：晶体生长—切割(切片)—研磨—抛光。其中，切割工序是碳化硅晶片制造加工中的关键工序之一。切割加工质量的好坏，直接影响后续工序加工的质量。而切割工序得到的晶片中，晶片翘曲度(Warp)是评价晶片变形的重要指标。晶片翘曲度通常指不受外力影响下，晶片的中间面最高点与最低点的距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶棒的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，在获取所述切割线的温度信息之前，还包括：将所述晶棒安装在工作台，将所述工作台移动至开始切割位置；打开砂浆喷涂装置，将砂浆喷涂在所述切割线表面，开始切割。3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，获取所述切割线的温度信息的方法包括：通过置于切割机舱内的温度传感器，获取位于所述切割机舱内喷涂有砂浆的所述切割线的温度信息。4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关，包括：当切割深度不大于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小，所述晶棒的被切割位置的端面直径为R；当切割深度不小于R/2时，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而增大。5.根据权利要求4所述的切割方法，其特征在于，使所述砂浆的温度随着所述晶棒的切割深度的增大而减小包括：所述晶棒的切割深度从0至R/3的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下降范围不大于1℃；所述晶棒的切割深度从R/3至R/2的切割过程中，使所述砂浆的温度随着切割深度的增大而减小，温度的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗奔，张文，郭钰，刘春俊，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：