半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法，包括：提供具有导电柱的第一管芯；提供散热结构，散热结构具有设置在第一管芯周围的柱体；平坦化散热结构的柱体和第一管芯的导电柱，以使柱体的一端与导电柱的一端齐平。柱的一端齐平。柱的一端齐平。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体来说，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]现行FOSiP(Fan
‑
Out System inPackage)整合性封装的技术发展已有往Z方向整合的趋势，其较常见的整合方式是利用堆栈封装整合(例如IPD整合于AP die主动表面)，且在整合结构中，上、下层线路会透过Z方向导电结构做为讯号路径之一。
[0003]然而，上、下层线路在Z方向上的距离会影响导电结构的制程难易度。一旦前述距离太远，则如图1所示，导电结构12的高度较高，当导电结构12是以电镀、填充通孔(via)方式形成时，必须考虑其深宽比限制，避免电镀不均匀或产生空洞(void)14的情况。如果导电结构12为铜导电柱，铜导电柱的深宽比达到1:10限制，这可能造成制程产生空洞异常，进而造成断路风险。
[0004]现有解决上述问题的做法是利用SMT(表面贴装)导电柱方式取代利用电镀、填充方式形成的导电结构。然而SMT导电柱方式需考量SMT多个导电柱的制程复杂度，同时也需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：提供具有导电柱的第一管芯；提供散热结构，所述散热结构具有设置在所述第一管芯周围的柱体；平坦化所述散热结构的所述柱体和所述第一管芯的所述导电柱，以使所述所述柱体的一端与所述导电柱的一端齐平。2.根据权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，在提供所述散热结构之前，还包括：将第二管芯堆叠在所述第一管芯上方，其中，所述第一管芯的所述导电柱设置在所述第二管芯周围。3.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一管芯；第二管芯，堆叠设置在所述第一管芯上；柱体，位于所述第一管芯和所述第二管芯周围；其中，所述第一管芯、所述第二管芯和所述柱体由相同的介电材料包覆。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：被动元件，邻近所述第一管芯设置，其中，所述被动元件上具有所述柱体，所述被动元件上的所述柱体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王令骅，沈明宗，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：