混合式固晶方法技术

本发明专利技术提供了一种混合式固晶方法，包括下列步骤：晶圆被切割成多个晶粒，该多个晶粒分布在承载膜的多个目标区块上，晶粒表面无锡球且无铜柱；清除该多个晶粒的第一表面上的微粒；将该多个晶粒的第二表面的侧边和角落从该多个目标区块上剥离；翻转承载膜，并且将该多个晶粒转移到第一载体，该多个晶粒的第一表面接触第一载体；将承载膜从该多个晶粒的第二表面上移除；清除该多个晶粒的第二表面上的微粒；以及将该多个晶粒从第一载体转移到基板上，基板表面无锡球且无铜柱。因此，本发明专利技术能够降低晶粒附着于承载膜的效果，晶粒能够一次转移到第一载体上，且承载膜易于移除。且承载膜易于移除。且承载膜易于移除。

【技术实现步骤摘要】
混合式固晶方法


[0001]本专利技术是涉及一种固晶方法，尤其是一种混合式固晶方法。

技术介绍

[0002]集成电路通过大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，进一步将晶圆切割成多个晶粒。换言之，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。切割好的多个晶粒整齐贴附在一承载膜的多个目标区块上。在晶圆切割的过程中会产生许多微粒，这些微粒会附着在该多个晶粒的表面上。接着，清除该多个晶粒的第一表面上的微粒。然后，利用现有技术的晶粒剥离方法将该多个晶粒从该多个目标区块上剥离。最后，一拾取装置将该多个晶粒从承载膜依序转移到一基板上，该多个晶粒的第二表面接触基板，俾利进行后续加工程序。
[0003]图1是第一种现有技术的晶粒剥离方法的示意图。如图1所示，一阀门200沿着承载膜210的表面水平移动，逐渐开启一吸附装置220的一通道2201。通道2201能够提供一负压2202以吸附该多个目标区块2101的其中之一，使得该多个目标区块2101的其中之一沿着一水平方向逐渐向下凹陷，该多个晶粒230的其中之一即可整颗从该多个目标区块2101的其中之一上剥离。在该多个晶粒230的其中之一完成剥离程序以后，吸附装置220继续对下一颗晶粒230进行剥离程序，直到该多个晶粒230全部完成剥离程序。
[0004]图2是第二种现有技术的晶粒剥离方法的示意图。如图2所示，多个顶推件240推动该多个目标区块2101的其中之一，使得该多个目标区块2101的其中之一向上隆起。其中，愈靠近该多个目标区块2101的其中之一的中心，该多个顶推件240的向上移动距离愈大，因此该多个目标区块2101的其中之一的隆起高度从其周围往其中心逐渐升高，从而该多个晶粒230的其中之一仅其中心接触该多个目标区块2101的其中之一的中心，该多个晶粒230的其中之一的周围则脱离该多个目标区块2101的其中之一。在该多个晶粒230的其中之一完成剥离程序以后，该多个顶推件240继续对下一颗晶粒230进行剥离程序，直到该多个晶粒230全部完成剥离程序。
[0005]然而，上述两种现有技术的晶粒剥离方法一次只能够让一颗晶粒从承载膜剥离，且拾取装置一次只能够从承载膜上拾取一颗晶粒，移动一颗晶粒，并且将一颗晶粒放置在基板上。因此，该多个晶粒的转移速度相当慢，效率低，成本高。
[0006]另外，该多个晶粒的第二表面上的微粒并没有被清除干净，因而产生以下数个问题：其一，如果微粒的位置靠近晶粒的边缘，微粒会让晶粒翘起，造成晶粒和基板的接合良率下降；其二，如果微粒的位置靠近晶粒的边缘，一旦该多个晶粒互相堆栈，微粒会让位在上层的晶粒翘起，造成该多个晶粒互相堆栈时的接合良率下降；其三，如果微粒的位置靠近晶粒的中心，微粒会让晶粒弯曲，晶粒与基板会共同包住气泡而形成一个空洞(void)，造成晶粒和基板的接合良率下降。

技术实现思路

[0007]本专利技术的主要目的在于提供一种混合式固晶方法，能够降低多个晶粒附着于承载膜的效果，从而该多个晶粒能够一次转移到第一载体上，且承载膜能够轻易地从该多个晶粒移除。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供一种混合式固晶方法，能够一次将相邻的二排晶粒组合完成剥离程序，多排晶粒组合只要经过数次剥离程序，即可让多个晶粒完成预先边角剥离，提升该多个晶粒的预先边角剥离的效率。
[0009]本专利技术的又一目的在于提供一种混合式固晶方法，能够将晶粒的第一表面和第二表面的微粒彻底清除干净，提升晶粒和基板的接合良率或多个晶粒互相堆栈时的接合良率，且晶粒和基板不会共同包住气泡而形成一个空洞。
[0010]为了达成前述的目的，本专利技术提供一种混合式固晶方法，包括下列步骤：一晶圆被切割成多个晶粒，该多个晶粒分布在一承载膜的多个目标区块上，各晶粒的表面无锡球且无铜柱；清除该多个晶粒的第一表面上的微粒；将该多个晶粒的第二表面的多个侧边和多个角落从该多个目标区块上剥离；翻转承载膜，并且将该多个晶粒转移到一第一载体，该多个晶粒的第一表面接触一第一载体；将承载膜从该多个晶粒的第二表面上移除；清除该多个晶粒的第二表面上的微粒；以及将该多个晶粒从第一载体转移到一基板上，基板的表面无锡球且无铜柱。
[0011]在一些实施例中，在清除该多个晶粒的第一表面上的微粒的步骤之后进一步包括下列步骤：对承载膜解黏。
[0012]在一些实施例中，对承载膜解黏的步骤进一步包括下列步骤：承载膜是一紫外光解胶膜，一紫外光照射在承载膜上。
[0013]在一些实施例中，对承载膜解黏的步骤进一步包括下列步骤：承载膜是一热解胶膜，对承载膜加热。
[0014]在一些实施例中，晶圆被切割成该多个晶粒的步骤进一步包括下列步骤：晶圆被切割成多排晶粒组合，每一排晶粒组合包括数颗晶粒，多排晶粒组合分布在承载膜的多排目标区块组合上，每一排目标区块组合包括数个目标区块；其中，该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离的步骤进一步包括下列步骤：相邻的二排目标区块组合的二个目标区块向上隆起或向下凹陷，使得相邻的二排晶粒组合的全部晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从相邻的二排目标区块组合的全部目标区块上剥离；以及在其中二排晶粒组合完成剥离程序以后，继续对另外二排晶粒组合进行剥离程序，直到多排晶粒组合全部完成剥离程序。
[0015]在一些实施例中，将该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离的步骤进一步包括下列步骤：至少一顶推件向上移动，并且依序推动该多个目标区块之间的连接区块，该多个目标区块向上隆起，使得该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离。
[0016]在一些实施例中，该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离的步骤进一步包括下列步骤：一刮板沿着承载膜的表面水平移动，并且依序推动该多个目标区块之间的连接区块，该多个目标区块向上隆起，使得该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离。
[0017]在一些实施例中，该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离的步骤进一步包括下列步骤：一吸附装置的至少一通道提供一负压，并且依序吸附该多个目标区块之间的连接区块，该多个目标区块向下凹陷，使得该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离。
[0018]在一些实施例中，将该多个晶粒从第一载体转移到基板上的步骤进一步包括下列步骤：从第一载体上拾取该多个晶粒；移动该多个晶粒；以及将该多个晶粒放置在基板上，该多个晶粒的第一表面接触基板。
[0019]在一些实施例中，将该多个晶粒从第一载体转移到基板上的步骤进一步包括下列步骤：翻转第一载体，并且将该多个晶粒转移到一第二载体上，该多个晶粒的第二表面接触第二载体；清除该多个晶粒的第一表面上的微粒；从第二载体上拾取该多个晶粒；移动该多个晶粒；以及将该多个晶粒放置在基板上，该多个晶粒的第二表面接触基板。
[0020]本专利技术的功效在于，本专利技术能够能够降低该多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合式固晶方法，其特征在于，包括下列步骤：一晶圆被切割成多个晶粒，该多个晶粒分布在一承载膜的多个目标区块上，各该晶粒的表面无锡球且无铜柱；清除该多个晶粒的第一表面上的微粒；将该多个晶粒的第二表面的多个侧边和多个角落从该多个目标区块上剥离；翻转该承载膜，并且将该多个晶粒转移到一第一载体，该多个晶粒的第一表面接触一第一载体；将该承载膜从该多个晶粒的第二表面上移除；清除该多个晶粒的第二表面上的微粒；以及将该多个晶粒从该第一载体转移到一基板上，该基板的表面无锡球且无铜柱。2.根据权利要求1所述的混合式固晶方法，其特征在于，在清除该多个晶粒的第一表面上的微粒的步骤之后进一步包括下列步骤：对该承载膜解黏。3.根据权利要求2所述的混合式固晶方法，其特征在于，对该承载膜解黏的步骤进一步包括下列步骤：该承载膜是一紫外光解胶膜，一紫外光照射在该承载膜上。4.根据权利要求2所述的混合式固晶方法，其特征在于，对该承载膜解黏的步骤进一步包括下列步骤：该承载膜是一热解胶膜，对该承载膜加热。5.根据权利要求1所述的混合式固晶方法，其特征在于，该晶圆被切割成该多个晶粒的步骤进一步包括下列步骤：该晶圆被切割成多排晶粒组合，每一排晶粒组合包括数颗晶粒，多排晶粒组合分布在该承载膜的多排目标区块组合上，每一排目标区块组合包括数个目标区块；其中，该多个晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从该多个目标区块上剥离的步骤进一步包括下列步骤：相邻的二排目标区块组合的二个目标区块向上隆起或向下凹陷，使得相邻的二排晶粒组合的全部晶粒的第二表面的该多个侧边和该多个角落从相邻的二排目标区块组合的全部目标区块上剥离；以及在其中二排晶粒组合完成剥离程序以后，继续对另外二排晶粒组合进行剥离程序，直到多排晶粒组合全部完成剥离程序。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦豪，
申请(专利权)人：梭特科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：