半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括在基板上形成多个层叠体，所述层叠体各自形成为包括层叠在所述基板上的多个半导体芯片。所述方法还包括在所述层叠体上配置将所述层叠体相互连结的多个第1引线。所述方法还包括在所述层叠体以及所述第1引线上形成树脂层。所述方法还包括使所述树脂层的上表面降低，直到所述第1引线在所述树脂层的上表面露出。1引线在所述树脂层的上表面露出。1引线在所述树脂层的上表面露出。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本申请以2021年5月24日提出申请的在先的日本专利申请第2021
‑
87166号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]在半导体芯片上形成树脂层的情况下，通过什么样的方法形成树脂层成为问题。例如，在对半导体芯片上的树脂层进行研磨(polish)或者磨削(grind)时，通过什么的方法对研磨或者磨削的终点进行检测成为问题。

技术实现思路

[0004]一个实施方式提供能够在半导体芯片上适当地形成树脂层的半导体装置及其制造方法。
[0005]根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括在基板上形成多个层叠体，所述层叠体各自形成为包括层叠在所述基板上的多个半导体芯片。所述方法还包括在所述层叠体上配置将所述层叠体相互连结的多个第1引线。所述方法还包括在所述层叠体以及所述第1引线上形成树脂层。所述方法还包括使所述树脂层的上表面降低，直到所述第1引线在所述树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成第1层叠体和第2层叠体，所述第1层叠体是层叠多个形成有多个第1端子的第1半导体芯片而形成的，所述第2层叠体是层叠多个形成有多个第2端子的第2半导体芯片而形成的；形成从所述多个第1端子和所述多个第2端子在所述第1层叠体的层叠方向即第1方向上延伸的多个第1引线；形成将所述第1层叠体与所述第2层叠体连接的第2引线；以使得将所述第1层叠体、所述第2层叠体、所述多个第1引线以及所述第2引线覆盖的方式形成树脂层；以及使所述树脂层的上表面降低，直到所述第2引线的至少一部分从所述树脂层的上表面露出。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，所述第1层叠体还包括金属片，所述第2引线的一端部连接在所述金属片上。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，所述第1层叠体还包括：在俯视下具有比所述第1半导体芯片的面积小的面积的、设置在所述第1半导体芯片上的第3半导体芯片。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，所述第3半导体芯片对所述第1半导体芯片的工作进行控制。5.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，在俯视下，所述金属片的面积比所述第1半导体芯片的面积小。6.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，所述第3半导体芯片和所述金属片形成在所述第1半导体芯片上。7.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，在俯视下，所述金属片的面积与所述第1半导体芯片的面积相同。8.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，所述金属片配置在所述第1半导体芯片上，所述第3半导体芯片配置在所述金属片上。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在沿着与所述第1方向垂直的方向即第2方向形成了所述第1层叠体和所述第2层叠体时，在俯视下，所述第2引线沿着所述第2方向延伸。10.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，所述第2引线的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本进，藤田努，前田竹识，本乡悟史，丰田现，秦荣一，片村幸雄，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：