一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法技术

本发明专利技术公开了一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法，包括以下步骤：步骤一、将TSV芯片按来料厚度进行减薄和划片；步骤二、FCA抓取TSV芯片DieⅠ通过Bump球贴基板；步骤三、将TSV芯片DieⅠ和转接TSV基板的铜通孔内填充基板TSV铜形成铜柱；步骤四、TSV芯片DieⅠ内的铜柱和基板上的Bump球和转接TSV基板下层的Bump球对应连接，转接TSV基板的铜柱分别和芯片DieⅡ和芯片DieⅢ的管脚对应连接。本发明专利技术增加芯片数量从而增加产品的容量，但是不会导致芯片厚度增加，实现横向多芯片堆叠方向的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体涉及一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法。

技术介绍

[0002]DDR5 3DS TSV技术可以实现竖直方向垂直堆叠，在芯片尺寸比较大情况下，没法实现横向多芯片堆叠方向。芯片尺寸较大情况下，普通倒装工艺没法实现垂直堆叠，平铺局限于单颗尺寸；3DS TSV工艺可以垂直堆叠，但是只能一颗芯片垂直堆叠一颗，没法实现一颗上面垂直平铺堆叠多颗芯片。

技术实现思路

[0003]本专利技术一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法，以解决现有技术中芯片尺寸比较大情况下，没法实现横向多芯片堆叠方向的问题。
[0004]本专利技术一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法，包括以下步骤：
[0005]步骤一、将TSV芯片按来料厚度进行减薄和划片，将TSV芯片DieⅠ、芯片DieⅡ、芯片DieⅢ切割成单颗芯片；
[0006]步骤二、FCA即倒装贴芯片抓取TSV芯片DieⅠ通过Bump球贴基板；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板开铜通孔的增加芯片叠芯的TSV封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将TSV芯片按来料厚度进行减薄和划片，将TSV芯片DieⅠ(3)、芯片DieⅡ(7)、芯片DieⅢ(8)切割成单颗芯片；步骤二、FCA即倒装贴芯片抓取TSV芯片DieⅠ(3)通过Bump球(2)贴基板(1)；步骤三、将有铜通孔和植有Bump球(2)的TSV芯片DieⅠ(3)和转接TSV基板(4)经过切割工序切割成单颗，TSV芯片DieⅠ(3)和转接TSV基板(4)的铜通孔内填充基板TSV铜(5)形成铜柱；步骤四、TSV芯片DieⅠ(3)内的铜柱和基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，刘卫东，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：